動態鎖存器、記憶體與靜態鎖存器、記憶體有什麼主要區別？

chip123

動態鎖存器、記憶體需要動態刷新；靜態鎖存器、記憶體不需要動態刷新？
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兩個存儲方式不同，動態有內部有電源到地的電流通路，靜態不需要，所以前者會失去信號，需要刷新！
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  F) |0 S2 J/ n! ?- g不過敢問兩者的速度比較如何？？:o

tommywgt

再來領個RDB...

. y; Q2 J0 L% m4 e! T" ]Q: 動態鎖存器、記憶體需要動態刷新；靜態鎖存器、記憶體不需要動態刷新？
; ~/ M4 K. E* iA: 是的...一般來講沒錯

Q: 兩個存儲方式不同，動態有內部有電源到地的電流通路，靜態不需要，所以前者會失去信號，需要刷新!!
A: 不管是動態電路，靜態電路內部都有電源到地的電流通路, 一般稱為漏電流, 只是因為動態電路使用電容儲存狀態, 一旦電荷不足以表示邏輯時會造成輸出錯誤, 所有才需要refresh, 在輸入變化的頻率週期大於漏電的時間時, 就不需要refresh. 而靜態電路是靠迴授來記錄狀態, 故不存在這個問題

Q: 不過敢問兩者的速度比較如何？？
8 k' L6 O$ p8 A8 V- I7 oA: 在0.18um COMS process, dynamic circuit約可以操作在10G~15GHz以上, static circuit只能操作在1.5GHz左右, 前者使用fully design flow跟設計及工作電壓有關, 後者使用standard cell libraries.

0 o" a6 D3 ~# r[ 本帖最後由 tommywgt 於 2007-2-25 10:46 AM 編輯 ]

tommywgt

哈哈...我不能老黃賣瓜自賣自誇也... (不能把自己的答案設成最佳答案...Orz )