跨moat的影響

ajiune

Dear 大大，
" H5 o& e$ Y( F+ E( m7 x. R, Q2 C麻煩你們，
4 ?6 K0 K6 G  x, D- D! _4 A我是EMC的新手，目前有些問題想請各大大們幫我解答或是提出看法，如下:
0 O* a+ ?+ C2 u) i# }- o
1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
2.走線換層，算是跨moat嗎?
4 [5 \4 j! s/ x4 }3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
" `1 q/ x8 r" k6 N2 Z. h+ V6 X) m4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?
6 c' q( f! }5 D8 X2 |& D
麻煩大大們，針對以上5點，幫我解惑。
' W) J, R+ g6 F7 T
謝謝你們，感激!!!

flypigduncan

1.跨moat，對ESD會有影響嗎? 影響多大?
+ I, B' h% P. s+ h" P! @2 Z有IEEE的論文證明當trace跨moat的確會造成位準很大的浮動
2.走線換層，算是跨moat嗎?
只要能確保電流迴轉路徑最短的情況下是可行的
) N# x8 C/ A" J6 Y6 P1 \3.走線換層對EMI會有影響嗎? 那與跨moat對EMI的影響比較，何者影響較大?
: [2 Q3 C; O) y! f& E, \' }& L跨moat影響最大,因為迴路造成的天線效應無法預測
5 x/ ]( Q* H7 R: u9 @/ c4.CPU與北橋，reference GND layer 對ESD有何影響?
# ^9 d) b9 M1 C/ I+ Zreference GND layer較能控制位準的誤差
& z: D& m* |/ T( V7 g5.南橋出pin於B+與5V，對EMI與ESD的影響?
對ESD還好,對EMI可能使電流回流路徑經由電源回流造成很大的天線效應

ajiune

Dear flypigduncan:
8 K/ y9 |8 W. k( b# v' H
0 v( G! i8 n' [9 t) O7 [謝謝你的回答!!
對我很有幫助，謝謝^^

jackie0888

一切都是zero  應該符合KVL and KCL

mic29

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答
1. MOAT若將ESD敏感元件隔離，應該對ESD是好的，但對EMI則不良
2. 走線換層不算跨MOAT，但仍須注意迴返路徑，故應儘量避免
& s: q' \/ `3 \. [3. 走線不可跨MOAT，除非確定有做好相對措施，換層影響較小

alienwarejian

版主的問題似乎包含ESD與EMI兩方面，所以要小心回答