how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
7 u/ z. I4 E6 M. x" [; U# p
, e( ~0 v2 h8 n5 W; g* w
+ S) n3 S( S$ v, P9 U" P7 u( Ein the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
  Q* V- O7 v5 v& P
5 R  Q7 m# j$ u: r0 I* ethx

  ^% O7 n4 b* y2 H[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻
8 F$ N+ n; X% h7 h
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

* W6 u5 k) I. E* {參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
) G4 L1 R9 K2 J" m- SGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
4 b* U8 a8 ]! k1 T! r) U* }9 pGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.

For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
0 [; f+ V' k5 ]5 |* r+ ADoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
2 O: w6 v0 j: U# V1 dAny idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話  GCNMOS 比較好
, B( f7 L, ^5 ?6 R但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
請問一下,關於GCNMOS ,
& w+ t0 Y7 M3 h6 i- CPower 會動的很厲害的話會漏電.
8 {3 |5 t4 T" T, h/ [$ I! t8 E) e% j
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
2 U4 h8 J8 n0 t8 G" U& [) o那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

% E' m, M3 H& a' p3 G4 a
是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
. X& w  j- g( l) z# wGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

8 y# F- T& S9 v" t: f) G不知道你使用的是什么工艺？
2 K! @9 ]9 k  }) b( N9 Q我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
( \- r: H  `. L1 F
9 E4 T# D! o: A' p8 l% V延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！