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樓主 |
發表於 2011-3-27 11:34:00
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要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
; Y# R" \6 @8 A0 ?% V; ~# B0 A1. 請問製程為何?5 E1 w t8 T1 S2 V9 R& r5 G
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
: u5 J+ l2 \4 Jklim 發表於 2011-1-18 14:32 ; n+ {1 l" H- ^, u+ ~3 Q
- ?) Y: V1 X3 Q( k. a1), 請問製程為何?
. Y" K0 g1 u! D0 X1 T- [ tsmc 0.18um
% q- r/ l+ N! _* d& Y3 O
2 d" _' B6 n9 V5 D0 `; r& b! p2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V .... o2 {. ]% e x3 g, ~
两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打
3 A0 i) @0 Z) ]* O% o1 E! [6 k, t- j8 F; D
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置 |
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