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[問題求助] ESD失效分析求助

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1#
發表於 2010-11-20 14:59:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
2颗VDD到地测试6 e2 ^: `  S! X& _( f5 ]  |% ~
1),第1颗从500V开始测试,大部分在500V时就失效
3 e/ a7 j7 S  A9 ~) t( q& s( ~2),第2颗从1000V开始测试,大部分在1500V时失效
+ F' H9 Z& `( c; O电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
6 a' @; P4 h5 s失效机理是怎么会事,多谢
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2#
發表於 2011-1-18 14:32:02 | 只看該作者
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:; J3 _$ c* r  V9 A) \9 W! Q
1. 請問製程為何?
2 f# }8 k# w. M+ A9 ^; X2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?9 v3 a" X0 B2 t  m4 u! s; {
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?% {8 Y- G, n( S, y5 @$ j
要有上述的數據才能做最基本的分析.
3#
 樓主| 發表於 2011-3-27 11:34:00 | 只看該作者
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
; Y# R" \6 @8 A0 ?% V; ~# B0 A1. 請問製程為何?5 E1 w  t8 T1 S2 V9 R& r5 G
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
: u5 J+ l2 \4 Jklim 發表於 2011-1-18 14:32
; n+ {1 l" H- ^, u+ ~3 Q

- ?) Y: V1 X3 Q( k. a1), 請問製程為何?
. Y" K0 g1 u! D0 X1 T- [ tsmc 0.18um
% q- r/ l+ N! _* d& Y3 O
2 d" _' B6 n9 V5 D0 `; r& b! p2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V .... o2 {. ]% e  x3 g, ~
两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打
3 A0 i) @0 Z) ]* O% o1 E! [6 k, t- j8 F; D
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置
4#
發表於 2012-2-12 13:41:58 | 只看該作者
感兴趣问题的进展,是样品概率问题吗?
5#
 樓主| 發表於 2012-3-13 20:20:27 | 只看該作者
感谢关注,ESD问题已经解决
6#
發表於 2012-7-12 12:21:25 | 只看該作者
how to resolved it????
7#
 樓主| 發表於 2012-8-21 21:40:30 | 只看該作者
在不同电源之间,电源和地之间,建立了更多,均匀的ESD通路
8#
發表於 2013-10-13 02:30:06 | 只看該作者
在不同电源之间,电源和地之间,建立了更多,均匀的ESD通路 ??
7 m/ t8 |0 F% Q2 o, ]4 u均勻是指什麼' ^- }2 }- m! F6 s
方便貼圖上來嗎
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