天线效应中，跳线至顶层metal的作用。

smilodon · 發表於 2010-7-10 11:55:39

Antenna只会发生在Gate上，主要是Gate下的Oxide很薄，无法承受大的电场；
而且Antenna不是发生在CHIP应用过程，而是生产过程中，主要与Etching是使用plasma的情况有关，plasma会造成与Gate相连的金属上积聚电荷，过多的电荷会产生超过gate下栅氧化层承受能力的电场，产生击穿；
所有无论用哪一层金属，面临的问题是一样的，有时候金属jumper到顶层，仍然无法解决Antenna问题，只能增加反向二极管来解决此问题。

zhiyong.gao · 發表於 2010-7-29 11:04:31

受益匪浅！谢谢！
终于搞明白了，原来只知道添加跳线和保护二极管，知其然不知其所以然，今天才明白

milo_li · 發表於 2010-8-9 17:18:49

解决这个问题需要了解一下天线效应和IC制造流程，这&#26 ..., [1 p) S- F2 V' m: b+ v
fabc 發表於 2009-10-9 01:50 PM

同意这样的看法，简单明了点，具体还带了解工艺流程。

nidon2003 · 發表於 2010-9-22 21:53:33

在process製造和芯片工作中，會有很多不“聽話”的載流子在芯片中到處亂跑，而chip當中的比較大，長，並且導電性比較好的layer,比如metal，往往就成为吸收这些载流子的“容器”，这个就像避雷针的原理一样。当吸收的载流子过多，能量达到一定程度的时候，这个能量就会在电路中的一个比较薄弱的地方释放出去，而这个地方，往往就是gate下的栅氧。

terriours · 發表於 2011-2-15 18:07:55

简而言之，我觉得是这样的：
当某一层metal出现了antenna的时候，跳到上一层metal的做法是因为工艺线上在每做一层metal都会进行一次去静电的处理，具体怎样做我也不清楚，然后做平坦化再做另一层metal这样我们跳一次metal，就可以将做好的metal上积累的静电荷泄放掉，这是跳线的根本意义，可以参考The Art Of Analog Layout。至于加diode这个就比较简单了，相信大家都清楚。
本人拙见，有错请不吝赐教。

瓦片小屋 · 發表於 2011-2-18 14:31:20

受教了，虽然知道方法，知道大致如何去实现

，不过要叫我详细的说出来还是有点难，

bobo lin · 發表於 2012-3-28 14:38:43

從不明白,看到最後終於明白了,雖說不是本科系的,但一直在這塊鑽研還是有開竅的時候...受教了,感謝各位詳細說明.

stephen_jjh · 發表於 2012-4-20 13:47:40

领教了！！！！字数字数

ptadx · 發表於 2012-9-3 17:12:18

回復 25# terriours

工艺线上在每做一层metal都会进行一次去静电的处理请问确定是这样的吗，谢谢

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[問題求助] 天线效应中，跳线至顶层metal的作用。