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[問題求助] LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)

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1#
發表於 2008-11-14 12:06:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)
6 e4 }/ m: P% a% v% a1 {
. s% u, m! h+ t/ Z7 ?4 j想請問一下,在LDO或是DC-DC都有回授電阻來分壓
- i5 C% H- w7 L7 Z, K) E* B4 T, J; ?( Q% [  [: ]
這些分壓電阻大小有什麼影響嗎?還是等比例就OK呢?0 _7 D- r3 t) N- o. R9 Z0 L6 B7 m

. f& g( g' L3 O. \  Y$ DEX:   R1=200K     R2=100K 和  R1=20K    R2=10K的差異,分壓出來電壓都一樣,那到底如何選用呢?. W6 i* R: E4 F3 P
) |5 ]2 b9 M# G, [% n$ O& w/ B
以下是 LDO 的相關討論:/ `7 ^& y, b9 i8 K" r
Low Drop-Out Voltage Regulators
" W' y0 @7 P/ u7 e3 pRincón-Mora 《Analog IC Design with LDOs》
4 e3 o8 t; l; e6 |PMOS Low_Dropout Voltage Regulator Introduction
* X: E/ H% ?7 I+ m0 PLCD Driver 設計術語簡介[Chip123月刊資料]
2 B9 K+ E( j$ `5 F+ B% UThe evolution of voltage regulators with focus on LDO[NS講義]* D( i+ i. b/ d# {
Design of High-Performance Voltage Regulators
, M' P, c# G1 b# b6 l请教有关LDO的问题
/ X9 n- e) l" E  m5 H& M& M& n* \! B. a6 ?# i7 d4 L

0 }2 r1 P- W2 P8 y4 ?1 O  m' N
* _: k. z9 g" E0 D[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-14 11:33 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-11-14 13:25:08 | 只看該作者
应该是越大越ok,当然也要在同一个数量级上,这点可以从一些产品的datasheet上看出来,  L* N2 Y( D7 I+ e
在spec中一般会有IFB current 这一项。。。
; l$ |  C' f( ^4 `' I其实,你可以这么看,
6 o: z! g' I8 j9 h- G- \& ?feedback电阻和你的output loading是并联在一起的,为了使output得到更大的功率(电流)同时尽可能的减小对你的output loading current精度的影响,要得到100ma就是100ma,而不小于100ma,所以,你的feedback电阻这条支路的电流就要尽可能的小,所以选大的反馈电阻。。。一般IFB current在ua量级。。。。) l. W! D4 R/ s# d. H) J/ N: @
有兴趣加我msn,大家交流交流:baggiodong1982@live.com ! X0 ~! ?/ P  r% r5 A4 p, H' M& e
) y! N6 C1 O3 }& a/ ?0 H
[ 本帖最後由 baggio 於 2008-11-14 01:27 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-11-14 15:36:41 | 只看該作者
那分壓電阻有VIN到VFB的R1   和   VFB到GND的R2   這兩個R1,R2要那個大比較好呢?
4#
發表於 2008-11-14 20:24:02 | 只看該作者
范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
5#
發表於 2008-11-15 09:09:22 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-11-14 08:24 PM 發表
$ H/ \9 A* p+ Y0 y范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
" y1 R- [+ s' U6 d, h; K/ ]
$ R0 u4 C4 L9 a7 M- w% c
费面积?会费多大?在pcb板子上都是贴片电阻把。。。/ h+ A% E* z  U( \* S2 _% ~+ \
楼主意思应该是在pcb上,而非集成在电路内部。。。
6#
發表於 2008-11-18 22:49:11 | 只看該作者
面積、功耗的trade off。取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積。" R' O* [( X" v9 Y* A$ I. M; T
一般幾百K左右。
7#
發表於 2008-11-27 02:40:42 | 只看該作者
我之前上 ntu 陳秋麟老師的 power ic
7 k& z! {; h/ P# J$ i+ O- W2 ^! X' l  q! i% ~
有說到電阻值並不是越大越好.. 詳細原因我不知道..
! P+ u$ N4 S& k5 N% _9 a! N' m. v6 d: f) O2 [1 `" o& z
雖然以公式來看 效率等等會越好
6 o& I2 C/ _5 z9 ~; g  W8 t" ~5 A; k9 J" r
我個人感覺(純猜測)  當電阻十分大時: D! s7 p/ b/ W" H; `  s
8 ?8 }2 a- o  Y8 a1 ^9 M! H& w# `
流的電流會非常小...,然而小電流很 sensitive 9 C9 t# \3 q8 u0 g
6 }5 h+ D) q6 u: H
導致LDO輸出端,十分的敏感。.....
1 Z9 M9 f9 q! V" l0 p5 B9 Z- j" `
) W$ @. {0 h2 F
純猜測...
8#
發表於 2009-4-29 14:36:02 | 只看該作者
取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積  y; v. j. M* W. E6 }
另:
+ O* D6 ]; B& {, z. wFB電阻太大會不會產生很大的熱雜訊?
9#
發表於 2009-4-30 22:51:43 | 只看該作者
thermal noise從output端去看應該還好
5 G1 _6 O/ H$ a8 C/ F# g因為外面有掛輸出電容noise power會變成KT/C跟電阻無關
' _3 O1 Q1 x4 S/ _不過下電阻沒掛電容直接進入feedback端的noise就要看LDO整顆的loop gain來決定能否壓的下來4 g% L8 b! t& q1 K" B! d- [

% @" E  Y7 E; \" @0 s; |( T8 n其他就和大大們說的差不多
$ x5 U9 S$ r0 v7 Z/ D太大 占面積
/ b1 j' W: i; i, g太小 耗電流
$ c1 `6 F0 n3 C( y$ d, M% }' C! i$ X1 o1 y
不過太大 還有一個壞處 就是low load時頻率補償較不容易吧.
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