RAMTRON擴充FRAM-ENHANCED MCU家族陣容 符合工業標準可直接替換8051架構的微控制器

jiming

獨特的非揮發性資料儲存/處理系統實現簡便的器件轉移
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6 c. `. o3 ~7 z2 n5 C全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (FRAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出VRS51L3174這款基於8051架構的微處理器，它帶有8KB非揮發性FRAM記憶體，可直接取代工業標準的44腳QFP微處理器，以實現簡易的器件轉移。Ramtron已將FRAM加入於其高速靈活的Versa 8051s中，以支援高速及可靠的非揮發性資料儲存和處理系統，而該系統只有FRAM-Enhanced™ (增強型) MCU可以提供。
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VRS51L3174將8KB FRAM記憶體與完全整合的高性能系統單晶片結合，其特性包括先進的40 MIPS、單週期8051內核、同時具有ISP和IAP編程功能的64KB快閃記憶體、4KB SRAM、數位信號處理 (DSP) 擴充及穩健的數位週邊設備。VRS51L3174可在整個工業溫度範圍內以3.3V電壓工作，是理想的嵌入式資料擷取解決方案，可廣泛地應用於從檢測與計量到工業控制、儀器和醫療設備等領域。
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3 G4 x$ y* W% ZVRS51L3174特性

8K x 8 FRAM：8KB真正的非揮發性RAM (不需要電池/超級電容便可保存資料) 映射到VRS51L3174的XRAM記憶體上，以支援簡易的存取、快速寫入作業和讀寫壽命無限的特點。
40MHz、單週期8051處理器：這是市場上最快速的8位元處理器之一，其先進的內核可以提供高達40 MIPS的直通率，並且與標準8051s指令相容，以實現暢順的器件轉移。
2 @7 C; K8 i3 i2 b8 a帶32位元桶形移位器 (Barrel Shifter) 的MULT/ACCU/DIV單元：此硬體計算引擎在執行DSP運作時 (FIR濾波、感測器輸出線性化、多重位元組演算法操作等)，其性能遠比8位元處理器的來得好。它在執行16位元整數的乘法和32位元加法僅需一個週期，並在5個週期中執行16位元整數的除法。桶式移位器實現了邏輯/演算法的移位作業。
40MHz內部振盪器：內部振盪器不需要外部晶體振盪器，有助於降低系統成本。
: ]! ]/ V/ i3 [( c6 ^, n: DUSB-JTAG 介面：是一個友好的快速器件編程和即時的線上除錯/模擬介面，不需要昂貴成本的模擬器。
6 b& P3 ?' [: C, B帶鮑率產生器 (Baud Rate Generator) 的雙UART：這個通用非同步接收器/發射器的最大工作速度為1.25 Mbps。每個UART均帶有獨立的、具有20位元解析度的鮑率產生器。
& k6 `& B. }7 I* R0 D增強的SPI：串列周邊介面的通信速度可以配置達20 Mbps，發送資料長度可在1到32位元間調節。
PWC：兩個脈寬計數器模組，提供先進的計時器控制功能，可簡化事件持續時間的測量。
* E$ I' v- T$ g, KPWM：包含8個脈寬調變器，具有高達16位元的可調節解析度。每個PWM都有自己獨立的計時器，並可以當作通用計時器使用。
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其他支援的周邊包括一個I2C介面、3個16位元通用計時器/計數器（具有3個計時器擷取輸入）、1個看門狗計時器和共用16個中斷向量的49個中斷源。VRS51L3174 採QFP44封裝，與標準的8051 MCU接腳相容。
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8 j) T' p. G* L& p1 A; Z( r- S採用FRAM替代FLASH/EEPROM作為非揮發性資料儲存
採用FRAM可省去FLASH的資料儲存中所伴隨產生的額外代碼負擔，並避免了FLASH/EEPROM壽命有限和寫入週期過長的缺點，從而縮短了設計週期。與FLASH不同的是，FRAM中的位元組可以隨時修改而不必事先擦除整個磁區，使得資料的儲存更加容易；此外，FRAM還可提供幾乎無限的讀寫次數及快速寫入速度，與 FLASH/EEPROM截然不同。
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[ 本帖最後由 jiming 於 2007-6-25 03:23 PM 編輯 ]

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系列中包括待機電流低於0.5µA的超低功耗器件 適用於便攜式、電池供電和低功耗系統
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全球領先的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈擴充其非揮發性狀態保存器系列，推出4位元的狀態保存器，此狀態保存器以4位元的 F-RAM技術為基礎，不需要電源即可保存邏輯狀態，並在上電時自動恢復輸出。任何狀態改變均會自動記錄在非揮發性的鐵電鎖存器 (latch) 內，此一成果之所以能夠達成，完全是因為F-RAM記憶體技術具備獨特的高速寫入能力和低功耗特性，以及極高的耐用性。
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* ^' A8 ]2 T- R! p. [FM111x 4位元狀態保存器目前有三款產品：即工作電壓為5V的FM1110；以及工作電壓為3V的FM1112 和FM1114。FM111x系列的操作類似傳統的邏輯構件，使用起來就像雙鎖定儲存器或D型觸發器一樣簡單，但在斷電時可自動儲存和保持邏輯狀態，從而簡化了各種應用中系統控制功能的設計，包括開關介面、轉換暫存器、繼電器驅動器、LED驅動器、記錄錯誤旗標、掉電狀態檢測、干預 (tamper) 指示器、開門指示器、電機開/關控制、DIP開關的替換、跳線器 (jumper) 的替換及其它非揮發性邏輯電路。FM1114的獨特之處在於具有低於 0.5µA的超低待機電流，因而讓它極適合用於便攜式、電池供電及低功耗的應用，如八進制 (octal) 的鎖存器和非揮發性計數器等。
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Ramtron的技術市務總監Craig Taylor表示：“FM111x是2位元狀態保存器的自然擴充，是專為應用需要更多數據的客戶所開發的。4位元狀態保存器是我們不斷演變、真正創新產品系列中的第二條產品線，F-RAM技術具備高速寫入、低功耗和幾乎無限的耐用性，因而使得這一功能得以實現。”
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這種低功耗非揮發性狀態保存器是一個邏輯構件，不需要讀取記憶體就可以對非揮發性系統的設置進行連續存取。它能夠儲存變化頻繁而不須要預先通知的信號，還可以在不需要增加串列記憶體系統負擔的情況下，對系統設置進行非揮發性的儲存。

產品特性
FM1110的工作電壓範圍為4.5 至5.5V；FM1112則為2.7至3.6 V，具有低於10 µA的低待機電流；FM1114的工作電壓範圍也是在2.7至3.6 V之間，但具有低於0.5µA的超低待機電流。所有器件均以1 KHz的頻率連續改變狀態，並提供無限次數的狀態改變，可在整個工業溫度範圍 (-40℃至85℃) 內工作，且均採用16腳的 “綠色” QFN封裝。要瞭解有關產品的詳細資訊，請瀏覽網頁：www.ramtron.com/statesaver。
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現已可以供應FM111x的工程樣品。該器件採用符合RoHS要求的16腳之QFN封裝。

jiming

專注於非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation，為積極加強在中國市場的滲透力度，宣佈委任周立功公司在中國經銷其全系列的產品。

2006年，Ramtron在中國的銷售額大幅成長，占其亞太區總銷售額的3分之2。對周立功公司的委任是Ramtron要達成其銷售成長預期的策略的一部分。預計到2007年年底，Ramtron亞太區的業務將成長50%，並在2008年成為公司的最大銷售量來源。
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周立功公司將與Ramtron在中國合辦F-RAM與MCU應用技術巡迴研討會，並於2007年10月10日首先在深圳舉行，然後巡迴至廣州、武漢、重慶、成都、北京、杭州與上海，最後一站將於10月25日在南京舉行。

8 X+ c- M5 Q6 v* f" @這個巡迴研討會每次為期半天，完全免費，預計將吸引各地約150名開發工程師參加。研討會的內容將包括展示Ramtron最新的產品開發成果，例如F-RAM-Enhanced MCU及Versa 8051 MCU系列。
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此外，此研討會還將討論F-RAM解決方案在廣泛工業領域的應用，包括電力系統、通信監控、汽車安全、國防及軍事應用、工業、金融系統、醫療設備與計量領域。另外，也會討論到MCU方面的挑戰，包括工業用乙太網路、GPS防盜、協議轉換器、CNC、1.25M串列埠的實現，以及PWC在測量時間、距離的實現。同時也會說明Ramtron的VRS51L3074和VRS51L2070產品將如何提供所需的解決方案。

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新器件採用Ramtron 先進的F-RAM單元架構，以德州儀器的130奈米CMOS製程生產

全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation推出2百萬位元 (Mb) 並行記憶體產品，進一步擴充其高密度F-RAM產品系列的陣容。FM21L16是採用44腳TSOP-II封裝的3V、2Mb並行非揮發性RAM，具有高速存取、NoDelay™ (無延遲) 寫入、幾乎無限次數的讀/寫週期和低功耗等特點，其接腳與非同步靜態RAM (SRAM) 的接腳相容。FM21L16的主要目標以需要SRAM為基礎的工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲及電腦等應用為主。
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  {1 r6 _) ^9 k  ?Ramtron 策略行銷經理Duncan Bennett表示：“這是Ramtron與德州儀器 (TI) 合作推出的第二款F-RAM器件，是高密度獨立式F-RAM記憶體系列的新一代產品。FM21L16提供了能替代MRAM、電池供電SRAM (BBSRAM) 及NVSRAM的具成本效益之解決方案。除了成本低及占位面積小的優勢外，F-RAM比MRAM消耗更少的動態功耗與待機功耗，並且不需要像BBSRAM與NVSRAM一樣，分別需要使用電池或板上電容來為資料備份。”

. L& k* P' n* BFM21L16特點
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FM21L16是128K x 16 的非揮發性記憶體，採用工業標準平行介面，能以匯流排速度進行讀寫作業，具有至少100兆 (trillion) 次寫入和資料保存超過10年的耐久性。該器件的存取時間為60ns，週期為110ns，當中包括一個先進寫入保護方案，以避免意外的寫入與資料損壞。

. l. B& g6 _' v  W, ~/ G這種2Mb F-RAM是標準非同步SRAM的簡易替代產品，在進行資料備份時不需要電池，從而大幅地提升部件與系統的可靠性。與電池供電SRAM不同的是，FM21L16是真正的表面黏著解決方案，不需要電池附接的返修 (rework) 步驟，並免受潮濕、衝擊和振動的危害。

7 |) W5 M; t1 \8 g# G8 ]FM21L16具有能與現今高性能微處理器相連的工業標準平行介面，同時也具有高速頁面模式，此一模式讓它能夠實現每秒80百萬位元組的峰值頻寬，是市場上速度最快的非揮發性記憶體方案之一。該器件的工作電流比標準的SRAM還要低，在讀/寫作業時為18mA，在超低電流睡眠模式下更只有5uA。FM21L16在 -40℃至 +85℃的完整工業溫度範圍內，以2.7至3.6V的電壓工作。要瞭解更多與FM21L16產品相關的資訊，請瀏覽網頁www.ramtron.com/highdensityFRAM/Default.asp。
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, {4 m$ _& T3 DFM21L16採用符合RoHS要求的44腳TSOP-II封裝，樣品已在供應中。
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wangjna24

受益良多,
0 a  L/ X. }) H多多吸取相關的知識
' a, D* `9 s) s* m; _: p- q謝謝

chip123

chip123「有系統的整理」供應商技術資訊的確希望對RD能有所幫助！但最重要的，畢竟還是「大家的經驗與知識」！  

用於其新型符合PC/104標準的單板電腦和智慧型I/O模組設計
- {/ }$ k- |1 D! e0 z/ Y) tfimicro RAID 卡採用 F-RAM 記憶體以確保資料完整性，並防止資料的遺失及保護系統狀態；在  fimicro設計中取代 Flash、SRAM 及 EEPROM 技術

全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation 宣佈，位於德國的嵌入式軟體和硬體供應商 fimicro 已在其新型符合 PC/104 標準的 active104 系列單板電腦 (SBC) 和智慧型I/O 擴充模組中，整合了 Ramtron 的非揮發性 F-RAM 記憶體。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、乙太網路和 USB 板的設計中採用 Ramtron 的 FM22L16 4Mb (megabit) 並行 F-RAM器件，以取代 active104 系統中的 Flash、SRAM 和 EEPROM 記憶體技術，因為Ramtron 的 F-RAM 器件具有非揮發性、No Delay™ (無延遲) 寫入能力及幾乎沒有次數限制的耐用性，非常適合用來確保證資料的完整性。
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fimicro 的執行合夥人 Simone Fischer 表示：“F-RAM 用來取代 active104 板上不太可靠的快閃記憶體，以便儲存 BIOS、OS、額外的系統軟體和關鍵的系統資料。另外，它還取代了智慧型I/O 模組上的 SRAM 和 EEPROM。在 fimicro 的硬體產品系列中廣泛使用 F-RAM 這種非揮發性記憶體技術，可以提高我們系統的可靠性和整體的穩健性。”
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fimicro 的 SBC 和智慧型 I/O 板採用四個 4Mb 並行 F-RAM 器件，以構成一個 2 MB 非揮發性記憶體陣列，讓系統能夠直接從該記憶體陣列啟動，以及在重新啟動之後的數毫秒內，恢復到最新的操作狀態中。F-RAM 是在這種應用中，用來取代快閃記憶體的理想選擇，因為它具有很高的耐用性和很快的寫入速度。
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Ramtron 策略行銷經理 Duncan Bennett 表示：“fimicro 選擇 FM22L16 用於其 active104 SBC、RAID、乙太網路和 USB 板中，在在證明了 F-RAM 越來越受先進嵌入式硬體供應商的重視。F-RAM 是 fimicro 的 active104 系統不可或缺的一部分，因它可以確保資料的可靠性，並在電源故障時防止資料遺失。”
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F-RAM 還取代了所有 active104 智慧型 I/O 模組介面邏輯中的 SRAM。每個 fimicro 的 RAID、乙太網路和 USB 模組上都整合了一個額外的 4Mb F-RAM 器件，以實現快速的讀/寫存取，並確保資料的完整性。在 SBC 和模組之間傳遞的所有資料均以匯流排速度保存在 F-RAM 中，並在電源故障時也可以獲得保護。此外，該保存資料能夠在電源恢復時，使模組百分之百地恢復到故障發生前的狀態。F-RAM 還在 active104 系統中取代了 EEPROM，以便在需要時儲存器件的配置資料。
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+ m/ z, I7 a& V8 K4 z/ q關於F-RAM
2 F/ ~- `" A" p* wF-RAM 記憶體提供與 RAM 技術相同的功能，但卻是非揮發性的。它提供至少10 年的資料保存能力、幾乎沒有次數限制的寫入耐用性 (寫入次數大約為 1e14)、無延遲寫入存取，以及低功耗。要瞭解更多有關高密度 F-RAM 器件的資訊，請瀏覽網頁www.ramtron.com/highdensityFRAM/Default.asp。
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8 ~: U+ b0 N3 t* F. q關於fimicro
5 k, r* F- T  a7 qfimicro位於德國Henningen，是獨立的嵌入式軟體和硬體解決方案供應商。Fimicro 主要開發以目標導向的 x86-RTOS  aerolitheOS、系統和應用軟體，以及基於ZFx86 SoC的PC/104相容SBC和智慧型I/O模組。要瞭解更多資訊，請訪問公司網站www.fimicro.com。

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全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈擴充其 +125℃ 車用F-RAM記憶體產品線的陣容。FM25L04-GA 這款3V、4Kb並具有串列周邊介面 (SPI) 的F-RAM器件現符合Grade 1 AEC-Q100規範的要求，可在 -40℃ 至 +125℃ 的汽車工作溫度範圍內工作，並確保在極端溫度條件下，資料可保存達9,000小時。

& {4 X2 W  \  }. S: z4 F1 KFM25L04-GA現已用於先進的動力傳動系統中，在這種應用中，它需要F-RAM來對資料進行經常及快速的記錄，從而讓齒輪箱能夠連續適應不斷變化的駕駛者行為和行路狀況。F-RAM的No Delay™ (無延遲) 寫入、幾乎沒有次數限制的耐用性以及高速的SPI介面，為其帶來獨特的優勢，能夠在這種及其它先進汽車應用中以最大的匯流排速度可靠地將資料寫入。
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( d( o2 J6 c0 P% ~Ramtron策略行銷經理Duncan Bennett表示：“在乘客座艙內和引擎蓋下的智慧型汽車應用中，Ramtron 的F-RAM記憶體已獲得市場認可，而成為主流的記憶體技術。Ramtron正在擴充其Grade 1汽車器件產品系列，以滿足世界各地汽車製造商層出不窮的要求。”

關於FM25L04-GA
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( D/ ]2 G7 e7 s4 l0 ]7 H0 T7 R帶有業界標準SPI的4Kb非揮發性記憶體FM25L04-GA，可提升F-RAM技術的高速寫入能力。這款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM產品的直接硬體替代產品，但功能更強，具有高速的寫入能力、幾乎沒有次數限制的耐用性，以及低工作電流。FM25L04-GA可以在高達10MHz的匯流排速度下進行讀寫作業，並具有先進的寫入保護方案，以防止意外的寫入與資料損壞。確保資料在 +125℃ 時，可以保存9,000小時，在55℃ 時，資料更可保存長達17年，同時，在汽車溫度範圍內並以3.0V電壓作業。該產品採用“綠色”環保的8 腳SOIC封裝。
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' U; |* ]+ D$ V) y# ~$ c/ J' LF-RAM在智慧型電子中的應用
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& d: i: R5 ]! `" a  j% cF-RAM的寫入速度快和耐用性長，使其成為理想的資料收集和記憶體器件。隨著汽車設計中的感測器越來越多，需要收集的資料也越來越多。F-RAM的NoDelay™ 寫入方式將非常有利於以更高頻率收集更多資料的作業，使智慧型汽車應用能夠得到最及時的資訊來採取行動。F-RAM技術已獲得全球許多精密、複雜汽車電子系統的設計所廣泛採用，如智慧型安全氣囊、事件資料記錄器、自適應巡航控制、動力傳動、資訊娛樂系統、診斷和防夾/鎖車窗 (anti-pinch/trap window) 等。目前獲得的Grade 1 汽車應用資格將讓設計人員因汽車中許多系統採用F-RAM而受益。

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F-RAM 取代 EERPOM，以便在嚴苛的汽車環境中提供可靠的資料記錄
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3 V! n* v3 K; T/ [全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation 宣佈，韓國領先的改裝柴油顆粒篩檢程式 (DPF) 設備與診斷模組供應商 Blue Planet 公司已將 Ramtron 的 FM3130 和 FM3104 Processor Companion 用於其 DMS 系列改裝 DPF 的資料記錄器中。
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7 A* T! X# V) @5 ZFM3130 納入了增強型即時時鐘 (RTC) 的64Kb F-RAM 記憶體、高度整合的支援與針對以處理器為基礎系統的週邊功能。F-RAM 已取代了 DMS 系列 DPF 系統中的 EERPOM，當中，F-RAM 與 RTC 的組合成為用來收集和存儲車輛排氣溫度、系統背壓 (system back pressure) 及時間記錄等密集資料的理想方案。Ramtron 的 4Kb FM3104 Processor Companion 也用於 DMS 系列中，其中 F-RAM + RTC 是用來當作寫入到安全數位 (SD) 卡的緩衝記憶體，而這個 SD 卡會存儲排氣溫度曲線及其它參數資料。
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0 ^) E1 \  f8 j- W& }' _  H# Q" BBlue Planet 首席執行長 Kyung-Woon Kim 表示：“為了提升寫入耐用性及在嚴苛的發動機環境中提升系統整體的可靠性，我們在高級的改裝 DPF 資料記錄器中，選擇採用 F-RAM， 而不是 EEPROM。RTC 和 F-RAM 在 FM3130 上的結合，使得我們能夠減少元件的數量和縮小電路板的空間。”

/ F$ l' `5 m9 ^) fRamtron 技術行銷總監 Craig Taylor 表示：“像 Blue Planet 這樣一家佔有韓國改裝 DPF 約 65%市場的公司選擇了 F-RAM，證明 F-RAM 在嚴苛的汽車環境中確實具有高可靠性。F-RAM 的快速寫入、高耐用性，再加上增強型的 RTC，使其成為這一類嚴苛應用的理想選擇。”

柴油顆粒篩檢程式能清除柴油發動機排氣裝置中的顆粒物質。透過催化化學反應，篩檢程式將捕獲的物質燃燒掉，但實質上是自我的清潔或“再生”。DPF 需要密集的資料記錄，以產生排氣溫度與壓力曲線。該曲線是基於陣列排氣溫度與壓力參數對比的時間記錄，可用來判斷目標設備需要哪種篩檢程式與催化劑：是被動再生篩檢程式或是主動再生篩檢程式。Ramtron 的 F-RAM Processor Companion 所執行的資料記錄必須要夠廣泛，才能有效地表現設備使用環境的各種情況。
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世界各地對柴油發動機排放的顆粒對健康與環境的影響，非常關注。為了因應此一發展趨勢，美國、歐盟、韓國與日本等都已經制定出了柴油發動機的排放限制。到目前為止，世界各地已有 20 多萬台柴油發動機採用 DPF 改裝，而預計到 2010 年，將有約 50 萬台的柴油發動機會進行改裝。

, N, R: ~8 _2 I& F) W關於FM3130與F-RAM Processor Companion

FM3130結合了64Kb F-RAM與RTC，在這個RTC中，它整合了警報器和可編程頻率時鐘輸出，以及常用的12pF時鐘晶振。警報器將使用者編程的警報值與相對應的RTC時間/日期值進行比較，從而為自動開/關、頻道切換、監護控制及個人視頻錄影機 (PVR) 功能提供理想的解決方案。該器件採用工業標準2線匯流排來存取記憶體並控制RTC，其所採用的封裝是與TSSOP8接腳相容的8腳TDFN (薄型雙平面無鉛)，或標準的8腳、150 mil SOIC封裝。工作電壓為2.7至3.6V，可在完整工業溫度範圍 (-40至85度) 內操作。要瞭解更多有關此一產品的資訊，請瀏覽以下網頁：
/ {+ x. ~- y$ Z* w8 zwww.ramtron.com/doc/Products/Non ... sp?ID=113&gr=12。

, J8 Q6 m' r3 [8 X; m( ORamtron 的 Processor Companion 系列是高度整合的 F-RAM 強化系统管理解决方案，可支持幾乎任何以微控制器或微處理器為基礎的設計。該解決方案透過整合非揮發性 F-RAM 和通用類比和數位功能，能夠把分立組件的數目減到最少， 從而開發出材料成本更省和電路板空間更小的單晶片解決方案。
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使用出色的連續補充充電器和標準12.5pF外部晶體RTC  
全新單晶片解決方案能夠降低基於處理器系統的材料成本
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- ^' a* t8 H8 z# c* u全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈升級其FM31x Processor Companion系列，納入更高效的連續補充充電器和僅需標準12.5pF外部時鐘晶振的即時時鐘(RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非揮發性F-RAM記憶體、高速雙線介面及高度集成的支援與外設功能，適用於基於處理器的先進系統。
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Ramtron全新的Processor Companion是單晶片解決方案，可在基於處理器的設計中替代分立元件，以及降低成本並減小電路板空間。在各種計量、消費電子、通信、工業及計算應用，它支援了普遍需要的系統功能。
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1 E, Y$ s# ~3 \' VRamtron技術市務總監Craig Taylor稱：“FM3127x/L27x Processor Companion產品的提升可為客戶帶來所需的各種特性。這些升級包括使用低成本12.5pF晶體RTC以降低總體系統成本。此外，我們還增加了性能卓越的連續補充充電器，通常可在少於三小時內充滿1 Farad超級電容，使得設計人員在需要RTC的高級計量應用、消費產品及許多其他系統中，可以使用電容作為備用電源而毋需任何額外元件。”
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# t. t3 f" v( x8 H" B: J! H1 T關於FM3127x/L27x

這些新型的Processor Companion的F-RAM鐵電記憶體具有NoDelay™寫入功能、幾乎無限的耐用性及低功耗。FM3127x/L27x採用了增強型連續補充充電器、12.5pF外部時鐘晶振、可編程低VDD電壓重定、可編程看門狗計時器、手動復位功能、雙電池供電的事件計數器、可鎖定的電子序號，以及用於預警斷電中斷 (NMI) 的通用比較器等。FM31272、 FM31274、FM31276及 FM31278工作電壓範圍為4.0至5.5V，可在整個工業溫度範圍內 (-40℃至85℃) 工作。FM31L272、FM31L274、FM31L276及FM31L278工作電壓範圍為2.7至3.6V，可在整個工業溫度範圍內 (-40℃至85℃) 工作。
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FM3127x/L27x 的特點：
. `0 x' T. R! @0 u
. Y' M4 k) J( d) u1 j處理器監控器：為主處理器提供兩項基本功能：電源故障情況檢測和防止軟體鎖定情況的看門狗計時器。在電源故障、通電/斷電及軟體鎖定期間，重定引腳 (/RST) 驅動處理器復位輸入。復位引腳還具有開關防反彈功能，以方便手動復位輸入。
" r6 o$ p# P" g預警斷電中斷：由比較器建立NMI，可在VDD電壓低於規格值之前向處理器發出警報。比較器用於建立斷電中斷 (NMI)，這對非揮發性F-RAM保存重要的資料十分重要。
電子序號：提供獨立的記憶體位置來寫入64位元電子序號。它是可寫入的非揮發性記憶體，當電子序號設定後可由用戶鎖定。一旦鎖定後電子序號就不可以改變。
1 ^/ Q% t$ K/ y+ M% Y9 w即時時鐘 (RTC) 操作：保持時間的裝置，能夠由電池或電容支援以實現永久的帶電操作。此RTC具有高精度軟體校準功能，僅需一個12.5pF外部時鐘晶振。
雙事件計數器：為用戶提供兩個16位元電池供電事件計數器，並串聯為一個32位元數目器，具有可編程邊緣檢測 (edge detect) 功能。這種獨特的計數器可用於記錄系統侵入 (篡改事件) 或幾乎所有的其它一般事件。
2 J/ b0 x" U# B, a後備電源：RTC需要持久供電。當主系統出現電源故障時，VDD引腳的電壓將下降。而當VDD低於2.5V時，RTC (及事件計數器) 將切換至VBAK上的備用電源。備用電源可以是電池或電容。
內置連續補充充電器：容許用戶一般在不到三小時內充滿1 Farad電容，並毋需任何外部元件。VBAK引腳可隨意提供連續充電電流。由於資料是非揮發性的，因此即使電容失效資料也不會丟失。
, o' s' d0 P# D0 [3 }0 q
' v7 @, x7 `, o) B( s* G' S記憶體：提供4Kb、16Kb、 64Kb或256Kb的非揮發性F-RAM記憶體。由於F-RAM是以匯流排速度進行讀寫操作，具有無延遲、幾乎無限次的寫入、低功耗及10年資料保存期等特點，能夠取代SRAM系統和其它非揮發性記憶體。
' X, Q. r2 x' U2 s" g- q# B
關於Processor Companion
) h/ M4 Q7 s& T/ T: s4 `
Processor Companion是高度集成的F-RAM增強型系統管理解決方案，可以支援幾乎任何基於處理器的設計。與分立元件方案相比，該解決方案能通過整合非揮發性F-RAM改善系統的功能、創建能顯著節省材料成本和減小電路板空間的單晶片解決方案。
" E6 L% z4 k6 }  u3 Q, o
: e2 S5 u# G" X/ Y( w供貨
FM3127x 和 FM31L27x的樣品現已提供，採用符合RoHS標準的14腳SOIC封裝。

chip123

Ramtron推出具有嵌入式32 KHz晶振的64kb F-RAM增強型Processor Companion產品
全新的單晶片方案可以節省材料成本及消除晶體接腳的疲勞， 適用於計量及其他時間戳記應用
+ w1 |4 s( @+ e0 _- r
- h) w2 s8 i' R8 K/ S7 \7 H全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出64Kb、3V的Processor Companion產品FM3135，它結合了非揮發性F-RAM記憶體與增強型即時時鐘/日曆 (RTC) 及整合式32kHz時鐘晶振之優點。
) g5 _% t- P& |& Z0 b- T/ Y
Ramtron應用和技術支援總監Craig Taylor解釋指出：「最常用及成本最低的晶振是一種穿孔 (through-hole) 元件，內嵌晶振能夠降低材料成本，省去插入和焊接穿孔晶振 (通常由手工完成) 的繁瑣步驟，並排除掉了裝配與處理期間晶振接腳出現疲勞的可能性。」
0 e0 |+ L( n/ C3 T2 ?$ H
& m! t4 D2 d9 h. l  Z' jFM3135設計用於計量、消逝時間 (elapsed time) 監控器、所用時間的記錄及其他要求時間戳記的數據存儲應用。F-RAM的高耐用性和快速寫入等特點，再加上RTC，讓它成為時間記錄事件系統的理想選擇。
  B; O/ J9 Y6 ?/ A' J$ W
關於FM3135
% p+ m' \7 \4 H( S2 K
FM3135將64Kb F-RAM與整合了警報器和可編程頻率時鐘輸出的RTC相結合，該警報器將使用者編程的警報值 (alarm value) 與相對應的RTC時間/日期值進行比較，為具有自動開/關、頻道切換、上層控制和個人視訊錄影機 (PVR) 功\能的高階電視等應用，建構了理想的解決方案。利用業界標準的2線匯流排來存取記憶體和控制RTC。FM3135採用20隻接腳的SOIC封裝，工作電壓範圍為2.7至3.6V，可在整個工業溫度範圍內 (-40至 +85℃) 工作。要瞭解更多的產品資訊，請訪問網頁：www.ramtron.com/doc/Products/Non ... sp?ID=136&gr=12。
' \5 p/ C$ C5 i/ K  Z" F& b3 Z. h
FM3135的特點：

! n$ z/ N6 Y# [- K嵌入式的32 kHz時鐘晶振 – 此一持點可以讓設計人員實現晶振的表面黏著，消除了裝配操作期間晶振接腳出現疲勞的可能性，而不需要進行晶振的採購和存貨管理。

1 c7 J+ V" y7 M4 `' ~9 Z/ [8Kx8 F-RAM – 真正的64 kb非揮發性RAM (不需要電池)。F-RAM記憶體技術可以替代SRAM、EEPROM、快閃記憶體或其他非揮發性記憶體，因為F-RAM是以匯流排的速度來進行讀寫的操作，因而具有無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎不限次數的讀/寫週期及低功\耗等特點
( `! J! p/ Z' k6 s& S8 i; w
即時時鐘 (RTC)  – 可由電池或電容支持的計時器件，以實現永久的帶電操作。它提供可實現高精度的軟件校正特性、報警和可編程頻率的時鐘輸出。
/ ^3 O3 W: J4 A
備份電源 – 可以為即時時鐘/日曆進行永久供電。當主系統電源出現故障時，VDD接腳上的電壓就會降低。當VDD低於2.5V時，RTC 將切換至VBAK上的備份電源。備份電源可以是電池或電容。
5 a1 G% W& V3 R% n; l
, i( y  Z. \3 B; J, l0 d涓流充電功\能 – 便於電容備份供電。VBAK接腳可以選擇性地提供慢速充電電流。數據是非揮發性的，所以即使電容失效時數據也不會遺失。

chip123

高密度F-RAM採用微型封裝，具有更大的數據收集能力，可替代要求低功耗的小型系統中之快閃記憶體

, T5 R* m1 [9 S" K. P9 I' {世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation推出業界首款2百萬位元 (Mb)、採用8腳TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封裝的串列F-RAM記憶體。FM25H20 以先進的130納米 (nm) CMOS製程生產，是高密度的非揮發性F-RAM記憶體，以低功耗操作，並且具有高速串列周邊介面 (SPI)。這款3V、2Mb串列F-RAM器件可以最大的匯流排速度寫入，具有幾乎沒有限制的耐用性，更大的資料收集能力，及採用微型封裝，這些使得系統設計人員能夠在計量和印表機等高級應用中減少成本和板卡空間。

FM25H20是低功耗和最小板卡空間精密電子系統中串列快閃記憶體的理想替代產品。這些應用包括便攜式醫療設備如助聽器等，實際上，它們是微型數據處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與快閃記憶體相比，F-RAM的優勢包括可以大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比快閃記憶體高出多個數量級。
* Q9 _, O+ _$ Z* ?" d/ T9 o$ [
3 C" p+ Q; q0 a: X/ T. nRamtron 策略市場拓展經理 Duncan Bennett 表示：「對於那些需要在其新一代應用中提高數據收集能力，卻不想增加板卡空間的計量和印表機客戶而言，這款 2Mb 串列 F-RAM 是自然的產品延伸。FM25H20 在佔位面積一樣小的情況下，為 50 萬位元串列 F-RAM 客戶提供高達四倍的存儲能力。除提升現有系統外，這種技術的發展還推動 F-RAM 得以進入多個需要低功耗記憶體而空間嚴重受限的新興市場，如便攜式醫療設備等。」
1 c- b3 U% }" _: ?  d, o$ J
$ x! X1 y; ?+ Z2 I1 w$ R0 C: P產品特點

, ]) B2 G& g/ A9 z9 A" zFM25H20是採256K x 8位元安排的非揮發性記憶體，以高達40MHz的匯流排速度進行讀寫操作，具有幾乎沒有限制的耐用性、10年的數據保存能力，以及低工作電流。該器件具有工業標準的SPI介面，優化了F-RAM的高速寫入能力。FM25H20還具有軟件和硬件防寫入功能，能避免意外的寫入與數據損壞。

這款2Mb串列F-RAM以低功耗工作，在40MHz下讀/寫操作的耗電低於10mA，待機狀態下耗電為80µA (典型值)，超低電流睡眠模式下耗電為3µA (典型值)。FM25H20與同效的串列快閃記憶體器件接腳相容，並且具備快速存取、高耐用性和低工作電流等特性，比快閃記憶體更有優勢。該器件在整個工業溫度範圍內 (-40℃ 至+85℃) 、在2.7至3.6V電壓下工作。要瞭解有關FM25H20更詳細的資訊，請訪問網站：www.ramtron.com/products/nonvola ... product.aspx?id=100。

1 F: I. _0 B- L9 t; e6 s7 U9 q關於先進的130納米製程
+ d9 U! @9 G! ?+ D& y7 `7 B
FM25H20以德州儀器已被驗證過的130納米 (nm) CMOS製造製程為基礎。在標準CMOS 130 nm邏輯製程內嵌入非揮發性F-RAM模組，僅使用了兩個額外的光罩步驟。

供貨

+ z* W( r% q# ZFM25H20的樣品已在供應中，並採用符合RoHS要求的8腳TDFN封裝，與8腳SOIC封裝器件的佔位面積相當。

heavy91

Ramtron推出首款帶有整合F-RAM記憶體的事件資料記錄器
) ?; g8 s% G6 z- L8 O
FM6124為數位式事件監控提供單晶片的解決方案，是工業控制、醫療和計量市場的理想選擇


世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出半導體業界首款基於F-RAM的事件資料記錄器 (Event Data Recorder，EDR) -- FM6124，這是一款整合式的事件監控解決方案，能夠對狀態的變化進行連續性的監控，將資料儲存在F-RAM中，並可以對系統發出有關變化的警報。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似，具有簡單的器件設置和資料檢索功能，以便於系統的整合和縮短設計週期。

% b, F7 J+ \! E% F. w+ D, @+ x* m5 lRamtron策略市場拓展經理李鴻鈞表示：“FM6124是我們第一款的EDR產品，也是後續所推出專用產品系列的基礎，其獨特之處是在於它在單一的封裝中提供了數位式事件監控。該器件可由Ramtron進行定制，以監控除邊緣探測信號　(edge-detected signal) 以外的輸入。例如可預設最大或者最小脈寬的脈衝寬度監控，以及進行頻率監控。”

FM6124是針對工業控制、醫療和計量等廣泛的工業應用而設計的。EDR能夠實現許多的應用，包括行動/設備/環境監控、檢修時間安排、動力系統管理、汽車/工業自動事件記錄、車輛/行人流量記錄和監視系統等。

FM6124簡介

FM6124備有用於儲存事件記錄的32KB F-RAM記憶體，有高達24KB的 F-RAM可以配置，以用來儲存事件/使用者資料。晶片上帶有日曆的即時時鐘 (RTC) 可啟動事件的時間戳記 (time stamping)，並作為系統的時鐘和日曆。RTC有助於對所截取到的資料 (captured data) 進一步進行分析，以便讓系統用來產生設備故障或請求維護的警報。

這款EDR產品包含12個數位式輸入，可以單獨進行配置，在上升或下降沿觸發事件記錄。FM6124的F-RAM記憶體最多可以儲存4,000個事件記錄，具有I2C介面，能夠支援高達100kbps的通信速率。I2C介面可以讓FM6124晶片靈活的放置，即遠離主系統並靠近正在監控的設備和/或感測器。而同一個I2C匯流排可由最多達四個的FM6124共用。
( r' K  J: t; C6 U0 {1 L
, c8 n" z7 q2 _- G. O. YFM6124的其他功能包括：一個16位元的電池供電事件計數器輸入、一個早期電源故障監控輸入，以及一個使用者可編程的64位元序列號。FM6124在整個工業溫度範圍內 (-40 至 +85℃) 於3.0至3.6V電壓下工作，並且採用 44腳的 QFP封裝。要瞭解產品全部資訊，請訪問公司網站：www.ramtron.com/go/EDR。
4 O3 c( D& I- _  s
+ I# @+ l1 r, B; `. Y: }7 gFM6124特點：
: ?& ~3 T3 t/ h
記憶體容量：用於記錄事件/使用者資料的32 KB F-RAM
$ I( ^( E. g9 r% C& Q6 n' B( R7 B電源：3.0V – 3.6V
通信介面：I2C (高達100kbps)
輸入：12個數位式事件輸入
記錄捕獲：最多達4,000個事件記錄
* Y. a" M7 J" M/ `* u即時時鐘：RTC/日曆，提供事件的時間戳記
周邊：早期電源故障警報、16位元非揮發性事件計數器、可編程的64位元序列號

0 d( m# A! O) i( W7 l8 N供貨
FM6124的樣品現已在供應中，採用符合RoHS標準的44腳QFP封裝。

jiming

Ramtron International推出新款的200萬位元(Mb)、採用8腳TDFN(5.0 x 6.0 mm)封裝的串列F-RAM。FM25H20以先進130奈米(nm)CMOS製程生產，是一款高密度的非揮發性F-RAM，以低功耗操作，並且具有高速串列周邊介面(SPI)。這款3V、2Mb串列F-RAM器件可以最大的匯流排速度寫入，具有幾乎沒有限制的耐用性，更大的資料收集能力，及採用微型封裝，這些使得系統設計人員能夠在計量和印表機等高級應用中減少成本和板卡空間。
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FM25H20是低功耗和最小板卡空間精密電子系統中串列快閃記憶體的理想替代產品。這些應用包括可攜式醫療設備如助聽器等，實際上，它們是微型資料處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與快閃記憶體相比，F-RAM的優勢包括可以大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比快閃記憶體高出多個數量級。
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chip123

在安全、防爆的產品中使用F-RAM替代EEPROM，可使寫入速度更快、功耗更低
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: @  a# F4 e. L- Y# P$ x# _- O7 m全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (FRAM) 和集成半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation 宣佈，中國領先的壓力傳送器與電磁流量計供應商上海威爾泰工業自動化股份有限公司已將 Ramtron 的 FM25L16 16Kb 串列 F-RAM 記憶體設計用於其 2000S 安全壓力傳送器中。F-RAM 已替代了 EEPROM，用於上海威爾泰全新固有安全的防爆傳送器。
* C1 j/ a1 h& {( V( u, }
隨著今天的製程控制應用日益複雜，如在化工、製藥、電力、水處理和食品加工等行業，智慧壓力傳送器已變得越來越流行。2000S 壓力傳送器具有多項先進的功能，包括雙向通信、遙控校正及自我診斷。這些功能可實現更高的精準度、可靠性，以及更先進的通信協議，從而減少啟動和維護的時間、工作量及成本。

2 j  D) e5 X; T" F; }2000S 產品將傳感技術與智慧電子結合在單一封裝中，而非揮發性 F-RAM 記憶體具備快速寫入、高耐用性及低功耗特點，是這種先進設計必不可少的元件。在 2000S 中，F-RAM 存儲各種配置參數，如傳送器範圍、信號類型、流體特性等，並在斷電時保存這些資料，使得傳送器在電源恢復後可即時投入使用。F-RAM 還可存儲 2000S 自動化自校正例行程式的校正/補償資料，並執行事件與資料記錄，讓系統可以使用這些記錄來診斷是否需要維護。
- i4 a# b9 J5 |& u6 o
上海威爾泰研發工程師解釋道：“我們在安全的智慧 2000S 壓力傳送器中使用 F-RAM 代替 EEPROM，能加快寫入速度、提高耐用性，並提升總體安全性以防止潛在的爆炸。我們首款2000S 設計採用了 EEPROM，但卻不能通過功\耗測試，因為 2000S 的總體工作電流小於 3.6mA。F-RAM 的功\耗低特性能實現固有安全性，其快速寫入速度更減少了可變性，以及降低新型智慧壓力傳送器中微處理器 (MPU) 的成本開銷。”

6 p- [) I  \! X/ ^: A9 s. Z3 EF-RAM 替代 EEPROM
4 A* p1 W6 S8 P; b固有安全性：2000S是“固有安全性”的設備，這是指其設計可避免釋放能量導致易燃材料起火和爆炸。因此，它需要工作電流非常低的記憶體，如 F-RAM。
減少可變性：F-RAM 的快速寫入對減少計算過程測量資料的可變性必不可少，這可對自我診斷帶來更準確的測量資料、更多的系統控制能力及更高的盈利。
2 T+ C9 P+ b3 K( v降低 MPU 開銷：2000S 包括用於複雜計算的 MPU。由於智慧型壓力傳送器應用的處理量越來越密集，F-RAM 的快速寫入優勢可以降低 MPU 的成本開銷。

6 i2 {; b/ L2 g  G' L/ A關於 FM25L16 F-RAM
F-RAM 記憶體提供與 RAM 技術相同的功能，但卻是非揮發性的。它提供“無延遲” (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的寫入耐用性 (寫入次數大約為 1e14)，以及低功耗。FM25L16 是帶有行業標準串列外設介面 (SPI) 的 16Kb F-RAM 記憶體，可以在高達 18 MHz 的總線速度及低工作電流下連續進行讀寫操作。而同級 EEPROM 器件的寫入延遲長，備有寫入輪詢軟體，耐用性低於 100 萬次寫入，且在較高功率下工作。FM25L16 採用無鉛的 8 腳 SOIC 和 DFN 封裝，在工業溫度範圍內工作電壓為 3V。
; D7 N; B' R6 o& Z
關於上海威爾泰自動化有限公司
上海威爾泰工業自動化股份有限公司的主營業務是製造和銷售工業自動化設備與儀器。其他業務包括設計、承包和開發自動化項目及提供相關的技術服務。主要產品有MV2000T、WT3000、2000S、WT1151S及核安全級2000SN與MV2000TN系列壓力傳送器、XE、XEM和WT4300E系列電磁流量計及工業自動化系統。上海威爾泰工業自動化股份有限公司成立於1992年，是紫江集團的下屬公司，擁有250多名員工，是中國排名前三位的壓力傳送器與電磁流量計供應商。該公司是ABB公司在中國的壓力傳送器與電磁流量計產品的ODM合作夥伴。

jiming

美商力登(Raritan)亞太地區台灣營運總部日前對外宣佈，其KIRA 100系統晶片產品，將交由台灣Power IC代理商敏茜(A&A)銷售。從2008年7月開始，敏茜即展開KIRA 100產品線技術支援服務，以新經銷營運擔任分銷、市場推廣、物流、資金服務平臺角色，協助Raritan開拓硬體平台市場。
- K3 F6 r- Z' T6 d- H6 T
KIRA 100系統晶片擁有先進視訊技術，可支援虛擬媒體，並提供安全TCP/IP存取和監控能力，也是業界標準子卡和KVM-Over-IP單晶片解決方案。Raritan期望透過敏茜一群資深IC設計，及相關技術支援暨產品開發部門，能協助KIRA 100產品規劃及推廣相關技術，擴大市場佔有率。
" q0 b. j& Y2 V( }+ V
敏茜總經理張雪蘭表示，敏茜有信心將KIRA 100，推薦給伺服器OEM廠商、主板生產商、系統商，及其他硬體供應商等。力登電腦亞太區總經理謝萬來也說，敏茜對KIRA100事業版圖，及通路計劃都作了詳細規劃，相信會是一個雙贏的合作。

chip123

其陽科技選擇Ramtron的4百萬位元 F-RAM記憶體 用於先進的以工業PC為基礎的遊戲機解決方案
F-RAM替代電池供電的SRAM，確保數據的完整性並減少元件數量
" {) G) L3 z3 v
7 x9 w% m, P. K' ?( a全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation宣布台灣領先的應用工業計算平台製造商其陽科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel為基礎的 GA-2000 及以AMD 為基礎的 GA-3000遊戲和高解析度多媒體PC電路板中，設計使用Ramtron的FM22L16  4百萬位元 (Mb) F-RAM非揮發性記憶體。4Mb F-RAM具有快速寫入、高耐用性和低功耗特點，可在其陽科技的遊戲機解決方案中替代電池供電的SRAM (BBSRAM)，以確保數據的完整性，並能同時減少元件數量和機械接觸以及提高可靠性和安全性。

2 O) Y3 ^: |' @! d* b娛樂場越來越多地使用先進的電子遊戲機解決方案來代替傳統的老虎機和桌面遊戲，這些方案能夠提供高性能的運算、圖形技術和嵌入式安全功能，以保護系統的完整性和防止黑客攻擊。除了電子遊戲外，娛樂行業正採用電子技術提供即時的玩家追蹤、監視、安全、數據分析和計算功能。現在，可降低運營成本、提高盈利能力及簡化產品開發的電子遊戲，佔娛樂場收益的70% 到80%。
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其陽科技項目經理Ken Huang解釋道：「我們已在GA-2000和GA-3000設計中使用F-RAM替代BBSRAM，F-RAM是業界廣泛認可用於娛樂場視頻遊戲工業PC設計的首選記憶體。」
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今天的娛樂場是以嵌入式、基於伺服器的系統網絡為基礎，這些系統能夠相互無縫通信，從遊戲裝置及其外設，到追蹤玩家活動的主機系統，以至讓玩家兌現的交易和服務站。每台伺服器能夠在一個娛樂場或多個地點控制網絡，提供軟件更新、編排維護或更改遊戲組合。GA-2000 和GA-3000符合Gaming Standards Association (GSA) 標準，滿足先進的通信標準，並提供能評測多種遊戲和娛樂設備應用的電腦平台。
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GA-2000/3000是功能齊全的集成式電路板，內含CPU、系統記憶體、F-RAM、固態磁碟記憶體、I/O功能及音訊放大器，可讓遊戲或娛樂設備提供出色的2D/3D圖形性能，而且耗電少。低功耗F-RAM記憶體作為GA-2000/3000統一的記憶體，提供緩衝遊戲設置、系統狀態、交易及勝負記錄等功能。F-RAM的快速寫入和高耐用性對於可配置參數的連續儲存必不可少，這些參數包括娛樂活動、幾率、交易及獲勝記錄等，並且可在停電後恢復數據。F-RAM還可儲存安全參數，如邏輯區域或現金門的訪問次數，以便讓娛樂場監視和記錄事件，從而識別未經授權的設備訪問。

jiming

Ramtron任命劉勝強擔任亞太區區域銷售總監
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世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈已任命劉勝強擔任亞太區的區域銷售總監。劉勝強駐於新加坡，將負責推動Ramtron在亞太地區的業務增長，其職責包括進一步加強公司現有的銷售架構，並通過銷售管道策略以提升市場份額，以及增強Ramtron獨特的F-RAM產品系列的市場滲透力。

劉勝強乃接替徐夢嵐擔任此職，而徐夢嵐現轉任Ramtron的全球市場拓展總監，將統領公司的全球市場拓展團隊，全面負責產品線的市場推廣，以及應用和技術支援業務。
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Ramtron市場拓展和銷售資深副總裁Michael Hollabaugh稱：「我們非常歡迎劉勝強加入Ramtron的團隊，劉勝強在建立成功團隊和推動新市場增長方面擁有公認出色的業績記錄，這對於我們繼續在亞太地區擴展銷售和市場份額極具價值。」
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: ?6 S4 X& Z# {劉勝強在加入Ramtron之前原在快捷半導體公司工作，並擔任銷售管理職務逾10年。1997年，劉勝強在快捷半導體出任地區銷售經理，其後擢升為南亞區銷售總監，專責管理一支年銷售額超過1.5億美元的團隊。在進入快捷半導體工作之前，劉勝強曾在國家半導體和Lite-on公司的亞太區機構擔任多個資深銷售和市場拓展職位。
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; s: {1 S- G$ h4 I' `! R: [  X( Y劉勝強持有新加坡南洋理工大學頒發的電腦工程理學士學位。

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Ramtron推出速度更快及功率更靈活的1 Mb並行F-RAM

Ramtron全新高速F-RAM系列之首款並行器件

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( Z3 R# H( m! H! T2 n: Z! q# |全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出全新並行和串列F-RAM系列中的首款並行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品中的最新器件FM28V100，是1百萬位元
(Mb)、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM，採用32腳TSOP-I封裝，具備快速訪問、無延遲
4 D$ C+ U' X5 l8 F" u6 p1 L(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性。FM28V100是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲、電腦及其他應用領域中，由1Mb電池支援SRAM記憶體升級的理想產品。
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$ Z; z# c1 a" T. i) cRamtron市場拓展經理Duncan Bennett解釋道：“FM28V100為Ramtron二進位寬產品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代產品，為希望在系統中省去電池或外部電容器的電池支援SRAM或NVSRAM用戶提供了簡便的升級途徑。”


關於FM28V100
, z: U: p6 B. u1 ~# s$ N; S: j3 [FM28V100是128K x 8非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM)，讀寫操作與標準SRAM相似，並可在掉電後保存資料。FM28V100提供超過10年的資料保存，能夠消除來自電池支援SRAM (BBSRAM) 的可靠性、功能缺點及設計複雜性問題。從系統中去除電池，可讓系統在更寬容的工作溫度範圍運作，而且有利於環保。F-RAM具有快速寫入和幾乎無限的寫入耐用性，比其他類型的記憶體更加優勝。

FM28V100的系統內運作與其他RAM器件相似，可用作標準SRAM的普適型
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替代產品。通過轉換晶片引腳或簡單地改變位址，即可觸發讀/寫迴圈。F-RAM記憶體採用獨特的鐵電儲存製程，因而具有非揮發性，適用於需要頻繁或快速寫操作的非揮發性記憶體應用。FM28V100可在-40°C至+85°C的整個工業溫度範圍工作。
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關於F-RAM V系列
& V" S* c4 v1 M7 q4 m. O  q. vRamtron的V系列F-RAM產品採用Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產製程製造，可實現器件的性能提升，當中包括：

6 O' k3 J3 W, c8 \* A( Y升級的記憶體性能：通過推出FM28V100，將1Mb並行記憶體的週期時間從150ns減少至90ns，較Ramtron現有的1Mb並行F-RAM記憶體提升60%。與Ramtron現有的串列F-RAM產品相比，SPI和I2C串列V系列F-RAM產品的讀/寫性能提升了二至三倍。
% {/ l; i* B, E% q+ S更低、更寬泛的工作電壓範圍：由德州儀器採用130ns F-RAM生產製程所帶來的技術進步，F-RAM V系列現提供將F-RAM工作電壓調低至2.0V的彈性，讓F-RAM可在更多的電子系統中以原有的工作電壓運作。
寫入保護特性：並行F-RAM V系列產品具有軟體控制的寫入保護功能，其記憶體陣列分為8個相同的模組，每個模組可在軟體控制下各自實現寫入保護，而無需更改硬體或引腳輸出(pin-out)。
5 B- @/ t7 D) i5 y0 }器件ID：V系列中的串列F-RAM產品具有一個24位元器件ID，這是Ramtron產品所獨有的，以防止產品出現偽造。
+ [( E3 V' b" k獨特的序號：V系列中的串列F-RAM產品採用64位元的序號訂購，由一個16位元客戶ID、40位元獨特代碼，以及需要獨特的電子編號的8位元迴圈冗餘碼系統校驗所組成。
% M* V0 p0 c) v; h+ S4 w可定制的重置電壓：V系列串列F-RAM備有多種重置電壓，從2.14V至3.09V。
供貨Ramtron現提供符合RoHS標準的32腳TSOP-I封裝FM28V100，查詢價格詳情，請與Ramtron聯繫。

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Ramtron全新高速 F-RAM系列推出第二款串列器件

全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出全新F-RAM系列產品中的第二款串列器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串列週邊介面 (SPI) 的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、1E14讀/寫次數和低功耗。FM25V05是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲、電腦及其他應用領域的串列快閃記憶體和串列EEPROM記憶體的理想替代產品。除512Kb的FM25V05之外，Ramtron較早前也已宣佈推出1 Mb的FM25V10產品。
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3 K2 B( ^6 H6 j$ |/ ?! xRamtron市場拓展經理Duncan Bennett解釋道：“FM25V05為客戶提供另一種密度選擇，加上Ramtron V系列F-RAM產品較低工作電壓和集成功能的特性。Ramtron已計畫在V系列中推出其他器件，為客戶系統提供廣泛的介面和密度選擇。”

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BGA封裝減少記憶體占位面積75%以上

全球領先的非易失性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈提供採用最新FBGA 封裝的4百萬位元 (Mb) F-RAM記憶體。FM22LD16 是採用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 並口非易失性FRAM，具有高存取速度、幾乎無限的讀/寫次數以及低功耗等優點。FM22LD16 與非同步靜態 RAM (SRAM) 在管腳上相容，並適用於工業控制系統如機器人、網路和資料存儲應用、多功能印表機、自動導航系統，以及許多以SRAM為基礎的系統設計。此外，Ramtron 亦提供採用44 腳 TSOP封裝的4Mb並口F-RAM產品。

Ramtron 市場拓展經理Duncan Bennett解釋道：“FM22LD16 可讓系統設計人員以相同的占位面積提供多四倍的 F-RAM 容量，這種新型 4Mb FBGA封裝選擇對於電路板空間受限的 RAID 控制器和工業 PC製造商別具吸引力。而 FM22LD16 無需電池，和具有更小的記憶體占位面積，是市場上空間效率最高的非易失性RAM產品。

! z1 ~/ p  S) _產品特點
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' X( d! p3 T5 x; }9 ]7 WFM22LD16 是256K×16 的非易失性記憶體，採用工業標準平行介面實現存取，存取的時間為55ns，而週期為110ns。該器件以 “無延遲” (No Delay) 寫入的總線速度進行讀寫操作，耐久性至少為1E14 (100萬億) 次寫入並提供10年的資料保存能力。
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7 j- w( m  F8 A3 @! w" D, A這種4Mb FRAM 是標準非同步 SRAM 完全替代器件，但其性能卻優越很多，因為它在進行資料備份時不需電池，而且還具有單個晶片方式的固有高可靠性。FM22LD16是真正的表面安裝解決方案，與電池供電的SRAM不同，它無需電池連接的返工步驟，而且具有很高的耐潮濕、抗衝擊和振動特性。
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7 k- l( Q3 r1 `' {# v另外，FM22LD16 備有便於與現今高性能微處理器相連的介面，兼具高速頁面模式，能以高達40MHz的速度進行4位元組 Burst讀/寫操作，這比其它非易失性記憶體的總線速度高出很多。該器件的工作電流更低於類似密度的其它非易失性記憶體，讀/寫操作時為8mA，而在待機模式下僅為90µA。FM22LD16在整個工業溫度範圍內 (-40℃至+85℃) 於2.7V至3.6V電壓工作。

- G8 l( i3 i6 |+ W1 t價格和供貨
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Ramtron  現已提供FM22LD16的工程樣件，採用符合RoHS要求的48腳BGA封裝，小批量訂購的起價為23美元。