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[問題求助] IC ESD 相關問題請教

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1#
發表於 2007-11-27 16:35:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是?反正只要驗證 OK,先以縮小面積為考量,是這樣嗎?) F* f2 V& Z. X' T
- [. S- j- c# q6 B1 Z, T
2. 假設發生 ESD 問題了,找到亮點了,傷到內部電路,也層層剝下去觀察,知道 damage 在哪個 device 了,如果它是 design issue,接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢?尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下,有什麼大方向可先行檢查一遍嗎? (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)
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2#
發表於 2007-12-10 14:13:31 | 只看該作者
1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍,這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料,就可以知道其耐受度。' X3 Y/ q7 w" |
2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。

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cuban487 + 5 Good answer!

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3#
發表於 2007-12-10 21:30:36 | 只看該作者
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
4#
發表於 2008-7-25 16:35:48 | 只看該作者
Foundry 的 ESD rule 通常都大,- `9 i; G8 Z/ _9 F2 W  f; Y3 h1 k- \
design by yourself is better
5#
發表於 2008-9-8 23:04:21 | 只看該作者
IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎?
5 v5 P  o* O; C6 w% o$ O如果有的話,Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接?% [: f+ ]! P, {4 |
是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護?, d. _# c8 w1 t) C" C6 C
如果都沒有,死在裡面也不是什麼很奇怪的事。3 E% Y5 O, F. W) A

7 p" O8 {1 C& _/ i不過,如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔),. ?+ v/ a- }8 G. G$ e
可以把問題丟給他們,確認是Foundry的話,甚至可以談賠償,
  v1 z" i/ C5 e) U8 m' y6 D5 \不過,通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。
6#
發表於 2008-9-24 23:37:55 | 只看該作者
原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表
6 z, I2 q; a; H2 ~. y' H( q根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
. K) w0 U+ Z5 }6 V" P

  O3 _$ }9 G8 C6 ^. J/ r- j) M: u' h/ _# X: I' a
請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?
7#
發表於 2008-9-24 23:42:18 | 只看該作者
我也覺得常遇到的case都是死在內部電路7 W7 Z" o1 E7 `# C8 v/ |1 w) f
想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那
" n) q- V# C1 U0 s我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.
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