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提供一個之前用的方法, ) p) E5 o9 [: g, X/ M
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
& W) A1 F% N3 m. t/ P$ W0 c+ V在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
2 S7 {& j% }* U `" jVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値. O9 w; i, i; e3 B5 V4 a( u
; Q2 n; B1 c+ o/ o$ J4 P! F$ k由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)/ }2 `, H3 C1 f) R) r' k7 h
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
2 m3 }% E! J: W由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)' C, I( g4 D' u& v
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)/ }$ h" [1 x2 j2 m
; r8 p; `4 q: G6 Q$ f# X, F將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
3 @; c: H1 V+ vKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]' ]$ K* V+ W+ t$ a8 t# ~! Z- ?
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
. b9 b/ y* W' U9 V& ~9 L
. K6 \/ z6 @, U0 m% d: s6 t之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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