DRC所出現的問題？

shihchia

1、ｐ0.R.1 (@Min poly area coverage <14%
% z. L' Y( u; \4 l% L" `" xDENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14
" D( X; H' O% }poly_DENSITY.log: 0.6 6.3 65.35 28.1  0.0940808

1 e  [4 q! h; S" U$ \* a  G8 w2、M1.R.1 {@ Min M1 area coverage <30%
DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3
4 {5 E# C0 v% F: yM1_DENSITY.log: 2.95 4.75 67.15 30.25  0.250681
: v/ k% [5 }" G/ u! o8 _
3、M２.R.1 {@ Min M1 area coverage <30%
DENSITY M２I INSIDE OF EXTENT < 0.3
2 i6 \8 ?9 g- E: YM2_DENSITY.log: 3.7 7.2 68.4 26.3  0.0331737


8 K+ w) ^, S: L  f0 _& P最近在layout全加器，在DRC時，遇到的這三個錯誤訊息
: Q/ ~) D: [* u4 i: r大家幫幫忙，一起替我解決一下唄
' v3 U5 K6 |4 P8 i' `- F7 v$ |9 a; s" s謝謝啦！！！

小朱仔

這三個錯誤只要多補 poly metal1 metal2 dummy就可以解決了
像ploy gate要14% 但你只有9% 所以還要在努力加很多dummy poly這樣就可以過了
其餘依此類推,製程廠會要求density要夠是因為怕密度不足會造成Top Layer過重壓誇下層所以建議還是補滿

sw5722

像我們通常在小block時,這個問題會視為"假錯",
等到上層整合時,再一次補齊.
高密度是可以增加良率的.

cjchao

非 chip-level 時，可視這個問題為"假錯"，不需解。

motofatfat

通常在小block時,這個問題會忽略,
等到最上層整合時,再一次補齊
或是框出不補ㄉ地方後,通常是類比或重要ㄉ地方
讓光罩公司去補

u9513349

area coverage <14%

area coverage <30%
( q/ C$ k& ]+ M8 x
在drc來講是正常的(那是當作業,非下線)

如果要下線的話,就要補滿ｍｅｔａｌ　和　ｃｏｎｔａｃｔ