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[問題求助] latch-up

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1#
發表於 2007-11-12 23:30:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
可以請問一下何謂latch-up嗎   聽過很多人的解釋 翻過很多的書籍 但都解釋的太深了   還是不很了解   可以請問各位厲害的大大前輩們" b8 Q, _6 Q1 s5 h+ i' ?( I
可以用白話一點的方式解釋一下嗎    感激你們喔  
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2#
發表於 2007-11-13 08:44:14 | 只看該作者
你可以看看謝永瑞寫的vlsi概論 這本繁體書的介紹吧@@9 S4 N7 b% D$ v8 \) Q9 M% F& V% k* G
最簡單的一句話就是:探討vdd與vss短路的現象!: w& O0 U# e& |. v6 [5 |: G
因為電路裡面因寄生電阻而產生寄生電路,而從寄生電路中可發現若寄生電阻越大將會使得vdd與vss之間的2棵TTL電晶體導通電流越大,於是當非常大時 vdd到vss之間已形同短路,這時就稱為latch-up  。
- C9 t# p+ f& J( @5 E書上有畫它的寄生電路給你看,你看了就懂了!( H- ?- r9 c4 G; r) C0 z- N
而為了降低此現象發生的可能性,則是想辦法降低其寄生電阻,書上就有提到佈局中用5種以上方法的介紹!
. X2 V  |9 Q7 q# `
; ]  f2 }* s, @/ @2 G5 Q不過我很好奇的是,不管是什麼現象問題  ,最後不是只要看post-sim波形好不好 就行了?1 V, |$ Q( B  H- ?3 K$ ^
如果發生latch-up或其它初學者所不知的現象,我想跑post-sim時波形應該就會明顯的有問題才對!  所以畫 layout就是要想辦法把post-sim給跑的好就較不用懷疑會不會還產生什麼現象,只是畫很大電路時   這layout技巧 就是最主要的學問了...0 a# ?+ V( V- R  H4 r
以上是小妹個人 看法,如有誤 請幫忙糾正 謝謝><, Q6 d/ u' n: M/ j3 ]3 k) M
- Q# f- Q4 O+ J. Q( T1 {( U
另外像latch-up現象若發生,但你跑drc、lvs應該就不可能過了阿@@2 ~% ^$ f; @3 W9 L
( A  r4 K5 I4 r
[ 本帖最後由 君婷 於 2007-11-13 08:47 AM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2007-11-14 01:25:46 | 只看該作者

latch-up

很感謝你的回答,你說的那本書我有,可能真的太理論了,看不是很懂,還是謝謝妳唷
4#
發表於 2007-11-14 08:28:05 | 只看該作者
參考這篇試試看唷!!
% c/ l* k; r% C: r' e( A4 v4 g( ELatchUp成因以及解決方式' z+ Z( [1 \) ]4 r% i
http://www.chip123.com/phpBB/vie ... &extra=page%3D1
5#
發表於 2007-11-18 06:19:53 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

一般而言latch up與DRC及LVS無直接的關係,DRC只是check 製程的可行性(除了有部分大公司提供已驗證latch up的rules),LVS是驗證電路用的。9 Z  S7 V: T; ~8 N( M; W3 K
, t& O, \( X; X1 `) k
一般latch up是不小心和出來的,即使是有多年經驗亦不容易察覺。/ q2 x" Q% W" W" Y

, `5 ~4 }( `/ Q8 l( p[ 本帖最後由 m851055 於 2007-11-18 06:28 AM 編輯 ]
6#
發表於 2007-12-14 13:51:55 | 只看該作者
latch up如果單以LAYOUT的角度來看的話..
$ n. C0 S0 h# e9 D$ O  c其實要注意的事項就簡單多(我是這樣認為...至少我所接觸過的產品 ANALOG )
! n/ ~) p# C% ]# k- g大致上..注意是指..BULK上面的CON. 到 MOS OD上的CON.的距離..不要太長
8 o2 L& f+ {* y5 L/ ?; h要在DRC的RULE裡面, V+ t3 p- m* T
以TSMC025以下到TSMC015..沒記錯了話應該是15UM
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