op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
4 \8 L, d. V& r8 _6 ~也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過

3 M8 ?% M9 P- T( z0 b依然還是一樣的錯誤訊息！
2 o; ^8 Y$ Q2 @6 w8 k
4 v0 o& n  f: x+ J- C1 lLATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
6 k2 V( I( h+ a+ i+ p. y8 @& M) p我也問過其他老師、他說要拉超過20um
0 R+ I' S2 _, O$ @5 n$ D但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

0 K! F; q* ^9 h類比電路果然難理解
/ j, v8 P0 [; k; v6 Q
希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
5 v: V! I" b1 @
這個我有點看不懂是什麼意思！
5 H$ ]4 m9 f2 x6 }1 [- k可以在詳細講明白一點嗎!!!
. U; Q- H# `. @! b( }3 S
( _( P- P+ b2 _4 ZOD是什麼意思？
P-well不是nmos的p基體嗎？
  h+ C/ V  F& \) ~6 {* I( ]
不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
; y! A/ n) r8 Q0 u1 X: Y是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
) b1 N& v' b: W+ U5 g8 n# z就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion
0 ]" v0 w8 E: A5 u1 ~
在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
: V+ r6 @- {. h; X: a8 f8 ?' a要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
加 N+DIFF ㄉ地方
$ h' b0 T1 R4 ?0 P2 k+ s  _5 n1 }
以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
4 ]# J. K9 t( d! x; P2 E就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
8 B( ?8 q* ]2 F7 m2 F8 u簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
) P9 k! _0 t! T# @# h但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
7 h+ a* l6 M; Q2 b這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解