Ramtron推出速度更快及功率更靈活的1 Mb並行F-RAM 2 v: o% c1 M& e+ o3 C
Ramtron全新高速F-RAM系列之首款並行器件
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全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出全新並行和串列F-RAM系列中的首款並行產品,提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品中的最新器件FM28V100,是1百萬位元
j7 J% \, p. |0 H(Mb)、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM,採用32腳TSOP-I封裝,具備快速訪問、無延遲 `9 D3 |) a# ]. y- y6 `! S' y7 g; F; T
(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性。FM28V100是工業控制、計量、醫療、汽車、軍事、遊戲、電腦及其他應用領域中,由1Mb電池支援SRAM記憶體升級的理想產品。
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1 S* S8 E7 e+ z( S1 q0 ?Ramtron市場拓展經理Duncan Bennett解釋道:“FM28V100為Ramtron二進位寬產品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代產品,為希望在系統中省去電池或外部電容器的電池支援SRAM或NVSRAM用戶提供了簡便的升級途徑。”
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關於FM28V100 S1 d) M+ K5 D$ S* ?: [% J( F
FM28V100是128K x 8非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM),讀寫操作與標準SRAM相似,並可在掉電後保存資料。FM28V100提供超過10年的資料保存,能夠消除來自電池支援SRAM (BBSRAM) 的可靠性、功能缺點及設計複雜性問題。從系統中去除電池,可讓系統在更寬容的工作溫度範圍運作,而且有利於環保。F-RAM具有快速寫入和幾乎無限的寫入耐用性,比其他類型的記憶體更加優勝。% C. W* [( F3 C) X& B
) y! H5 _2 R7 }. {7 S1 M" |FM28V100的系統內運作與其他RAM器件相似,可用作標準SRAM的普適型9 U; [' y, F0 f9 k2 A
(drop-in)
1 i2 }6 ?7 y7 i# w$ `7 B+ o7 Z替代產品。通過轉換晶片引腳或簡單地改變位址,即可觸發讀/寫迴圈。F-RAM記憶體採用獨特的鐵電儲存製程,因而具有非揮發性,適用於需要頻繁或快速寫操作的非揮發性記憶體應用。FM28V100可在-40°C至+85°C的整個工業溫度範圍工作。
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( i9 l. t, a% R* f4 \關於F-RAM V系列/ @$ a6 s- H$ k
Ramtron的V系列F-RAM產品採用Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產製程製造,可實現器件的性能提升,當中包括:
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升級的記憶體性能:通過推出FM28V100,將1Mb並行記憶體的週期時間從150ns減少至90ns,較Ramtron現有的1Mb並行F-RAM記憶體提升60%。與Ramtron現有的串列F-RAM產品相比,SPI和I2C串列V系列F-RAM產品的讀/寫性能提升了二至三倍。 1 E. ^6 Y c& j1 u
更低、更寬泛的工作電壓範圍:由德州儀器採用130ns F-RAM生產製程所帶來的技術進步,F-RAM V系列現提供將F-RAM工作電壓調低至2.0V的彈性,讓F-RAM可在更多的電子系統中以原有的工作電壓運作。
' {# T/ @7 j5 ~; F1 A寫入保護特性:並行F-RAM V系列產品具有軟體控制的寫入保護功能,其記憶體陣列分為8個相同的模組,每個模組可在軟體控制下各自實現寫入保護,而無需更改硬體或引腳輸出(pin-out)。 1 Z' } u' a6 K& p. z
器件ID:V系列中的串列F-RAM產品具有一個24位元器件ID,這是Ramtron產品所獨有的,以防止產品出現偽造。 ^' S( @4 u. m& K
獨特的序號:V系列中的串列F-RAM產品採用64位元的序號訂購,由一個16位元客戶ID、40位元獨特代碼,以及需要獨特的電子編號的8位元迴圈冗餘碼系統校驗所組成。
; K/ e0 t, H2 ?) b( g+ _: y& K2 K可定制的重置電壓:V系列串列F-RAM備有多種重置電壓,從2.14V至3.09V。
0 J O8 \ Z( R& g# z/ y供貨Ramtron現提供符合RoHS標準的32腳TSOP-I封裝FM28V100,查詢價格詳情,請與Ramtron聯繫。 |