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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變# P. `- w% ^" x2 B2 x
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,: O* t2 x6 I  @' S+ Y+ M6 Q
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name+ t0 _, N$ N4 P+ Y7 F
是否有問題.7 n2 E0 E# Q/ f& n9 A8 o
ps. 1  error report是  + V5 _" Z" T  r6 Y1 \
******************************************************************************, i& d1 n- m1 `$ [
                                 INCORRECT INSTANCES
- I4 W# U6 d, E4 K  d9 s0 N" R" N/ a2 S6 E! A( C3 d# l3 F$ k
DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME0 A2 [$ i0 B3 ]4 |
*******************************************************************************
8 H( g  J6 \7 Q: j6 R( S5 F9 Y' f1 R0 P' F. X5 J! F
  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)
8 ~$ B% q' Q  d! `) t
% v" G7 G- Q* k只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
6 R1 d# Q( y( N
8 P$ w+ [" {' L- [ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,) Y6 |. g, J) w6 \
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測  V9 H: P; ]1 L+ p& x: l: `. T3 U
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
- L: X* E0 i5 N% H$ y所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
  V! ]: Z7 s- a# }3 a( d卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.# n2 X. i" A* u% o3 Z
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file6 u, l7 g  I% r) k( |" O9 n/ l
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion+ _* e7 X# y* u) J7 z* L
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
! ]1 s% m$ T8 Y而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos
+ U  B# N9 M: S( o* Q2 [的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓. O" y* q/ p% Z3 x5 Y! T# n
command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的' v8 t9 E+ z$ z6 k+ @$ U
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring
# F8 M- R! h# E8 k- n& o1 W是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個' f1 _9 `. J0 L- Q- F# N$ N" |
東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.2 R3 I6 I! M1 f& Y6 |" [3 Q/ b
另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
6 |7 S9 B$ L& p( P$ ~  b" |( f0 q人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
" \1 `+ p# |% V# u  O所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
. `/ k' z. I2 ]2 `; k' {+ ?: Q加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
3 J5 S! g$ E( L4 h這個電容有許多人用過!!
  E! ?; t  i9 l9 ^; n7 r% y  E2 |% X2 Z/ @早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣
6 k$ g' u% o/ T  a3 p3 f* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY, E% V  J& ]! Y) U3 _' C! z) c- ^) z& o
nmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
1 h5 P: c) S) [/ w* f) P$ D這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用2 B6 C" t5 ?3 `# O' s5 }
"nmoscap",這樣是否可以., P' F7 |; T; j' M; _
我在netlist file上這樣描述,6 N9 I0 d+ L% D- }: h
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
' }( t6 |! ^( h, F然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式( t. J- [+ b" T. d
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
6 F4 d# i; D/ g& z+ o0 \這個問題.
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