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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
/ X) G7 E$ \  L! h& N& x. p電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,
, i1 r6 t) Z( [: I9 D+ d3 X' _netlist file中那個model name是用 n表示,這model name+ H1 C/ l3 ~3 F  a) w1 R
是否有問題.
0 ], O. Z1 y# dps. 1  error report是  ' b$ J7 J2 j. {; B5 h, W( Q  }; g9 G
******************************************************************************
1 A9 _1 P* G3 i* a2 w: [, ]2 t                                 INCORRECT INSTANCES
( ~* y4 F: ~7 Z1 _( ?
8 e2 X& I" E6 g. {+ [  L, PDISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME
: ]5 _8 @3 @# S*******************************************************************************8 s1 ]- S/ U% Y- b( |% @
/ i- `! y8 @/ G$ P
  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)) O" H* w' R) q- P) J$ v. k
2 N+ [  e% B8 j' ~, E
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
  b1 o4 R% r2 U6 I3 V* A6 ], ^. }3 h6 o1 L+ P; G6 }
ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
6 O! J3 N) N2 T6 M. u6 e     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測: J2 x1 x. @. d6 ?4 O
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
3 w& w0 l- l7 s6 O7 r! t; H所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,) i4 Y6 ?2 ~+ ~! t! c$ z: O
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
" V( n" ~: ^5 J8 e所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file8 n) Y' G' K% A' ~
不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion, [! E' x9 M  w
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,; B/ j. q+ U) N8 A4 R- O" E
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos
( Q7 a0 n5 b' c2 T  b  N的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓3 R* U5 `" s2 K- k% ~. Z! U' P
command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的- }: F! e1 ~( q- V8 c) c9 d; X
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring
# V9 ^, W8 G; a; B* O& J' X0 F: n是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個' l7 z* \% d/ j% ]/ J+ o- x
東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
) V$ l, t' q* d9 A( S% Y1 i6 F* B另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
( U: Z! x& D% v/ a人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態% {/ ^' F6 w- D" w3 j0 `5 U
所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
" Z) e& b' A0 @* S- Z2 T加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
# O- r2 V! q& j3 w6 O7 U. f這個電容有許多人用過!!+ h) W* f8 I! |% O7 S' ^- o4 Q
早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣
, j: N0 s7 A4 s9 v7 V* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY4 g5 d+ v% X/ E% q! z: I
nmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1). k: I0 |, R6 G7 z& v* G% L8 S
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用4 b# i* O, F; t; b7 @& w; Y1 G2 |
"nmoscap",這樣是否可以.
2 k1 j9 t1 @& F* L3 }9 W我在netlist file上這樣描述,
/ W( F1 a. a  x7 g' l9 @XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1* y0 E4 @( W3 N6 D- G  H
然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式+ N) c' p4 O6 h- Y4 F0 f' b+ \
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
; V- H4 a5 G: E3 a這個問題.
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