现代的高压ESD

amanda_2008

最近要用到现代的高压ESD，有谁可以提供一些参考吗？
因为现代那边没有提供高压的ESD rule，自己画的时候不太敢随便画，，
) Q0 v2 _. O) H2 `希望有经验的前辈能给点建议，大致的rule可以建议一下吗？

cuban487

可以請問一下你所指的高壓ESD 是幾KV阿
( c3 {- K5 F- T! Y) v可以盡量寫清楚嗎...感謝

amanda_2008

我想先問一下阿，平常的工作電壓是20v，那對於ESD的畫法應該也會有差吧？
; r( F% F& b3 N$ k/ e9 J我的高壓是指芯片平時工作時的電壓是20v，而ESD的承載電壓，
是HBM2KV，MM200v，
# }. P1 ^2 C4 w  y5 _+ z如果能給我一個答復，我感激涕零，
但是不好意思，沒有米米的回報，因爲我的已經是負的了

sjhor

其實用普通的 CMOS ESD protection 就可以唷!!
PMOS/NMOS 的 diode 就可以了! 10V/per 1um width 應該就可以約列算出你所需要的 size!!
* K$ }+ q% ?9 w3 C& b2 Y再加上 VDD/GND 的 ESD Clamp circuit 應該就可以了!!
不過  大部分的人 PMOS/NMOS 的 size >=300Um,  以3KV來設計比較好唷!!

amanda_2008

呵呵，謝謝版主同志，
, `, \$ t( K- V. W3 ~; Q( g9 s( j不過不同的工藝，我是怕ESD的rule待會不滿足，
; I/ B7 Q6 E5 S5 b/ y  X1 a/ }比如説D端contact到gate poly的距離大致怎麽來決定，
2 [, I' i3 T1 P- f. z) LD端或者S端到guard ring 的距離我又大致可以設為多少呢？
雙層guard ring之間的pitch又是多少，然後guard ring的diff的寬度要多少呢？
版主同志，麻煩你再告訴我一下哦

teaman

請您先告知大家，您要下的fab是哪家，什麼製程(process)，這樣才好回答您。
每家的參數數值都不太一樣。
8 [  j/ L2 ^& K5 I
9 ]8 f( b4 `$ b/ K! Q) V如果您手邊有該家fab的design rule manual, 裡頭應該會有ESD design rule。

m851055

一般代工廠都有ESD rules，只要照話就好了，或是請帶工廠提供也可以。

: M2 G- l$ a8 ^% N, i7 A* W; U' O8 @source contact 照rules話就可以了，drain contact 一般約為source contact 3-5倍不等。

1 n: u% }% {9 l: J6 i1 ?, H+ Xpick up 與guard ring之diffusion約為4um，pitch 一般10-20 um 不等，以上為一般之經驗，詳細需參考foundary之 design
3 a) }" L, e! ?7 f+ S% w: }guide。

amanda_2008

谢谢大家的热心答复
$ Y/ f" v' }/ w' ]/ S1 z- ?' e嗬嗬，我在题目里有标说是现代的哦，
其实有时候代工厂可能没有你现在要用工艺的esd rule,
所以这个时候就只能凭经验来画了

dolphin75

多謝！
謝謝版主了，又了解了新知識了呢！
+ r+ S9 B6 W0 {$ E1 S. Y- r) b扫扫盲，呵呵。

semico_ljj

原帖由 sjhor 於 2007-6-1 08:56 AM 發表
3 \, U' V* o) N6 ?其實用普通的 CMOS ESD protection 就可以唷!!
PMOS/NMOS 的 diode 就可以了! 10V/per 1um width 應該就可以約列算出你所需要的 size!!
& ~4 f; m' d$ k4 M再加上 VDD/GND 的 ESD Clamp circuit 應該就可以了!!
不過  大部分的人 PM ...

1 P% I9 M/ C! Z  f"10V/per 1um width "有疑义,因为比如W=300um,L=0.5um与L＝0.35um应该有很大差别吧！

ritafung

如果是高壓的FDMOS,難度更高!因為這種device天生不利ESD.

lethalkiss1

原帖由 sjhor 於 2007-6-1 08:56 AM 發表
( d1 j" u8 c: v; a% o; c8 N10V/per 1um width

, q- }1 `; K, z1 Y3 O& G
# T' z$ b, Q6 d6 C! Z0 w0 V这个值是怎么来的呢？

ONLYFLYSKY

L為最小的通道長度，一般而言，通道長度愈小，靜電放電防護電晶體的耐受度愈小。增大通道長度可使靜電放電耐受度提高。但是必須同時增大防護電晶體的寬度。如此一來便會使佈局面積增大而使成本增加。

tuza2000

学习学习！！！！！！！