Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
6 _8 |: ~1 y: Y  T- B4 xA gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
* i$ E7 f9 x! j  fSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
1 ^% I1 E( u' j+ @" f+ g, d
; l" `! ^  e) ~% }2 ~( G補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
4 P4 k' g. F2 s$ P( ^Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
7 z; X' n$ W7 f2 c+ q, m
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
2 A: O3 s7 t4 b5 ?Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
* ]6 ?) U. }! i! e, tInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
- i5 `; g8 [% |Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
Output series: Current sampling輸出電阻變大
/ Z6 F4 W+ H% c  W6 f7 m+ d

賴永諭

slide 0731
# y& Q1 m2 L: @" U5 w8 E需要4各bias 點~
, n6 Z6 g( M1 q* }# e  P
side 0732
: q$ @+ }4 z8 h8 I2 j只需要3各bias 點~
M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
, E2 f2 x0 `7 Y' k5 EIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.
=> 更正
8 q5 x2 j3 D& g6 |It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
: b% L5 O( Y9 Q5 X) s. J) U; t1 U# g- v回復 32# tuza2000

上面說明有誤～
; }% v) @8 g1 P5 B/ h5 |* Z實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
! Q! I( q- b1 X0 v) \0 D- |Noise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
/ f: s* W0 j7 L, a$ n1 U  Y  J謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
- b7 m4 e" w: c( r; ^4 |6 d分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
8 r+ _+ S! X1 z' p  S1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
8 E9 L0 W5 }; P. \1 i' C2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
! L2 M% ]" ?6 N8 g* ^7 R" t7 K1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
+ E; x* u1 s$ M2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
' r0 G# \- w$ _' XVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
* q9 s) B' l6 ]- H) o
" k6 m* d: ~8 h. Z, I6 a=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
' W1 d- U$ v2 ]  [) o8 h  L# o( r用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
: |" S$ S. ?, R" J4 |1 Y所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, a! Q  t( q+ J( o/ ?( |" a

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
5 P. R0 h0 S5 E% N
7 L8 |& q( Q& ~9 R9 \1 H9 Y- T=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
  [. T, S1 w+ p' R3 N( V; c9 bVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
6 b* k3 s: M. U/ y  @! A3 l8 K' j用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
- x5 x; x' y% U  g8 i
2 Y3 Y7 s5 I6 L( _* y6 t=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
, ?8 ^: s# ?) [, S" X. B5 U# w用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
  ?% ]% Q* f- m# v所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
" @" q$ j+ |7 V  B: `$ L

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA

  C! K9 c; a* _, v$ dgmmax 應該是C1WC1/2C3

; Z# C# N* }( }2 h& j' T5 M2 X$ i=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS


; A" R5 b. M8 b5 M0 t

賴永諭

RIP
4 u4 s5 a/ g1 n: ~
1 \. c( A( `3 p9 ~( R1 R. kIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
" L# I: i) j2 Z
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html