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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154& l7 p: {; ]8 ~
A gain of 1000 is expected.  m, [2 A) z) O! v2 ]# U5 _
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: 9 u$ \3 E$ W4 C: f0 X$ a
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
- u- \) s: W4 X* \+ b* m
* ~/ M4 J2 H& E+ O) X, F& z補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
) f9 |9 g% e5 E( D" M9 f" @Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1% @. m( k& z" y4 r
- t$ J1 J3 H- `* d9 i/ P8 t( D
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
5 t- m. `2 i4 c. e9 `Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
8 v) b" g: Z3 e8 _& aInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
) S, i, W6 }3 P) s# X: N: R; OInput series: Voltage mixing輸入電阻變大( M4 k& w0 B( L4 n0 [- \6 s! g
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小4 e: a  A" r' _" L. H
Output series: Current sampling輸出電阻變大
, R+ Z4 p. y+ p! m, A
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731) s5 m# P9 f  y  W5 F( Q
需要4各bias 點~
3 u/ E' h& d* W; a" C5 b6 E- z' y. n0 C" j7 X5 p' H
side 0732
! E/ a) x* x3 y: M7 z9 h. `& R6 u# D只需要3各bias 點~
) r, X9 x. @& d1 R* _3 z( E& GM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097/ v9 {9 r& P* G1 h# e7 ~
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
- l5 J; E: |; a: v6 vdepending on the phase margin required." w+ R+ P0 H' Y8 q. H9 O6 h
=> 更正
4 V, I$ x  e1 S+ x8 g. B8 t5 }It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW8 U* y. J( F+ f' @8 i8 K
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM+ ]9 U$ n& h1 r- z  p% E: t$ \
回復 32# tuza2000
( I6 ?- i" k' o; {% H
上面說明有誤~& [' Y! q' u5 d% R% y. F
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
4 A- s/ \6 D+ h+ V3 z
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
, y- K; I2 T: `! Z  \Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
3 }$ W8 W- {- N# J: Y5 h& K所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)3 g8 k6 g  z5 }4 M+ K- T1 ?9 h
Ref: silde2219
' @5 B8 d+ C) `# i! W: ?, m+ AStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025( l4 K+ W8 V$ J. U- K. r# U
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444& L! u& P5 U2 g9 S5 f1 O$ E( I
Noise of a current mirror with series R:0 \% F/ g- J7 }% `! i
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
1 ?8 j' |# d+ u$ R- A2 h還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
- }2 s8 p+ Y: e% T! ?9 X謝謝~~幫忙回附一下6 r: n: A9 T$ P& M  W! ^/ e2 m
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513  y* B& r4 T, W; Y% [4 V% r
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
' z  k! b$ G1 ^% C3 Z7 P4 h6 H1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
. {$ T0 {) i2 D2 K/ @2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。7 M' `% J  z( `5 Z
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
* w, T2 R, y1 j1 ?3 b0 B% {分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
8 b* i% [. E' X; V/ ?2 m; t9 v1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。# Y0 D9 X( X. ?! R, u) T$ ]
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
% M8 D4 K) A. F' p: f! s3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222. z! r8 [4 I( A2 f+ p( f  r& Z
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
9 k" Z0 r/ ]% V, y7 Z2 G/ E* w0 c# ]* V$ V
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
0 Y& a! o7 ^* J; I0 P用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻/ O: _1 Y. l0 a' K' s9 i4 H3 }
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
3 G9 P  R. ?3 L" e" }! t- ]
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
( o0 F8 ?, W& }  F9 `Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)7 |  ]. s8 d  `* k3 J

- N- a- K. a" z1 o3 S=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
- ?5 @2 P* I0 c2 W9 M; P( ?: |用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻$ v$ J9 i) J6 O8 j2 d
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2). m: ?5 }8 M' s
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222- E' V( U4 G. z" C
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
, F$ M0 h6 T$ V9 W$ [+ ]0 X
+ \+ y/ ~( @2 e0 e=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
2 `5 W( Q4 h; ~/ C" q8 u9 _( J" L: ?用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
! B( B  P( M9 j2 M- o& A1 B6 V2 U所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
8 H) t% I, y3 n. G0 G
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222" w+ W+ t9 X+ ]+ h: Y& }- _9 P
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)1 P3 P4 H- x" F% }( B& `* O

: @/ s+ L. h) Q. x2 s" ~/ r* j=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
9 ^- b& ?) j' i7 \6 `用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
8 F& o8 G) l, v3 f5 N& R/ E所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
1 G. P' N3 G  F5 ~0 {, @5 v' J
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA6 @) Q6 y: V  M- X: R

$ ?) ^- C( Q; A+ Lgmmax 應該是C1WC1/2C35 U) U& S) o. A2 H
, b7 e1 l3 [5 |4 X/ f" Z* g
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM" L: ]9 W, O' d8 A+ b1 r0 c2 I
slide 2222: J  ?4 N. ~- |& J6 b
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

- E" F6 U1 I' g3 I0 H. YgmA~ 4RsCL^2Ws^2
, L. {! r; K. v  Z5 Kand 4WsCL^2/QCS
- V4 x) I. D% ?. V/ w8 ^1 D3 V* i
$ [5 e( a" T# J8 [9 B- N% r# g! y: F* s
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
: l- t+ H# x) y# a" J) Y4 _( F# M; i# j/ {  s3 L$ A
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
1 r" A. |) \, [0 c% D- F
; }  _9 s4 s  Q: `1 x/ C. l7 qhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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