版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～
2 M6 n- w2 M  T4 n

蔡廷暤@FB

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AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
) p# t' _8 t# V) O% }0 t2 y!!
7 ]8 ~0 _% R4 t" _! ]8 ~: _4 s感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
1 ~" B) ?4 Q- ~0 k6 i, |3 o0 |   
' A4 A2 n( Z1 j* G  V/ B   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
$ `1 [7 |" D9 H8 [   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

adjamie

謝謝分享!!
學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
7 U+ e- F4 x$ F9 O; h3 T想找些教學資料參考
謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
6 O1 }# Z/ A9 d- B

何建頫@FB

謝謝分享
$ B2 L0 [3 r# h6 [1 b9 m8 m" K看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
0 C; e$ q1 D* D, X( h& {0 S

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
希望能對我這個菜鳥有幫助

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助
/ A; w" S9 ?# B& {0 |3 u) u- W4 t

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
( A, C/ [/ v2 L

spacedpp

+ d  n  `/ V+ H* w5 W8 I, D謝謝分享,
9 |- M) U8 J6 v研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力
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