版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～

蔡廷暤@FB

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1 z; E3 y4 H5 b2 x. Q" e9 h/ q

AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
!!
8 O0 x+ H- D; w: H+ D( W感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
- v0 z, e, C3 V2 ?1 t# @% V   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
+ O" V$ d$ k+ J# A! n   
: f$ a' }: y2 W% }* R* m8 [   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
0 r; o* l) k. ~3 I. \# q   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

+ Y9 q( D( x4 X$ v% z6 z

adjamie

謝謝分享!!
學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
想找些教學資料參考
0 W3 k% }/ {2 ~( |' v$ ~; h8 E謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
3 X  l; e5 ~- p- G! K5 n0 ?

何建頫@FB

謝謝分享
看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
# h3 ^% g% b6 {( W, S! z

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
9 L) s! t+ j1 ]6 ]

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
  \: B, T1 w  t* ]希望能對我這個菜鳥有幫助

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助
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pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
* _+ U" M3 `% q* U! [

spacedpp

. `! c/ q9 |- w4 S/ ?6 O謝謝分享,
研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力
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