版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～

蔡廷暤@FB

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AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
' [' s9 h5 a0 S  ]: J, |!!
4 L8 F: e, K- D: V感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
% U. W( x% N7 }+ f1 {' c" B4 i   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
   
2 _6 c1 O6 M, S$ i   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

8 g8 F; p- [( `1 O% X8 |

adjamie

謝謝分享!!
' G, N: U& C# h) u% p學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
) t2 L( w) J7 M) l! R  n想找些教學資料參考
謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
5 J4 J2 }$ m5 u# {

何建頫@FB

謝謝分享
7 v: R4 G6 l/ D$ C看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
: l$ D% L2 {  o- E) O2 s

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
1 b" {; ?7 i' h5 a! i

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
$ z+ H9 D. C$ |, S! ~& v% Q/ n7 I3 f, a希望能對我這個菜鳥有幫助
& J1 Q1 X" K5 K1 x* T5 G

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
9 v: U# \" `& V, \; e2 \' I3 H! n

spacedpp

謝謝分享,
研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力