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樓主: fgwh406
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版图设计基础培训(很有用)!

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21#
發表於 2015-9-23 21:29:55 | 只看該作者
正在學習的學生路過~
: K3 r% B5 Y7 N0 i" k: V' e! P
23#
發表於 2015-12-2 13:07:29 | 只看該作者
感謝謝大大希望對我有幫助~~
24#
發表於 2016-3-31 12:51:18 | 只看該作者
想看本內容,謝謝!!+ y0 E. r8 q, Y. W+ ^# i" ^  W
!!8 Z& L+ A$ y1 s/ A* G
感謝分享~~
25#
發表於 2016-5-20 09:06:11 | 只看該作者
太多太多人(甚至某些论文)将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态:weak inversion(弱反型,或者称亚阈值),moderate inversion(中间反型,部分属于亚阈值)和 strong inversion(强反型,注意名称!这个不叫饱和区)' {8 c! n: @7 H7 F; l" L1 X# n; `
   这三个工作状态根据Vds的不同,都可存在 线性区,非线性区但未饱和,还有饱和区(不同的Vgs都存在饱和区!只是对Vds的要求不同!)
% U- M; O2 p3 b# w+ b  u+ o   
# c8 [/ ]) I+ I  D$ h" j   如果是要进行低功耗的设计的话,将管子置于亚阈值区是最好的,并且要饱和!亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。$ o- b$ @  w: y2 P8 s
   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感,因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的,而强反型只是平方相关,如果是速度饱和,那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。
26#
發表於 2016-5-21 00:35:57 | 只看該作者
bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案3 y% j" b% K5 G# M6 o+ v9 u
感恩~
$ j( k* W: s6 J6 j3 F% W$ o3 M
27#
發表於 2016-5-23 10:48:19 | 只看該作者
謝謝分享!!
( h; b" }# [6 M* C6 V學習中,非常需要~
28#
發表於 2016-5-25 13:13:44 | 只看該作者
剛踏入這行, F% Q* k& a  `
想找些教學資料參考; ^! Z  N! d* A  B9 l
謝謝大大分享
29#
發表於 2016-6-30 15:19:06 | 只看該作者
    謝謝分享!參考看看; h$ c& w3 E% l" `7 c: S
30#
發表於 2016-8-18 20:35:50 | 只看該作者
謝謝分享2 E  y* i4 o9 g- S
看起來是一份很基礎的講義
31#
發表於 2018-8-3 10:22:46 | 只看該作者
感謝好文章的分享,目前正在尋找一些教材資料。, U/ f1 E% |9 C( ^* x+ m
32#
發表於 2018-8-24 12:16:43 | 只看該作者
感謝大大提供,   正好工作需要用到. q- C7 K# p: t( I) p
33#
發表於 2018-9-2 08:19:54 | 只看該作者
没有经过系统学习,下来看看。
34#
發表於 2018-9-16 14:17:07 | 只看該作者
感謝大大的分享; \9 V& m( H" ?. M- ?2 H; O2 z
希望能對我這個菜鳥有幫助
- j% [3 W/ v) B+ x) b3 `
35#
發表於 2020-7-31 01:40:37 | 只看該作者
最近在layouy電路 來看看學習
36#
發表於 2020-8-3 11:18:15 | 只看該作者
謝謝樓主提供此教材,很有幫助+ D' O2 K" @2 a2 g3 E+ G  P
37#
發表於 2022-5-14 22:52:07 | 只看該作者
感谢分享,刚入行layout,望大神指点4 g0 `% x3 m+ q  _3 {
38#
發表於 2022-6-14 11:53:07 | 只看該作者

8 {6 d! v8 q) L. y2 k8 D# R謝謝分享,
# w# P. r& A: x9 H* S7 c0 q研究看看...希望有幫助@@
39#
發表於 2022-7-6 09:52:36 | 只看該作者
交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊
40#
發表於 2023-11-10 01:21:31 | 只看該作者
感謝分享,layout可以再次提升能力7 k9 s9 p' c+ e" p6 I/ X: F
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