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樓主: atitizz
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[技術求供] 30萬元 RMB 尋求 大功率介質雙工器 技術研發

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發表於 2013-12-11 13:42:12 | 只看該作者

10萬元 RMB 尋求 1000MHz超七類遮罩型資料電纜開發

技術要求: * P0 R1 h0 o2 k, D
1、導體處理技術:研究銅導體電塑性處理的新技術,重點研究該技術的應用對高頻資料電纜傳輸性能提升的影響,並設計相關的工藝參數,研製相關的裝備及匹配的自動化控制系統等,改變高頻資料電纜銅導體傳統處理技術,滿足規高頻資料電纜的規模化生產,並達到改善產品品質和節約能耗的目的。
# `8 d9 Z, h$ C& a  k8 n7 O
! J! d. v6 k8 a2、高頻資料電纜關鍵技術:(1)開發具有自主智慧財產權的高密度物理發泡技術,形成“皮-泡-皮”三層共擠絕緣層,與普通單層實心絕緣相比,芯線絕緣性能大幅提升,使信號傳輸的穩定性大為提高。(2)自主研發複合遮罩結構,鋁箔線對遮罩和金屬絲編織遮罩構成的雙層遮罩,有效提高電纜的抗電磁干擾性能,解決了超高頻信號在傳輸中的串擾、損耗、延遲、誤碼等技術缺陷。(3)自主研發無應力絞合技術和線對絞合節距,實現產品在高頻寬中的應用要求,與六類資料電纜相比,其綜合衰減/串擾比指標可以提高20%。;
( y) v8 P7 m' q8 j1 F. Q1 J; y( h8 }5 U: f) S
技術指標:
$ k5 q$ N$ u& v* W1、衰減(Attenuation)≤45dB/100m(1000MHz); : e/ ^, ^7 J8 Z/ U" O" }
2、近端串音功率和PSNEXT≥70dB/100m(1000MHz);
( `1 ~% h+ @% ^3、回波損耗(RL)≥20dB/100m(1000MHz); 9 l7 {$ s+ l; l% g  B+ G8 C
4、延時差≤15ns/100m。" f5 T& ]# [" t- ^

8 H, `) S1 k, }; s' ?5 N能者與意者請跟貼討論,或發 email 含個人研發簡歷 與chip123聯絡。
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發表於 2014-1-20 13:57:37 | 只看該作者

高精度正弦波旋轉編碼器系統的研發

關鍵技術1:用於產生正弦波光電信號的刻線碼盤的設計與實現。編碼器是依照光學和光電原理製成的器件,一般由光源、碼盤、光學系統及電路4部分組成。碼盤是在不透明的基底上按二進位碼製成明暗相間的碼道,光線通過碼盤由光電元件轉換成相應的電信號。
2 g3 H0 V3 l8 P" [6 S5 J' Q4 z$ V" T+ [( k$ b& {
關鍵技術2:光電轉換電路及正弦波整形電路的設計與優化。輸出信號品質因素的優劣是判定產品技術指標的根本因素。- B# V1 E- B# x* Y1 b" O
* l7 \8 r7 g, W( \" a
關鍵技術3:產品結構、防護能力、可靠性設計優化。編碼器是一種結構緊密的精密光電部件,它與電機一起高速旋轉,其可靠性及環境適應能力是其能否贏得市場份額的關鍵因素之一。3 h7 Q( A% V. P% ]. l
% q' a  o- @1 P8 G
關鍵技術4:專業生產工藝、工裝的設計與實現。
; A8 v7 M2 i1 f0 N' ~8 p6 \5 N/ p( e
合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。
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發表於 2014-1-20 13:58:23 | 只看該作者

300萬元 RMB 尋求 高壓電極箔產品的合作開發

解決高壓電極箔產品在資源供應、工藝路線、設備選型等技術加強產品開發,充分利用現有資訊管道,加強對市場回饋資訊的研究合作。
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發表於 2014-2-18 14:09:40 | 只看該作者

1萬元RMB尋求8英寸超薄晶片線切技術

我公司在晶片多線線割方面做了大量的研究工作,但近幾年沒有突破性進展。本難題擬解決在大直徑超薄晶片多線切割過程中的關鍵技術問題,研究影響晶片切割中走線速度、切割進給速度、切割位置、矽片總厚度、中心厚度變化、砂漿流量、晶片清洗等工藝參數及控制措施,找到合理的工藝控制條件,達到產業化高效切割大直徑超薄晶片的要求;使晶片彎曲度(BOW)、翹曲度(WARP}、平行度(TAPER)、總厚度公差(TTA)等關鍵指標達到國際先進水準,同時產品出片率增長9%以上並達到產業化生產能力。
% c0 S, V! C& m! e( T
# g# ?' T" Q0 v, P8 g3 a, d
" Q% V2 H8 A% ]# I" O6 ~合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。
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發表於 2014-5-6 11:44:39 | 只看該作者

5萬元RMB尋求 P45 E27光損問題嚴重

主要内容和技术经济指标        P45 E27光損太厲害,目前沒有很好的方法解決這個問題4 ?9 U* b+ v* x  X+ H

, f4 Z& \9 P: _( V
4 P3 ^  K4 K- q: a, z( u; t7 b+ V. k合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。
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發表於 2014-7-22 15:29:22 | 只看該作者

50萬元RMB尋求 非同步電機的核心演算法

尋求非同步電機的核心演算法。# h5 m8 j) j. \7 x3 P, n
: \# O8 y& o0 z# d. j* X$ j
要求:- Q3 U: ^! q* {, ~( _& m6 [
1、系統回應時間
  X7 ]8 b7 P) k; H; l( M8 ^4 W" n2、低頻扭矩:0HZ:200%的額定轉矩0 j/ y8 D# [: O4 N# c6 D

- ]0 D/ c& n( L- y3 f! r: ^4 ?# S( \/ `
合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。
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發表於 2014-9-18 14:03:07 | 只看該作者

10萬元 RMB 尋求 單面搭橋技術的材料升級及通道電阻的適應技術

現今,無論是傳統觸控式螢幕還是最先進的OnCell或Incell技術都離不開氧化銦錫材料(ITO)。我們知道“銦”是一種越來越緊缺的稀土材料,這幾年價格也隨著戰略政策飛速上漲,新材料替換的節奏也不斷加快。用於觸控式螢幕製造的ITO材料的方塊電阻一般範圍是30歐˜150歐,特點是電阻越大光學性能越好,電阻越小電性能越佳。在光電性能上這是一對矛盾,特別是在Oncell技術和大尺寸觸控產品方面,低阻值ITO材料的應用和製備面臨著巨大挑戰,業內也急需新材料能改善這對矛盾。4 J6 Y* H6 e; d. M6 G

3 k# y/ a9 I7 W/ C4 x: G石墨烯這種材料可以解決這對矛盾。但由於製作大面積石墨烯時會混入很多雜質及缺陷,因此大多數試製品的導電性及透明性都未達到ITO的水準。在可見光下,一層石墨烯透過率≥96%,兩層石墨烯透過率≥93%,三層石墨烯透過率≥91%,四層石墨烯≥89%,其高透光性遠高於同類材料,但目前數層以下石墨烯材料還沒辦法大量獲得,且市場售價大約5000元,成本較高。現階段石墨烯尚局限在PET制程的觸控產品中,玻璃基材上的製備,及生產工藝技術,目前還是空白。6 L1 E, A  n: O7 q  F1 s) b
7 w( h% ]/ N1 h7 j2 ^" W; j
隨著石墨烯材料越來越被業內渴求,這種材料的應用工藝也被提到日程上,但其性能和工藝條件的不確定成為能夠率先應用的障礙。
& e. K, ^. H# V! b9 t3 F
8 ]' n) y% O, a, A3 m合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。
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發表於 2014-9-18 14:06:12 | 只看該作者

105萬元 RMB 尋求 遠紅外及色彩還原技術

遠紅外類取暖設備轉換效率提升;8 h' z( g( V9 y; `
電子製冷設備的批量製造工藝;% M4 k; r/ {% ~' j
色彩還原的高效率印染技術。
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& }( P, K0 O8 l/ Q
( k* t; Q% Y& m# e+ Z! v$ x合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。
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