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主要規格, h! y' J2 D. |3 N7 K; F: z
$ O6 H' Y8 t/ B y( q& }1 A g3 J• 低導通電阻:18.4mΩ B: e8 [7 a: }: k
• 低工作電壓:0.75V
q% e" ^7 L9 v) M6 I• 低待機電流:0.6UA[4]
! u% C. X3 @# N4 i5 I! L• 反向電流阻隔電路 # U& p" R4 B ^/ n
• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm)
9 W5 g+ N$ J! n: L• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等) 0 z K. J, q6 l
; L5 M; e1 D( a* \/ r! T
注, k; s* k- z, S2 {! c2 p
[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。3 J) I/ ?( i; f. J3 ], a0 z
[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。
8 W, J! L( h T# N1 u[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。
6 H( y/ ~$ S8 V1 B[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
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