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主要規格' Z0 H% c# o0 K1 T" K B/ d! L6 l
; f# l H; @2 O/ s. \# T# _
• 低導通電阻:18.4mΩ
+ q8 e( n+ b8 p% K• 低工作電壓:0.75V . I+ k/ \9 ]% P) V
• 低待機電流:0.6UA[4]
, B0 Z, D, Z+ A8 i' @6 {& M/ J7 C• 反向電流阻隔電路 1 k! ?' O' Z7 P% K" m4 X
• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm). o0 C- D. u5 o; D2 n, R, ?- ^
• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等)
! l, M6 j2 h5 d- r, H8 h8 H
5 S0 h! {; K: {, Q5 v5 O注
* K, M2 r x: R9 T1 D* U[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。
6 k, |/ t4 g6 ?/ y[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。
% a# I3 G) V& F) S6 n[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。6 T# W$ E! @6 G4 E' S
[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
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