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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
7 C: F8 E# W! ^- O5 k& X% H( P•汽車點火器用IGBT單管& q6 q! J! U7 E1 Q: h
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
3 i# B2 p, S: f, v4 g; Y: ~•新能源汽車用IGBT晶片及模組
1 U/ Z0 k/ T' |# `針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。$ F) S* O4 n1 _( {! r0 }
二、技術指標
# D! p2 V) E4 X5 x" B, t& T•汽車點火器用IGBT晶片及單管
' P( v$ ~7 _, E, {# Z* C6 c) ], P主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
x4 |4 h7 u0 W% P' n8 y- f$ o) G' i集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
k0 d3 P1 C% k# r集電極直流電流 IC 10-40A
/ ~, }& t6 A2 e; n) `集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
$ T5 U$ [" Z, j, u& u4 ~•新能源汽車用IGBT晶片及模組
z6 h' b R- |" p% `; ?主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值# R7 g+ `/ x, J& p0 p
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
) t9 m8 ?* T7 M+ i8 X# L集電極直流電流 IC 100A 800A* o4 g6 j, R- [; C( O
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V' l8 q/ a' K: n4 E0 V0 ^
三、經濟指標
* t- C9 @/ l6 H•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。& i, { ]* X: X" \
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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# { X! Y0 d* K' `' U3 j; F合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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