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Microsemi新型SiC蕭特基二極體提升電氣功率轉換效率 新元件針對高功率高電壓工業應用
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 推出採用碳化矽(SiC)材料和技術的全新1200 V 蕭特基二極體系列,新的二極體產品針對廣泛的工業應用,包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探,以及十分著重功率密度、更高性能和可靠性的其它高功率高電壓應用。& M5 W! F Q4 T/ }8 N
) {/ l6 N, f3 T! v: l6 t* y4 O5 M$ N與矽(Si)材料相比,碳化矽(SiC)材料具有多項優勢,包括較高的崩潰電場強度和更佳導熱率,這些特性可讓設計人員創建具有更好性能特性的元件,包括零逆向恢復、不受溫度影響特性、較高電壓能力,以及較高工作溫度,從而達到新的性能、效率和可靠性水準。/ P* B1 w" l% t& x, H- b9 @, z$ R
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除了SiC二極體元件固有的優勢之外,美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片、背部可焊接D3 封裝SiC 蕭特基二極體的製造商,容許設計人員達到更高的功率密度和較低的製造成本。
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美高森美公司功率產品部總經理Russell Crecraft表示:「我們利用超過二十五年的功率半導體元件設計和製造專有技術,推出具有無與倫比的性能、可靠性和整體品質水準的SiC二極體系列。下一代功率轉換系統需要更高的功率密度、更高的運作頻率更高的和效率,而美高森美新的碳化矽元件能夠協助系統設計人員滿足這些需求。」
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全新1200V SiC 蕭特基二極體產品陣容包括:
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• APT10SCD120BCT (1200V、10A、共陰極TO-247封裝)0 j- U: u0 e/ e: [8 [/ }% f$ X2 N
• APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封裝)
. Q% S" X, d$ f• APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封裝)
" C1 j8 W* U+ C4 N% r, a• APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封裝)8 A6 [, p- e! \+ F& C ?4 ~
• APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封裝) |
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