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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。2 k5 a5 B+ e( |/ x/ v0 i* ]
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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5 x- R% _8 W& L展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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Fab 5概況
) i, U- S4 c1 a0 g) E+ W8 k5 W% H% y2 Z大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層0 H& e# s; \3 `" H f
地上建築面積: 約38,000m2
6 @8 W3 Z- v: u! B$ R h總建築面積: 約187,000m2 5 f0 K" i1 }7 C0 o0 ?, {
開工時間: 一期:2010年7月
# i: W P4 V2 _8 y二期:2013年8月
1 V$ s6 ~6 A- o! X5 R" ]; A完工時間: 一期:2011年5月
6 I* p) B8 ]- k! P( D二期:2014年夏(目標)
, i; o, B* D u$ T% G9 W6 I投產時間: 一期:2011年7月 8 T4 i% H7 X2 ~ b
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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四日市業務部概況
6 |: U2 `2 E+ d; y1 C" j位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
) ]9 X! V- \! t6 h/ ?! Z' @成立時間: 1992年1月 1 l, J) v& u: N4 v
總經理: Tomoharu Watanabe / s+ F- c+ W {* T6 M
員工數量: 約5,200名 1 P% G2 o* F9 U7 U ^. ^
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
o, Q+ ]% {6 L/ D5 y7 d" d場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) 4 v; A- z8 [( @- K
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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