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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。; t; D: I% x8 \1 Q/ a' `
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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$ T4 o- h6 k. \Fab 5概況 Z' Z# ]1 p, I6 ?$ f8 H
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
- E$ ^2 n; Y: v# \) Y' X3 v9 Y地上建築面積: 約38,000m2
$ |- U( C0 s' a, J# G總建築面積: 約187,000m2 , A& M/ t* c4 _4 v6 s. I
開工時間: 一期:2010年7月
; _- B, P+ O+ z! j) C% }( t二期:2013年8月 1 f$ n! z: u2 P5 X: Q
完工時間: 一期:2011年5月 8 R: J# E' @ |/ _3 w$ Y$ G) q
二期:2014年夏(目標)
8 f+ h$ H' f) e+ V9 ^投產時間: 一期:2011年7月 1 t A# ^# y0 E# R/ l6 H$ G. H* B
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型- _- c- h8 ]8 O
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四日市業務部概況 : z, F+ i" Q: u" i$ d+ G [- h
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
! v# G6 ^, q1 I4 [成立時間: 1992年1月 ( o8 G- T% I! Z/ [8 \) z
總經理: Tomoharu Watanabe # _( [ D% o+ J3 U' Z; j
員工數量: 約5,200名
1 E) W! O. w. l9 O(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) 7 R4 R: z1 `' e3 U' s( W: V
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) 9 {" R+ I/ O% D" _+ K5 q
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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