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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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1 ^( q# T) h# j4 J1 a! {四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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6 r8 o2 |" _# \& e展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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0 Q$ n( ]! W! \Fab 5概況2 ~' u" a; E9 v; M2 l& z2 ]. P
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
/ e3 _7 G" _: j1 F; c; @' [( g地上建築面積: 約38,000m2
; B& O! T# U c0 J- E總建築面積: 約187,000m2
- l. v( ?% ?! ~5 X開工時間: 一期:2010年7月 ! l6 h. O! F6 `4 ^ w0 Z. w, B, m
二期:2013年8月
/ c2 ^; b+ N& c/ w& e完工時間: 一期:2011年5月 : v1 N$ @( P; G; ?! A7 c1 M0 |
二期:2014年夏(目標)( t: }" E( Z% L3 a7 b
投產時間: 一期:2011年7月
' N) m/ ~8 A2 o5 v, E: i二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型% U, f* }5 v2 }- O6 |2 M* W X
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四日市業務部概況 % R- i F o/ ~" p5 X
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
: x S V7 O" Q* ]' Q$ g% r1 f5 E成立時間: 1992年1月 ! s8 k. P. p8 `* q& V3 t4 Z4 x
總經理: Tomoharu Watanabe ! ~' u7 @2 g& u
員工數量: 約5,200名 2 a: r% ^2 E1 d3 x
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) / i3 n7 s& p+ B+ D4 T
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
9 R7 ]! B' m+ u: G總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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