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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:6 K0 r* y: D. s1 ^9 u4 v' x( i
•汽車點火器用IGBT單管' n+ o" g) F) P* G
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
# U. i7 q& l9 r& E•新能源汽車用IGBT晶片及模組
7 \3 M3 o. r3 T+ Y針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
' _$ g7 { r5 n7 j- S二、技術指標
^8 f t. e; H# w6 F& _3 H•汽車點火器用IGBT晶片及單管5 d; S6 W6 n# n' E$ w
主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
6 j8 z/ `( U# ^集電極-發射極電壓 VCES 400-600V8 K% J8 e' U* _# U P
集電極直流電流 IC 10-40A
4 j$ A* C6 z5 V1 H* @; }% G9 d; q9 }集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
& G9 z |# Q, u0 M# h6 }•新能源汽車用IGBT晶片及模組( A, W, n0 l7 c9 T
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
8 z) X! j* p3 |( t% V% J7 M" i集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V. m, S P- b3 m Q: E3 `% _
集電極直流電流 IC 100A 800A
, @" x$ l4 v o. F/ G/ w! D: C4 g集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V* p! i1 g& q! Z& V+ h; x" `% E
三、經濟指標
! O% b& i7 z4 z7 f•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
9 s- z0 H' f% l; h) y•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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( Q% W& Q9 S+ N+ F0 C% l4 A合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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