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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
7 z/ Y( |" j+ P' E/ s' r•汽車點火器用IGBT單管
" L, G: ?8 J5 p& N' A針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
4 T. s& T0 D* J4 |2 `3 O5 A- W•新能源汽車用IGBT晶片及模組% r/ ]2 b S5 k- f7 N
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
! N& a- W& W0 J! t+ o% s; E( O1 d二、技術指標
) _2 y! |, V' m2 R•汽車點火器用IGBT晶片及單管
0 e( \2 J. f3 Q! n主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值8 y1 Z; f1 N( T" L
集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
. e# k" ]2 w1 y0 F# i$ @9 |: \集電極直流電流 IC 10-40A
- D$ q8 @% p$ X; |( A, K& k) a# |集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V g8 @9 z0 G+ G7 v* T, Q. c5 O+ _* c
•新能源汽車用IGBT晶片及模組5 B3 h( k* h3 R: c( E( ^9 }
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值: W5 @/ E; _" U- w7 D8 \
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V; i' k2 P2 |8 C' G' o/ n9 M
集電極直流電流 IC 100A 800A
8 p/ b( F8 Z7 W2 _+ n! | J集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V- s8 d; M2 Y; K- X; J
三、經濟指標2 v/ [0 u; {. |& A- d- K
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
& ^& P4 D T" [6 {- {0 Z•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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