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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。+ K3 o% }) I% l2 P; R- ?3 Q
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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& |6 z/ u1 h W四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。! U$ R! }3 e4 `. i( Y8 T/ O
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。; R! t( s9 a R* D3 h) V4 \
7 c" w- q! B |2 ]9 i. H4 XFab 5概況
; C" f) i4 f$ J+ N4 z+ D. H大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
6 w, H4 F, O/ K3 N9 S地上建築面積: 約38,000m2 & M: C1 n# p# V6 _* n( F
總建築面積: 約187,000m2
3 \, u) z7 F: f7 X( l0 d+ X4 I& r3 y開工時間: 一期:2010年7月 % u) H1 N/ C7 _$ ?
二期:2013年8月 # e, z1 s5 C; V
完工時間: 一期:2011年5月 % f7 t t* E; J* C5 q
二期:2014年夏(目標)+ X7 G. o3 M0 d. x# y8 D
投產時間: 一期:2011年7月 & T3 @8 \; C/ ]& P7 ^. q! V) m
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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四日市業務部概況
+ {8 O0 e, S6 M5 f位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
* U7 R& F6 M5 r6 Z$ G成立時間: 1992年1月 ) c! e& {$ `! T- K& A
總經理: Tomoharu Watanabe
3 w; {3 u8 J F+ O+ C! w! s; b" N員工數量: 約5,200名
/ @+ H9 S! y) P' d% t(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
; J. ^4 }* v. h( G4 s' G場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
6 ?# b- x( I! H總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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