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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:; t, B, i2 b: r8 K: y0 H1 p
•汽車點火器用IGBT單管1 |% p; d2 V" V0 T0 W! Q
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。! z7 C* v7 N j$ q
•新能源汽車用IGBT晶片及模組5 Q' m* ^, n3 W; h, m: l
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
% w) d& y* w/ C4 w3 U8 i/ G: h, `二、技術指標
, T# M" ]8 U7 _: k7 P% L•汽車點火器用IGBT晶片及單管
0 o' Y) U0 k" Y, X2 R) l主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
& n9 R) N w& J s1 h$ S集電極-發射極電壓 VCES 400-600V; l' {6 o8 J, x3 q1 [
集電極直流電流 IC 10-40A
: |3 u/ B, y$ L3 ^+ Z集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V
0 w) Q8 e$ p( W•新能源汽車用IGBT晶片及模組
! x/ @% [) {& y7 a" O主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
) I$ m) F% V) z* \, x集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V0 Z# C- W) t( ^) t
集電極直流電流 IC 100A 800A, |4 P/ G& B* i+ F* C1 a% D+ T8 v% V5 S
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
. B$ s3 }* v. F+ x* T3 e8 l三、經濟指標* {& D5 a) o2 D
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
& L+ z5 i8 B- M, g$ r/ I•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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