Microsemi推出65nm快閃製程嵌入式平台

innoing123

SmartFusion2：最低的功耗

SmartFusion2 SoC FPGA為設計人員提供了比同等的SRAM FPGA元件低100倍的待機功耗，且不影響性能。設計人員可以經由簡單的指令以啟用Flash*Freeze待機功耗模式。在此模式中，可以保持所有寄存器和SRAM的狀態、設置I/O狀態、低頻率時脈運行微處理器子系統(microprocessor sub-system，MSS)與MSS週邊相關的I/O。SmartFusion2 SoC FPGA元件能夠在大約100µs內進入和退出Flash*Freeze模式，適用於需要短暫間歇活動的低工作週期應用，例如十分著重尺寸、重量和功率的國防無線電應用。  
: M6 a' _, g) J
4 ~, r- n3 ^- }. z; t/ lSmartFusion2: 技術資訊

- x% D" y% B! \' F美高森美建基於快閃技術的SoC FPGA為低功耗重新定義。其50K查找表(look-up table，LUT) 元件靜態功耗低達10mW，包括處理器且不會犧牲性能。採用Flash*Freeze待機模式，功耗更下降至1mW，待機功耗比類似的SoC FPGA或FPGA元件降低大約100倍。
- }8 X* a2 L4 v" e' r4 k' R" {
Microsemi SmartFusion2元件具有從5K LUT到120K LUT的密度範圍，加上嵌入式記憶體和用於數位訊號處理(digital signal processing，DSP)的多個累積模組。高頻寬介面包括具有靈活性5G SERDES的PCI Express (PCIe)，以及高速雙數據速率DDR2/DDR3記憶體控制器。該元件還包含了採用一個166 MHz ARM Cortex-M3處理器、片上64KB eSRAM和512KB eNVM的微處理器子系統(microprocessor sub-system，MSS)，以儘量減少整體系統成本。MSS具有增強性嵌入式跟蹤巨集單元(embedded trace macrocell，ETM)、8 Kbyte指令快取記憶體，以及包括控制器局域網(controller area network，CAN)、Gigabit乙太網路和高速USB 2.0的週邊。安全加速器選項可用於資料安全應用。

$ G# f* W2 u  O" }1 S+ m採用SmartFusion2進行設計

系統設計人員可以採用新推出且易於使用的Libero® SoC軟體工具套件來設計SmartFusion2元件。Libero SoC整合了來自新思(Synopsys)的業界領先的合成、除錯軟體和DSP支援，來自明導國際(Mentor Graphics)的模擬，以及功率分析、時序分析和按鍵式設計流程。韌體開發完全整合在Libero SoC內，採用來自GNU、IAR和Keil公司的編譯和除錯軟體。而依照系統建立器(System Builder)的選擇，可以自動生成所有元件驅動程式和週邊初始化。ARM Cortex-M3處理器包含對EmCraft Systems的嵌入式Linux，以及Micrium的FreeRTOS、SAFERTOS和uc/OS-III等作業系統的支援。

. }! y) B4 A" X/ y$ F供貨

* p' ?) r( i9 S6 E: ^$ h6 T# Z客戶現在可以開始使用SmartFusion2 M2S050T工程樣品進行設計，美高森美將於二○一三年初推出第一批量產矽片。

失眠

没听说过这个公司啊，稍微看一下

amatom

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出SECURRE-Stor™高安全性加密2.5英吋SATA固態硬碟(SSD)，該產品專為商業、銀行/金融、醫療、工業和智慧電網應用提供出色的資料保護功能而設計。SECURRE-Stor具有100ms快速刪除特性，可以在不到10秒的時間內完全刪除硬碟內容，是用於安全的膝上型電腦、自動櫃員機和其它需要使用硬碟的系統之理想解決方案。這些系統的硬碟過去可能需要以物理方式破壞，才能防止資料落入不當之手。SECURRE-Stor已經取得美國聯邦資訊處理標準(FIPS) AES 256加密認證，並提供64BG和128GB記憶體密度。

美高森美公司策略發展副總裁兼副總經理BJ Heggli表示：「SECURRE-Stor適合滿足要求高度資料保護，需要超越加密功能的更強大安全SSD產品的應用。除了安全記憶體產品之外，美高森美擁有業界領先的安全產品組合，包括FPGA、SoC、加密和完整的安全相關服務系列。我們將繼續專注於增強產品陣容，為安全不容妥協和可靠性十分重要的領域提供新型解決方案。」
! o3 [% i! P7 p" `  e
關於SECURRE-Stor
* o' v. u0 i2 o& J. Y/ ]
美高森美獨特的SECURRE-Stor SSD利用多種特性來保護資料和確保可靠的性能，包括密鑰管理(一次性、永久和客製化密鑰)、256位元密碼短句保護和硬體認證。此外，經由錯誤校正、損耗均衡和故障防止方法，均可以在關鍵性應用中防止出現災難性資料故障。 美高森美單晶片整合式記憶體處理器提供豐富的功能，以及支援各種作業系統要求所需的靈活性。SECURRE-Stor的其它特性包括自監控、分析和報告技術，以及內置測試功能。
  j9 `! j# Z; j' K+ \3 X+ ^8 m
. |- |  ?5 G& x# v6 tSECURRE-Stor在美國設計和製造，為了更能滿足客戶需求，還提供包括客製化元件外形尺寸和專用韌體等附加選項。美高森美擁有用於廣泛的多元件封裝(multiple component package, MCP)、商用現貨(commercial-off-the-shelf, COTS)記憶體、微處理器，以及用於嚴苛應用的MCP組合的全面設計、製造和測試能力。這些微電子產品可以針對防篡改來進行加固和處理。要瞭解更多的資訊，請致電(1)602-437-1520。

globe0968

Microsemi推出世界第一個專為Broadcom 5G WiFi行動平台而設計的矽鍺技術單晶片RF前端元件
新型前端元件提供明顯的性能與成本優勢

5 c5 C6 O' K: A: f( K+ J7 ^% a功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出世界第一個用於IEEE 802.11ac標準的第五代Wi-Fi產品的單晶片矽鍺(SiGe) RF前端(FE)元件。新型LX5586 RF FE元件憑藉業界領先的高整合水準和高性能SiGe製程技術，具有超越現有技術的明顯性能和成本優勢。

2 Z* h, {6 z* V. x- u/ Z這款RF FE元件專為與Broadcom的BCM4335組合晶片搭配使用而設計，適用於智慧型手機和平板電腦等行動平台。BCM4335是業界第一個建基於IEEE 802.11ac標準的組合晶片解決方案，該標準又名為5G WiFi，並且已被廣泛部署。

- u: C, b8 ^+ G2 j美高森美公司副總裁兼總經理Amir Asvadi表示：「我們很高興與Broadcom攜手進入802.11ac市場。LX5586是現今市場上最小、最可靠、最高性能的解決方案，是我們向客戶介紹的高整合度Wi-Fi子系統系列中第一款產品。這一款創新前端解決方案為Broadcom的5G WiFi產品提供了固有的可靠性和成本優勢，超越了傳統的多晶片前端模組產品。」

globe0968

Broadcom公司行動無線連接組合產品部門副總裁Rahul Patel表示：「Broadcom正在所有主要的無線產品領域實現5G WiFi生態系統。美高森美新型RF功率放大解決方案進一步增強了5G WiFi技術的吸引力，這項技術獲業界認可為本年度其中一項最重要的創新無線技術。」
$ Y  J) H* m* M2 j/ V
" ]0 M/ d0 b) e- n3 l4 P- f3 ^1 C產業調研機構NPD In-Stat指出，802.11ac市場將會快速成長，到二○一五年晶片組付運量將會超過6.5億，整體Wi-F晶片組銷售額將達到61億美元，預計802.11ac的三大市場將是智慧型手機、筆記型電腦和平板電腦。
! O# @  U; v: z$ y! ]
9 Y7 s0 p; i+ `美高森美 LX5586元件的主要技術特性包括：

: S, q* Q1 `. D5 _2 h•        完全整合式單晶片，內置802.11ac 5GHz PA/LNA元件，帶有旁路和SPDT天線開關
•        2.5x2.5mm的小面積封裝和僅0.4mm的高度
•        在1.8% EVM情況下具有16dBm的超線性功率輸出，256QAM調變超過80MHz頻寬
•        所有接腳均具有1000V (HBM) 高ESD保護能力

$ G. E0 |8 a) F  ^* i: M封裝和供貨
" q& X# Y; X6 _1 f5 g2 a& W3 p; L
' e, j$ [* E+ u0 L! T$ P1 Y3 FLX5586元件採用2.5 x 2.5 mm 16接腳QFN封裝。

amatom

Microsemi推出新型高成本效益瞬變電壓抑制器為飛機提供雷擊保護
成本更低的專利PLAD封裝可將多次閃擊雷電保護元件價格減少達20%

) p1 ]) |  ]# T) n3 E; \. }, a功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出兩款採用專利塑料大面積元件(plastic large area device, PLAD)封裝的全新低成本瞬變電壓抑制器(transient voltage suppressor, TVS)產品。成本更低的15kW MPLAD15KP和30kW MPLAD15KP TVS系列可以滿足飛機的雷電保護要求，包括多次閃擊標準(RTCA DO-160E)。隨著複合材料機身的推出和使用率日益增加，雷電保護變得更加重要。兩款元件均採用表面安裝封裝，並且與美高森美前代PLAD封裝TVS元件逆向相容，電氣或熱性能規範均無改變。
) \2 N0 n; F: S( [8 L  M" G
8 O( {" Z' U# ^1 E美高森美高可靠性產品部門行銷總監Durga Peddireddy表示：「我們經由重新設計專有PLAD封裝，可為客戶提供將TVS保護元件成本降低大約20%的高可靠性解決方案。此外，我們的單一元件解決方案可以節省電路板空間，減輕重量，同時提高可靠性，超越通常用於提供這些高水準保護功能的多元件設計。」

amatom

新推出的15 kW和30 kW PLAD設計能夠降低電壓湧浪保護元件的成本，防止由於電感性負載開關或雷電間接效應造成的數位訊號處理破壞、零組件損壞和功能中斷。PLAD封裝結合了大晶片尺寸和一個用於散熱的大型裸露金屬底片，提供相比通孔設計更佳的電力輸送性能。PLAD還與標準表面安裝組裝自動化製程相容。

; M2 u1 J5 p4 U4 |* P15 kW系列TVS元件的工作電壓範圍為7V至200 V(待機)，30 kW系列的工作電壓範圍則為14V至400 V，兩個產品系列均備有單向和雙向型款。這些元件採用RoHS相容形式(2002/95/EC)或SnPb接腳鍍層。它們不含鹵素(IEC 61249-2-21)並達到MSL level 1 (J-STD-020)產業標準。
; ~. {; L0 Q$ a0 q

美高森美所有的PLAD封裝元件均經過100%湧浪測試，並可提供各種「強化篩選」(upscreened)型款元件，這些元件經過各種水準的附加認證和篩選測試(與應用於JANX軍用等級元件的測試相似)，以便消除元件初期失效率和提升可靠性。材料和製造更改只依照客戶的製程更改通知(Process Change Notification)來進行。

8 H+ Z& I1 W0 G( o5 V4 B( s除了TVS元件之外，美高森美航空產品系列包括：可程式閘陣列(FPGA)、IC、整合型標準和客製化產品、功率模組、電源、射頻、微波和毫米波解決方案，以及高可靠性非半導體產品。許多元件具有耐輻射或抗輻射特性，經過Class-B QML和DSCC認證。

amatom

Microsemi新型SiC蕭特基二極體提升電氣功率轉換效率 新元件針對高功率高電壓工業應用
% k' r1 S2 Q6 ]1 j0 k
/ ~% N" J' A+ V1 u7 M2 e$ J: g功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出採用碳化矽(SiC)材料和技術的全新1200 V 蕭特基二極體系列，新的二極體產品針對廣泛的工業應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探，以及十分著重功率密度、更高性能和可靠性的其它高功率高電壓應用。
1 D1 E1 b- X' B  A3 }2 A
與矽(Si)材料相比，碳化矽(SiC)材料具有多項優勢，包括較高的崩潰電場強度和更佳導熱率，這些特性可讓設計人員創建具有更好性能特性的元件，包括零逆向恢復、不受溫度影響特性、較高電壓能力，以及較高工作溫度，從而達到新的性能、效率和可靠性水準。

除了SiC二極體元件固有的優勢之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片、背部可焊接D3 封裝SiC 蕭特基二極體的製造商，容許設計人員達到更高的功率密度和較低的製造成本。
! W( X' r$ [$ [- }8 m& k* l
  @' i  h7 t' @& f# |美高森美公司功率產品部總經理Russell Crecraft表示：「我們利用超過二十五年的功率半導體元件設計和製造專有技術，推出具有無與倫比的性能、可靠性和整體品質水準的SiC二極體系列。下一代功率轉換系統需要更高的功率密度、更高的運作頻率更高的和效率，而美高森美新的碳化矽元件能夠協助系統設計人員滿足這些需求。」
: T, K3 U3 o8 x+ ^; \% l! t& ?! ?
全新1200V SiC 蕭特基二極體產品陣容包括：

•        APT10SCD120BCT (1200V、10A、共陰極TO-247封裝)
8 V$ a! i9 H. u# p; P6 |•        APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封裝)
•        APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封裝)
* z8 e+ I: x4 y- h6 j+ z5 M•        APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封裝)
# G  u; e1 l; w& Z3 i•        APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封裝)

tk02561

Microsemi提供S波段 RF功率電晶體適用於空中交通管制雷達航空應用 現提供新型500W GaN on SiC電晶體產品
4 E% S7 V5 |7 |6 ?
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 擴大其建基於碳化矽襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)電晶體系列，推出新型S波段500W RF元件2729GN-500，新元件針對高功率空中交通管制機場監視雷達(ASR)應用，ASR用於監視和控制在機場大約100英哩範圍的飛機。
% l6 _; s* |( J) Y0 y6 i7 p/ _
在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500電晶體具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%洩極效率性能，經由單一元件在這個頻段上提供最高功率，主要特性包括：

•        標準脈衝間歇格式：           100µs, 10 % DF
•        出色的輸出功率：                 500W
" ~4 L+ n& }0 L0 x0 y: m•        高功率增益：                         >11.5 dB min
•        洩極偏壓−Vdd：                 +65V
•        低熱阻：                                0.2℃/W

tk02561

使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)提供的系統優勢包括：
% @  i% j. ]9 K  I4 a9 s9 c, K
0 C% z' w  P/ P3 u9 {0 d6 ~$ Q•        具有簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要額外整合較低功率元件
. c& n4 x) \+ q; f2 }/ M•        最高峰值功率和功率增益，可減少系統功率級數與末級整合
% J) b6 L) f* R7 f* l0 C! a•        單級對管提供具有餘裕的1.0 kW峰值輸出功率，經由四電路組合提供全系統2kW峰值輸出功率
# A, O( C* O, ~: W/ V4 t4 G•        65V的高運作電壓縮小電源尺寸和DC電流需求
* T3 e+ x3 K4 ?" |1 S•        極其穩健的性能提升了系統良率，而且
•        放大器尺寸比使用矽雙極性晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)元件的產品減小50%

* k, g1 G" f, f& W, m/ c4 j1 q封裝和供貨：
% u  O# Y7 Y0 q% V- L
9 H5 S6 M( e6 |( F& |2729GN-500電晶體採用單端封裝供貨，在密封性焊料密封封裝中採用100%高溫金鍍金線材佈線，以達到長期軍用級可靠性。

innoing123

美高森美為美國國防部後勤機構提供合格二極體產品 用於高功率密度航空航太和國防領域應用 Thinkey 蕭特基二極體具有高可靠性和低熱阻
2 U3 T+ ]' P) k4 d
9 E+ y* F5 C9 ]2 Z  r7 l: z: O致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司 (Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣佈提供符合美國國防部後勤機構(DLA)要求的全新蕭特基二極體產品系列，適用於需要高功率密度和優良散熱性能(通常為0.2-0.85 C/W)的航空航太和國防領域應用。新的二極體產品採用Microsemi專利的ThinkeyTM封裝，具有穩固的陶瓷和金屬結構，無粘接引線，以提高其可靠性。
4 }( w% P: ~; t* n& h' V
; F# q& p. P  b4 O6 \美高森美高可靠性產品部門副總裁兼總經理Simon Wainwright博士表示：「Microsemi擁有數十年為航空航太和國防社群設計和提供高可靠性解決方案的經驗，我們獨特的Thinkey封裝是專為滿足這些領域之客戶的嚴苛要求而開發的數項創新之一，我們將加入其它DLA-qualified元件，繼續擴大Thinkey蕭特基二極體產品組合。」
) p2 c% x/ m% ]/ Q
; [0 k3 Z) _& t: @  f+ Q+ c6 s1 [9 M新的二極體產品支援高浪湧特性並實現雙面冷卻，由於元件結構中沒有使用軟焊料，所以可防止焊封與安裝焊料的混合，並且在電力迴圈和高溫存儲期間消除焊料潛變和再結晶(re-crystallization)。

3 R0 c5 x6 K5 Q7 d' F4 ?) `% J: U產品規格：
# I3 X0 L5 \4 C-        1N6910UTK2至1N6912UTK2產品系列和1N6940UTK3至1N6942UTK3產品系列，陽極帶(AS)，陰極帶(CS)，符合MIL-PRF-19500/723/726的要求
- F" g& l8 R0 ~6 w6 G% C) K/ `-        電壓：15V、30V和45V
3 [. s+ E2 d# z5 o-        電流：25A (用於1N6910UTK2至1N6912UTK2產品)以及150A (用於1N6940UTK3至1N6492UTK3產品)
" l$ B4 \9 p6 O  ~/ ?" Y-        具有JAN、TX和TXV DLA品質等級
8 B* w, c$ C3 |7 Q, X- I8 a-        與TO254封裝相比輕9倍

mister_liu

美高森美為NPT IGBT產品系列增添多款新器件
針對大功率、高性能的工業應用而設計的全新25A、50A和 70A IGBT器件

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC)宣佈在其新一代1200V非擊穿型(non-punch through, NPT) IGBT系列中新增十多款全新器件，其中包括額定電流為25A、50A和70A的器件。

美高森美的NPT IGBT產品系列是針對各式各樣需要大功率和高性能的工業應用而設計的，最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器，以及不斷電供應系統和開關電源。1200V產品系列中的所有器件均以美高森美先進的Power MOS 8™技術為基礎，相較於其他的競爭解決方案，總體開關和導通損耗顯著地降低至少20%。

, s3 ~1 J8 N, A+ V: K/ ^美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產品系列中的所有器件一樣，可與美高森美的FRED或碳化矽肖特基二極體封裝在一起，以便為工程師提供高整合度的解決方案，從而簡化產品的開發工作。其它特性包括：

•        與同類器件相比，柵極電荷顯著減少，具有更快的開關性能；
$ b% }( T0 b0 ]4 |# \2 G. k4 B•        硬開關運作頻率超過80KHz，可實現高效的功率轉換；
% B3 X# M4 v! d•        易於並聯(Vcesat的正溫度係數)，提升大功率應用的可靠性
* I  A, b6 r) _•        額定短路承受時間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT)，在需要短路能力的應用中實現可靠的運作
  p2 Q" G3 {! N2 O; ~4 {9 ]
" x2 _/ v! _) V. F除了器件優勢之外，美高森美還為NPT IGBT器件提供貼片-D3封裝，可讓設計人員實現更高的功率密度和更低的製造成本。

" N! z  d3 l. c) e封裝和供貨
, M4 |4 C" b- t
美高森美的1200V NPT IGBT產品系列現在包括20多款器件，額定電流有25A、40A、50A、70A和85A。IGBT產品採用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。

amatom

美高森美高溫快閃記憶體產品可承受更深層油氣鑽井環境的挑戰
針對極端溫度、衝擊和振動條件所設計的高溫快閃記憶體產品

" V" w( G9 j  E, W8 D7 r功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC)宣佈推出專為滿足油氣產業井下鑽探環境要求而量身訂做的高溫快閃記憶體產品。新的高溫NOR快閃記憶體產品是為150°C或更高溫度環境應用而設計的，並為系統設計人員提供改良的耐久性優勢，這些產品能夠承受鑽井設備在地表數千英尺以下所面臨到的溫度、衝擊和振動挑戰。
. k, _5 }+ k  a; c6 u" J$ D! _
) u4 T) U5 d4 T) _3 P& C美高森美戰略發展副總裁兼副總經理BJ Heggli表示：“過去數十年來，公司一直在提供高可靠性的微電子產品，我們瞭解在嚴苛條件下實現高可靠性運作的重要性，這就是我們的產品可以承受嚴苛的設計、特性化和測試過程的原因所在。美高森美所擁有的獨特能力可以滿足市場對更高密度和更高溫度愈來愈高的需求，我們非常高興推出首批數款井下鑽探產品。”
. P% J' P$ o$ B) D# N. Q6 e
由於傳統的油氣來源逐漸減少，油氣產業轉向未開發地區開採的情況越來越多，在這些地區經常會出現的高溫和高壓狀況，將為鑽探設備上所使用的微電子產品帶來錯綜複雜的挑戰。電子產品的故障是造成鑽探系統故障的主要原因。

* l1 Z3 N7 Y  Q6 }( p6 k% }/ B關於高溫快閃記憶體
7 I; u5 v7 z6 v3 ^
新的NOR快閃記憶體產品線提供密封式陶瓷雙列直插 (DIP) 小外形 J-lead(SOJ)封裝、扁平封裝、陶瓷四方扁平封裝(CQFP)，或引腳格柵陣列(PGA)封裝，並具有1 Mb、4Mb和16Mb密度。
  R" v, Q4 _0 e' q0 Q1 [8 t8 O6 s
美高森美擁有完備的設計、製造和測試能力，可應用於各式各樣的多晶片封裝(MCP)、商用現貨(COTS)記憶體、微處理器，以及滿足嚴苛應用所需的組合MCP，這些微電子產品也可針對特別的需求而量身訂做。

sophiew

美高森美發布全新高性能時鐘管理晶片定時解決方案
時鐘產生器採用小型封裝，具有低抖動、低功耗和數位控制振盪器
# _" l$ C/ @0 C9 B% E
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣佈推出雙通道ZL30240和單通道ZL30241時鐘發生器產品，用於包括通訊設備、企業路由器和交換、網絡存放裝置和伺服器等多種應用。

' P! r  K# s8 O美高森美時鐘產品副總裁兼業務部門經理Maamoun Seido表示：“設計人員在採用我們的新型時鐘發生器產品之後，將不再需要以昂貴的振盪器來獲得具有出色抖動性能、靈活性和可靠性能的高速輸出時鐘。這些新型時鐘發生器的推出，再加上我們去年推出的首款時鐘驅動器產品系列，進一步鞏固了美高森美在時鐘和同步晶片解決方案領域中的領導地位，此市場仍然是我們所關注和投資的一個關鍵領域。”

市場研究機構Databeans估計2012年時鐘發生器積體電路的市場規模將超過7億美元。
. l+ g$ {" m$ K  \0 ~% s
一般來說，基頻晶體振盪器只能達到50MHz的輸出頻率，通過三次諧振也只能產生150 MHz以下的時鐘。設計人員藉由類比鎖相回路(APLL)來進行倍頻，產生所需要的高頻。輸出訊號的品質取決於APLL的性能，為了有較高的性能，設計人員被迫要使用高成本的APLL產品，因為APLL的成本會隨著性能的提升而水漲船高。

sophiew

美高森美新型小尺寸且性能高的時鐘發生器能夠產生具有極低抖動、低功耗的高頻輸出時鐘，這些雙通道或單通道產品型號具有數位控制振盪器(NCO)的功能，能夠產生具有0.1ppb (parts per billion)的精細可調性的任何頻率。新的時鐘發生器可以改善可靠性、簡化產品的開發過程、降低BOM成本，非常適合對成本敏感，但又要求高性能的應用。
4 I! C0 [# M' c
美高森美的ZL30240和ZL30241器件具有以下關鍵特性：
•        兩至四個可獨立編程的輸出，支援多種頻率(高達940 MHz)和多種訊號格式，有助於靈活的速率轉換；
5 f  U& i3 t/ S- ^7 b' U•        多達兩個的合成器，能並行使用兩個不同中心頻率的時鐘組；
•        低至0.27皮秒(rms)的抖動，滿足了嚴格的PHY抖動預算要求；
•        低功耗(每通道低於300毫瓦)，以及；
+ F6 P9 o* N: _: A$ t) S( z$ e•        節省空間和成本的7 x 7毫米封裝
( u5 l7 k; J- b7 o* |: p4 @美高森美是網路同步領域的市場領導廠商，提供業界領先的產品系列產品，以資料封包網路(SyncE和 IEEE1588)和光傳輸網路(OTN)的時鐘解決方案為其重心；公司針對高性能同步網路需求提供完整的時鐘產品系列，包括驅動網路時鐘的數字鎖相回路(DPLL)解決方案，以及滿足最高10G/40G介面性能要求的類比和數模混合時鐘晶片。美高森美的時鐘管理解決方案包括時鐘發生器和合成器，時鐘驅動器，以及速率轉換抖動衰減器，能幫助產品開發人員簡化系統和電路板的設計。

amatom

美高森美推出具有業界領先低抖動性能的高整合度任意輸出頻率時鐘發生器
繼續加快用於通訊市場的時鐘和同步產品之開發腳步

7 d: ~" t: k9 l* D: [) S' ]4 z致力於提供低功耗、高安全性、高可靠性以及高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣佈推出六款新型多輸出、任意速率時鐘合成器和頻率轉換/抖動衰減產品。新解決方案的焦點是帶有整合扇出驅動器和可選客製化配置的高頻率和超低抖動輸出時鐘。這些解決方案將以企業路由器和交換機、儲存區域網(SAN)設備、伺服器和通訊設備等應用為目標。
6 j/ ?2 J4 t8 \: R" p
" p2 e* i! y- \5 O. t# \# l5 Y: x隨著對資料速率和頻寬需求的增加，以支援更快的資料存取，在新的系統中通常都會部署高速的收發器以滿足這些需求。美高森美新型時鐘產生器家族是包括10G、40G和100G乙太網在內的高速收發器時鐘之理想選擇，並且還可支援包括Fiber Channel、Infiniband、XAUI和PCI Express等在內的多種介面。

MAX24405/10和MAX24505/10高性能時鐘合成器與MAX24605和 MAX24610高性能抖動衰減器提供了低至180飛秒 (femtosecond)的業界領先抖動性能，為高性能系統元件和多個十億位元(multi-gigabit)介面提供與規範相容的時鐘。所有款式均提供用於10MHz到750MHz時鐘訊的任意至任意(any-to-any)之頻率轉換。
+ H/ d, m0 u  S3 ?
, W- Y, N$ j5 L, A3 X4 t美高森美時鐘產品副總裁兼業務部門經理Maamoun Seido表示：“在過去的六個月裡，我們以第一款時鐘暫存器產品系列、高整合度雙通道和單通道時鐘發生器，以及現在的六款高性能多頻率時鐘合成解決方案，強化了我們在時鐘和同步產品上的產品陣容。我們將繼續集中精力加快我們在時鐘和同步產品方面的開發腳步，並且依據業界需求調整產品發展藍圖。”
+ _2 {. t4 K! N, R6 x
5 W% ]+ Y! d% r( x5 X, {市場研究機構Databeans預估時鐘發生積體電路市場的規模將從2012年的七億美元增長到2017年的大約十億美元。

amatom

產品資訊
8 m. \* p$ N* R) G0 s  l
每一款產品皆整合了兩個合成器，因此能夠同時支援兩個不同中心頻率的時鐘組，從而替代與其競爭的雙晶片解決方案。MAX24505 和 MAX24510具有用於客製化配置的片上EEPROM，可讓設計人員輕易地在上電之後立即提供所需的時鐘。

其它特性包括:

•        藉著控制各個輸出時鐘的訊號格式、電壓、驅動強度、分頻器和相位，在兩個頻率家族中最多可產生20個輸出時鐘訊號，從而省去多個外部支援組件，例如扇出驅動器和格式轉換器等。
  g9 q( |1 X4 A( Q2 Y•        MAX24605/10抖動衰減器整合了一個低回路頻寬數位鎖相環(DPLL)，以過濾從4Hz開始的低頻抖動
•        所有款式均為引腳相容，可以輕易地將時鐘樹設計從一個平臺移植到另一個平臺
" w0 ]! Q1 m$ u4 H4 P+ N: c% \
  m3 g2 d5 ~' {1 x" \) f& q( U

: G+ Z$ `1 ]$ p/ R& H7 z7 \: y6 j	抖動衰減	輸出	客製化配置
MAX24605	從4Hz開始	多達10個輸出	內建與外部EEPROM介接的介面
MAX24610	從4Hz開始	多達20個輸出	內建與外部EEPROM介接的介面
MAX24505	從400KHz開始	多達10個輸出	整合式EEPROM
MAX24510	從400KHz開始	多達20個輸出	整合式EEPROM
MAX24405	從400KHz開始	多達10個輸出	內建與外部EEPROM介接的介面
MAX24410	從400KHz開始	多達20個輸出	內建與外部EEPROM介接的介面

innoing123

美高森美針對無線承載網路和城域互聯網推出業界最高整合度的同步乙太網路時鐘卡器件
單晶片器件為時鐘卡和線卡應用整合了多達四個數位鎖相環

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣佈針對行動承載網路和建基於資料包的運營商乙太網路推出單晶片時鐘卡器件ZL30162，從而擴展其市場領先的同步乙太網路 (Synchronous Ethernet, SyncE) 產品的組合。ZL30162包含四個可支援T0高度可編程的整合數位鎖相環(DPLL)，能夠鎖定多達11個需要獨立收發通道的輸入時鐘。

美高森美還推出分別具有單DPLL和雙DPLL的ZL30161和ZL30163時鐘卡器件。在 ZL30161、ZL30162和ZL30163器件上的每個DPLL都可配置成如數位控制振盪器(numerically controlled oscillator, NCO) 模式，以恢復建基於IEEE1588等資料包定時協定的時鐘，以用於GSM、WCDMA和LTE應用。
1 V- a+ d* e% e2 q% h! w
4 q% J3 |3 u: P; [# q$ r/ pZL30162採用了美高森美獨特的兩級 ClockCenterTM架構，並且支援從1Hz至750MHz的任意速率至任意速率 (rate-to-any rate) 的頻率轉換，包括GPS每秒一脈衝 (GPS 1 pulse per second (pps) )的輸入。作為單晶片電路器件，ZL30162具有非常靈活的輸入參考轉換和輸出時鐘配置，同時功耗極低。

innoing123

四個高精確度合成器可產生具有抖動性能的輸出時鐘頻率，能夠直接驅動10G 和 40G PHY器件，這項功能可幫助客戶在運營商級乙太網路應用中不斷獲取機會。市場研究機構Infonetics Research在最近發表的一份報告中指出，全球運營商級乙太網路設備埠到2017年將達到9500萬個，同時10 Gigabit乙太網路的發展速度將會超過1 Gigabit乙太網路。
! _0 R: P  B$ {* w
; ]3 g4 S8 m# K3 V+ }% a8 j美高森美時鐘產品集團副總裁Maamoun Seido表示：“我們高度整合的ZL30162器件可讓設備製造商以單一器件同時滿足時鐘卡和線卡應用的需求。此外，這種高整合度器件符合ITU-T Recommendation G.8262網路同步性能指導方針，此一特性讓它適用於無線基地台、無線網路控制器、閘道、匯聚和傳輸設備，以及路由器等各式各樣的應用，並且降低了設計的複雜性。”

% l% r0 ^6 @, d# t4 l8 ^% I' `1 kZL30161器件包含一個DPLL和三個合成器，適用於基帶處理器需要多種不同頻率時鐘的無線基地台。ZL30161器件能夠支援從1Hz至750MHz任意頻率的輸入，並且可產生多達六個LVPECL和六個LVCMOS的時鐘輸出。ZL30163包含兩個DPLL和四個合成器，適用於傳統有源和冗餘的時鐘卡應用，或者一個時鐘晶片同時支援時鐘卡和線卡功能。

; C& `# a' W  ^  e所有三個器件都支援環路頻寬(0.1 mHz 至1 KHz)、保持、參考輸入無縫切換等功能，能相容ITU網路同步的相關標準。參考輸入可為幀脈衝或者時鐘輸入，每個DPLL可配置同步到任意脈衝輸入或者脈衝/時鐘對上。

amatom

美高森美推出用於航太、商業航空和國防應用的線性調節器
0 V/ D; F* b0 J* [* o  F業界首款帶有整合式單粒子效應篩檢器的超低壓降調節器，具備軍事和航太等級

致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)為其抗輻射(radiation-hardened)解決方案產品組合增添兩款用於航太、商業航空和國防應用的全新超低壓降(Ultra-low dropout, ULDO)線性負載點(POL)調節器。MHL8701和MHL8705調節器是其中的首批器件，具有一個整合式單粒子效應(SEE)篩檢器，防止通常在航空和航太應用中由重離子所引起的軟錯誤(soft error)，新型調節器還可與公司的耐輻射(radiation-tolerant) 的SoC和FPGA解決方案一起搭配使用。

這些密封的調節器具有航太或軍事等級，新器件已在生產中，並且也已在出貨給一家世界領先的航太技術公司，將應用在一種新的太空匯流排(space bus)架構設計方案中。
3 D8 r$ d- d/ o1 ?& p* P
1 ?  l- \8 u6 [" t美高森美公司高可靠性產品部門市場總監Durga Peddireddy表示：“美高森美再一次將其超過50年開發高可靠性元器件的專業技術，應用到“業界首款”用於航太和國防領域的產品。我們利用廣泛的產業知識，結合不斷的產品和技術投資，以滿足客戶需求，並且以更快的步伐提供高可靠性元器件和系統解決方案，從而在這些領域獲得成功。”

美高森美在美國麻塞諸塞州的生產據點最近因其依據MIL-STD-883規範所進行的總離子化劑量(TID)、增強低劑量輻射敏感性(ELDRS)和SEE輻射測試，而獲得美國國防後勤局(Defense Logistics Agency, DLA)所頒發的Laboratory Suitability認可(http://www.microsemi.com/index.p ... 073&Itemid=1898)。