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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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$ C. K! o, v* `7 |4 E展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。% {4 t& U( x. Q8 o# Q
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Fab 5概況
# `0 }) y# r" d0 c* B4 c9 }大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
- _. L) Z8 ~& n8 S _: B, D地上建築面積: 約38,000m2 % U0 Q2 u6 o9 m. g% K; q8 F
總建築面積: 約187,000m2 5 k$ v2 r2 k* ]) g" X
開工時間: 一期:2010年7月 ; G" T7 j4 w3 j( f- l H
二期:2013年8月
- Y" N4 ^4 B1 s$ `" n ^完工時間: 一期:2011年5月
" D: `- A/ D' I* ^; ?% J2 ^7 I二期:2014年夏(目標)
% q9 }4 j2 {& \0 D! i- O' N投產時間: 一期:2011年7月
2 ^) h% x2 Q9 R二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型1 d( M0 ^! R8 t: F' h9 q
8 _* R( O$ i4 H: o' d* a四日市業務部概況 0 j8 j0 S/ t, b; M. ?) H
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
) ^8 M1 e" i' m9 }成立時間: 1992年1月 4 j. P9 X, X6 @7 _5 G, w$ ]
總經理: Tomoharu Watanabe 6 k% x9 g2 E% I% M: Z
員工數量: 約5,200名
5 U0 S" R* e; y `0 m(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
7 X! X+ t3 h+ |$ m# x5 L場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
- M( ~! F; `* O4 v$ N( K& V總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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