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FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。, J$ t7 v, Q7 \1 G
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特性和優勢
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5 x b5 W8 v* ?2 r2 F9 `# r0 j• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。
1 R7 R* Z$ e5 y• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能
/ M( N! A0 O" Q K+ r3 d. u• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)
N6 Z5 }6 n) {" o• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。* s7 _# J) O+ B. a
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快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。
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8 C, W- A, j0 S/ F價格:訂購1,000個
$ B1 ~4 y8 E% c' Z' dFDMF6708N 每個1.86美元
4 l6 a% v7 P1 T供貨: 按請求提供樣品7 f4 L( R1 J8 S. [( x
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