|
關於1011GN-700ELM RF電晶體
7 q- }' T3 D- a# O: b$ o
) a9 M( \: S# ?% n8 j, c" i6 j1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 洩極效率,以降低整體洩極電流和熱耗散,其它的主要產品特性包括: $ D6 s6 Y$ [/ M8 ?
u% s- T) Z0 c, e- ]3 W7 R• 短脈衝和長脈衝間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD Q8 s! L6 f0 B! B3 O7 c# v, X7 }( B
• 出色的輸出功率: 700W
S- \6 ]- e2 U7 Z• 高功率增益: >21 dB最小值' ~( ^ Z8 o# N* }& @
• 經控制的動態範圍: 增量1.0dB,總計15 dB
( s1 P. n$ W# N0 v; x• 洩極偏壓 - Vdd: +65V
2 o9 n# G, ~ M- P2 G- j; Y+ V! E( h# [8 a! I1 N' A4 P( c
使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括:
* C6 L: }0 }! [ K. B
/ H o2 h6 E- d$ d0 R1 Z$ n! J• 採用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件: n& f7 J2 o+ O1 h; K# p3 \
• 較高峰值功率和功率增益,用於減少系統功率級和最終功率級合成, o' R7 |) B' w0 E0 m
• 單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率,四路結合提供4 kW整體系統功率2 x5 i4 W Y% q8 B j2 R
• 65V高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求
' W& Z7 V" f; n G' r• 極高穩健性,提高系統良率
, l; V; ?0 V% I w: t0 p/ f• 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%
6 H, ?# R% [' w+ j7 Q8 V
3 j1 @ O2 _6 h; H0 l: v封裝和供貨- p9 r! d' \7 ^% f& N# I1 c
, N+ G4 k q4 z( b3 N6 E) h2 C6 U% }! z1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨,採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線,提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期,但鑒於產品成本的緣故,不會提供免費的樣品。 |
|