IR推出兩款可配置雙相位PWM控制IC 適用於高效能同步降壓DC-DC轉換器

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IR推出多功能IR3640M PWM控制IC

適用於節能高效DC-DC應用

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出IR3640M PWM控制IC。它適用於高效能的同步DC-DC降壓應用，包括伺服器、儲存系統，網路通訊、遊戲機，以及通用的DC-DC轉換器。
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IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，擁有整合式MOSFET驅動器和自舉二極體。新元件的單個環路電壓式架構簡化了設計，同時提供精確的輸出電壓調節和快速瞬變反應。

" I% K# ?% N4 Q( [4 X
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR3640M是功能豐富的控制器，可以配合IR的DirectFET MOSFET來提供非常靈活和有效的解決方案。同時，它具備廣闊的輸入和輸出電壓範圍，能夠用於多種高效能負載點應用。」

8 o* p& s1 s2 b; L他補充道：「此外，IR3640M與新建立的SupIRBuck行業標準採用相同的控制馬達，並且提供一樣的監察和匯報功能，所以能夠讓使用IR SupIRBuck整合式電壓調節器的設計師，輕易滿足在負載低於12A的情況下對12至30A範圍的電流要求。」

6 q" I: {4 V6 Y& IIR3640M能夠驅動一對切換頻率由250kHZ到1.5MHz的N-通道MOSFET，為設計師帶來靈活性，並可實現解決方案的最佳化，以提供最高效率或最小的佔位面積。它也可以在溫度、線路和負載變化下，精確調節低至0.7V的輸出電壓，容限為+/-1%。
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新元件整合了一系列功能，包括可編程軟啟動、預置偏壓啟動、電壓追蹤、外部同步化、啟動輸入和電源良好輸出。錯誤保護功能包括過熱關閉、過壓輸入、過電流關閉以及欠壓鎖定。這款元件不含鉛，也符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）
，現在開始接受批量訂單。

% y, O: s, |* E0 T
產品的基本規格：

. T7 G) v  C" {5 N8 B1 H# sPWM控制IC

元件編號	封裝	輸入電壓 1 t% S6 a$ K* h) _6 S. G' ]3 c( M範圍 (V) 6 K  p0 H+ I/ }	輸出電壓 5 ?* a* F. G$ x! _3 R; k& @範圍(V)	切換頻率 (kHz)	功能 5 i) }0 V. u$ e0 [" C
IR3640MPbF 2 Z+ \- J7 n$ w8 M2 R5 h" r4 u; [	20L 3x4 mm MLPQ	1.5 - 24 6 p- f: Z, r+ j: L* O! r6 N	0.7 – 0.9 x VIN . O2 {5 B% _: Z	250 - 1,500	1% 精度、OCP、OTP、PB、SS、PGOOD、外部同步、追蹤 % u9 p; v0 {' z

DirectFET MOSFET

元件編號 . {0 b' @, e$ Y9 l* [* G: v! M	BVDSS (V)	10V下 典型RDS(on) (mOhms)	4.5V下 典型RDS(on) 1 Y, i# O2 p1 v' f  O8 C(mOhms)	VGS (V)	典型Qg ! _( Z+ h7 v* A1 B  k( g(nC)	典型Qgd (nC)	外形代碼
IRF6710S	25 : {9 b' O: R5 w9 L+ \, L+ Z% U4 V4 o: }	4.5 / |4 p* M7 m- c) B' P6 r8 S) b	9.0 * R# i2 d$ n8 o$ @0 w; `	+/-20	8.8	3.0	S1
IRF6795M	25	1.4	2.4	+/-20 1 |4 d" P3 U: }- I7 s$ |	35	10 1 f2 l: t4 K& [; F- n	MX

設計支援
IR3640M的數據資料現已刊登於IR的網站www.irf.com。同時，IRDC3640這款25A、600kHz同步降壓轉換器參考設計套件，備有IR3640M PWM控制IC和IRF6710S及IRF6795M DirectFET MOSFET，現在已有供應。

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IR推出基準工業級30V
- ?; R" M4 I3 _, Q* gMOSFET

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列工業認可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET
，為不斷電系統（UPS）反相器、低電壓電動工具、ORing應用，以及網路通訊和伺服器電源等應用，提供非常低的閘電荷（Qg）。
: L; M0 o0 Z+ A8 A
這些堅固耐用的MOSFET具備IR最新一代的溝道技術，並且通過非常低的導通電阻（RDS(on)）來減少熱耗散。此外，新元件超低的閘電荷有助延長不斷電系統反相器或電動工具的電池壽命。
0 [) q6 w) V1 ?, l, A( Z
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「新元件帶來成本和效能表現之間最佳的權衡。 還有，新元件藉著提供四個等級的RDS(on)
( F+ e5 g7 @1 Q7 g: k( b' I" c4 y和保持Qg在30V的水平，為設計工程師提供靈活性，讓他們可以選擇最適合的元件，來配合其設計的特定規格和要求。」
9 y. }" @9 g6 |! B3 P: k: I
新款的MOSFET擁有全面表徵的崩潰電壓和電流。隨著IR繼續開發這些基準MOSFET，它們將可以作為現有的30V TO-220元件的直接替代品或升級品。
9 A2 _: o) [6 [+ K1 r& V( Y
新元件達到工業級別及第一級濕度感應度（MSL1）。這些30V MOSFET採用TO-220封裝，全部皆為無鉛設計，並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）指令。
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產品的基本規格：
; n& H5 T# e2 Q3 V( r% q; D- |

元件編號	封裝	7 I- O/ l3 ~5 C' w. C	RDS(on)		ID @ TC		典型Qg (nC)	典型Qgd 5 o  s# c( h! s) E- u7 \; @(nC)
		VBRDSS (V)	@ 4.5V (mOhms)	@ 10V (mOhms)	25°C (A)	100°C (A)
IRLB8721PbF	TO-220AB	30	4.5	8.7	62	44	7.6	3.4
IRLB8743PbF 4 l; V* M4 T1 [% P" X" P1 o	TO-220AB	30	4.2	3.2	150	110	36	13
IRLB8748PbF	TO-220AB	30	6.8	4.8	92	65	15	5.9
IRLB3813PbF : V. N3 A1 @( [) ]: ]/ E	TO-220AB	30	2.6	1.95	260	190	57	19

現在這些元件已有供應，詳細資料也已刊登於IR的網站www.irf.com。

jiming

IR新型IR3870M SupIRBuck整合式穩壓器簡化設計 為DC-DC應用帶來最大系統效率
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! _: ?0 g' |5 \全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出IR3870M SupIRBuck整合式穩壓器，適用於筆記型和桌上型電腦、遊戲機、消費者電子應用，例如數位電視盒，以及通用負載點 (POL) DC-DC轉換器  。

IR3870M具有滯後導通時間恆定調變器，利用自適應死區時間控制及導通電阻（RDS(on)）電流感測為筆記型電腦帶來最大的效率。IR3870M能夠在高達60°C的環境溫度下提供最高10A，並且利用二極管調變仿真來改善輕負載效率。新元件也提供電荷泵輸出（CPO）選項來加強閘極驅動，從而在中度到全負載環境中達到最高的效率。此外，IR3870M擁有3V到26V的廣闊輸入電壓範圍 ，還可以利用外部電阻分壓器網路為0.5V到12V的輸出電壓編程。
5 Z: V+ z" C0 t( ~
+ o. y4 t, y; V. gIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR3870M 與所有SupIRBuck系列產品一樣，具有IR最新的先進控制IC、MOSFET和封裝整合技術，更是一種容易使用的全面整合式DC-DC穩壓器，旨在為要實現輕負載和全負載性能的系統提供最高效率。」

jiming

同時，IR3870M具備預偏置啟動、高度精確的0.5V參考電壓、過壓和欠壓關閉、電源正常輸出，以及具有電壓監察功能的啟動輸入功能。新元件並且提供固定導通時間控制、可編程開關頻率、軟啟動與過電流保護。
) ~8 V- Z1 j- q4 }
創新的SupIRBuck多元化廣闊輸入、單輸出整合式負載點（POL）DC-DC穩壓器系列，把IR基準HEXFET MOSFET及高效能同步降壓控制IC融合到只有5mm x 6mm、採用0.9mm纖薄設計的Power QFN封裝。SupIRBuck以獨特的可延展通用佔位面積，帶來一個易於部署、靈活、精密、具成本效益，以及高效能的POL方案。
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- [- X- Y8 W3 Y! Z0 _IR3870M所採用的多功能控制IC也有作獨立元件提供，型號為IR3710M。該元件讓原本為較輕負載應用IR3870的設計師，能夠藉著一雙外部的IR MOSFET，輕鬆把負載提高到24A。

IR3870M和IR3710均不含鉛，並且符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。

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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 為高性能節能伺服器、儲存系統和網路通訊應用擴展其SupIRBuck整合式負載點 (POL) 穩壓器系列。
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! ]6 k* `- j, \2 g( ~新推出的Gen2.1 SupIRBuck系列採用了設計纖薄、溫度性能有所增強的5x6 mm Power QFN封裝，備有先進的控制IC、MOSFET和封裝整合技術，輸出電流更可以達到12A。這個新整合式穩壓器系列能夠應付由1.5V到16V的廣闊輸入電壓，輸出電壓則可由0.7V到輸入電壓的90%，同時在整個負載範圍都能達到最佳效率，尖峰效率亦可超過96%。這些效能使新元件能夠提供高達1.5MHz的可編程開關頻率及高功率密度，並有助縮小電路板尺寸。

/ V7 M3 W* Y2 O. s' k, XGen2.1系列免除了傳統的雙級POL轉換，可以由12V直接進行操作。新元件在為12V輸入電壓作出優化的同時，亦能為9.6V、5V或3.3V輸入電壓應用提供超卓的效率。Gen2.1 SupIRBuck元件除了帶來由2A到12A的管腳兼容電流選擇外，也為過壓和欠壓偵測提供新的電源正常 (PGOOD) 輸出窗口比較器，並以更短的死區時間減少功率損耗和提供更精確的過電流 (OC) 限制。

2 G! L  l9 S: p1 \1 |% x+ n' H5 g) TIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「Gen2.1 SupIRBuck系列經過改良，性能更好，功能更多，還提供新的電流選擇，但仍然採用纖巧的5x6 mm QFN封裝。改進了的功能和可編程能力使這些Gen2.1元件成為功能全面的高性能精密解決方案，適用於伺服器、儲存和網路通訊應用，讓廠商易於部署電路板設計，加快上市速度。」

( Y4 ?$ `# i4 i: v& q  j) m" G* \9 J他補充：「我們藉著這次SupIRBuck系列的擴展重申IR的承諾，就是會按著市場發展趨勢和客戶需要，不斷改進我們的產品線。」

+ w% p# b6 u! ?. L, E8 A2 F新元件的其他功能包括1%精度0.7V參考電壓、可編程自動回復電流限制、可編程軟啟動、增強預偏置啟動、溫度保護、配備電壓監察功能的使能管腳、定序 (IR384xW) 、DDR記憶體追蹤，以及-40C到125C的作業結溫 (Tj) 。

heavy91

IR推出採用PQFN封裝20V、25V及30V MOSFET 適用於ORing和馬達驅動應用
) a+ o3 T0 _) G( w' ~IRFH6200TRPbF 提供業界最低導通電阻
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$ B% m( z2 M/ }# K" j7 b' S/ a+ t全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，當中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

這些新功率MOSFET具備IR最先進的矽技術，亦是該公司首批採用5x6mm PQFN封裝，並配備經優化的銅鉗和焊接晶片的元件。IRFH6200TRPbF 20V元件提供領先業界的(RDS(on))，在4.5V Vgs下最高也只為1.2mΩ，有助手動工具等DC馬達驅動驅動應用顯著減低傳導損耗。
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8 `0 ~! X2 B: tIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR憑著在基準MOSFET技術方面的豐富經驗和不斷的努力，繼續在業界發揮光芒，透過把我們新一代矽技術與PQFN封裝技術結合，推出性能超卓的新MOSFET系列，帶來領先業界的(RDS(on))。此外，我們將按產品發展路徑，在未來數月推出廣闊的PQFN基準MOSFET產品陣營，來回應客戶的訴求。」
, d: j( R& h% }
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF這兩款元件都是為DC開關應用，例如要求高電流承載能力和高效率的有源ORing及DC馬達驅動應用而設計。IRFH5250TRPbF具備極低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且閘電荷 (Qg) 僅為52nC。至於IRFH5300TRPbF的RDS(on)則最高只有1.4mΩ，而Qg就有50nC。

/ f2 N- D* _* s+ T: d, O1 i& k8 @2 `如果設計採用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF元件，不單能夠擁有卓越的溫度性能，還可以在指定的功率損耗下，比現有的解決方案使用較少的零件，有助節省電路板空間及成本。
8 R' s) ?. R9 ]3 l
1 ?' y5 @3 [5 n# K所有這些新元件都具備低溫度電阻 (<0.5°C/W)，兼且達到第一級濕度感應度 (MSL1) 業界標準。它們也不合鉛、溴化物和鹵素，符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

jiming

IR新型25V DirectFET晶片組為高頻率DC-DC開關應用帶來業界領先效率
0 s- T/ j' U" g$ p. zDirectFET晶片組結合超低電荷和RDS(on)，並提供業界最低閘電阻，從而把傳導及開關耗損減到最少
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" T# r. S; H" @" l( g全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET晶片組，為12V輸入同步降壓應用，包括伺服器、桌上型和筆記簿型電腦，提供一 流的效率。

4 p+ J. n" m+ F1 {! {  B% H# xIRF6706S2PbF和IRF6798MPbF 25V晶片組不但採用了IR最新一代的MOSFET矽技術，還結合了業界領先的性能指數 (FOM) 及DirectFET封裝超卓的開關和溫度特性，成為一個為高頻率DC-DC開關應用而優化的解決方案。
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$ W6 V& O) V1 m- J7 B4 }IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR不斷通過改善關鍵性的參數來加強功率MOSFET的性能。新款的IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET晶片組把低電荷及低RDS(on) 與業界最低的閘電阻結合，使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口所引致的傳導及開關耗損減到最少。」
& A; J7 a% }! c- J2 M5 b
: t$ f" b# D6 y& C' lIRF6798MPbF 中罐DirectFET提供低於1 mΩ 的導通電阻 (RDS(on)) ，讓整個負載範圍可保持極高的效率。新元件備有單片式整合式蕭特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關的耗損，並且反向復原耗損以進一步加強解決方案整體的性能。IRF6798MPbF也提供僅為0.25 mΩ的極低閘電阻 (Rg)，避免了與Cdv/dt相關的擊穿。

IRF6706S2PbF小罐DirectFET也具備低電荷和低RDS(on) 來減少開關及傳導耗損，更為快速開關提供極低的Rg。

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IR 新款XPhase晶片組為AMD新一代處理器帶來卓越效率 簡化設計使體積更小

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3521及IR3529 XPhase晶片組解決方案，為新一代高性能AMD處理器在整個負載範圍內提供卓越的效率。
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$ g- n0 G3 o, ?' @8 aIR3521 XPhase控制IC支持高速 (HS) I2C串行通訊，以提供整體系統控制。這款元件能夠與任何數量的相位IC 接合，讓每一個相位IC可以 驅動並監察一個相位。當IR3521與IR3529 XPhase相位IC配合使用， 便能夠提供相位調低功能，顯著改善電源的輕負載性能。

IR3529相位IC本身利用功率狀態指示器 (PSI) 去盡量提升在輕負載中的效率，以及加強驅動器效能和減少非重疊時間。這個新元件更包含Turbo部分來改善負載啟動反應。此外，IR3529也擁有其他新穎的功能，能夠大幅加強轉換器的瞬變反應，從而減小解決方案的整體尺寸和降低成本。
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- i' o4 e7 t0 d- eIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「我們為AMD處理器推出的全新XPhase晶片組包含了IR的DirectFET MOSFET，能夠提供外形更小巧、更靈活，也易於設計的電源，而且在整個負載範圍內，效率都較傳統方法為高。」

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IR3521控制IC同時為AMD CPU所需的VDD核心和VDDNB輔助面提供輸出，並且具備高速錯誤放大器，頻寬也多達20MHz，還有10V/us的高速轉換率。遙距的感測放大器不僅只需少於50uA的偏置電流，也提供差分感測。同時，新元件更擁有廣泛的可編程功能，包括可編程動態VID轉換率、VID Offset (只有VDD輸出)、輸出阻抗 (只有VDD輸出) ，以及為IDD尖峰而設的動態OC。
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' ]: a( S7 }  A# l# B9 B* F" j% oIR3521TRPbF現正接受批量訂單。新元件的數據資料和應用說明已刊登於IR的網站http://www.irf.com。此外，IR亦會按要求提供參考設計。

% `; G+ w3 U& S: A- l3 U- c+ R關於XPhase
- B5 v3 x2 ]/ {, ^" y# HXPhase是IR的分布式多相位結構，當中包含以簡單6線式匯流排電路溝通的控制IC和相位IC，不用改動基本設計也可隨時增減相位。其6線式匯流排包含3線數位相位定時匯流排、平均電流、錯誤放大器輸出和VID電壓。透過省去控制和相位IC之間的點對點導線，6線式匯流排能夠縮短互連，減少寄生電感和雜訊，從而簡化PCB設計，實現更穩健的設計。

+ i! s0 \* I- v$ bIR3529相位IC具備防偏置電路、7V/4A門驅動器 (6A GATEL匯電流) ，還支援無損耗電感器電流感測。新元件也擁有周期性電流保護，以解決高重複負載瞬變的問題。

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IR擴展中壓功率 MOSFET 產品系列 推出多款採用銅夾技術之 PQFN 封裝元件
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% ~2 k2 H5 Z/ D7 V8 T6 V) {全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日擴展了 HEXFETR 功率 MOSFET 產品系列，提供完整的中壓元件陣營。它們採用5x6 mm PQFN封裝，並具有經過最佳化的銅夾和焊接晶片技術。

這些新型功率MOSFET採用了IR最新的矽技術，能夠提供開關應用所需要的標準效能，適用於網路和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源 (SMPS) 及馬達驅動開關。由於這些元件能夠支援40V到250V的寬廣電壓，所以能夠提供不同水平的通態電阻(RDS(on)) 和閘極電荷 (Qg)，為客戶的特定應用提供最佳化效能和體現更低的成本。
) b& M. v6 T6 A+ r+ i% B- i  g
* W3 l1 F  v; C' K& w2 H2 B7 M* W( V+ cIR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「這些新型元件的大小只有0.9mm，並且具有標準引腳，可以提供高額定電流和低通態電阻。相較於需要採用多個並行元件的解決方案，它們具有更高的效率、功率密度和可靠性，相當適合電路板空間狹小的開關應用。」

各款元件皆具有低熱阻 (少於0.5 °C/W)，又符合MSL1 標準，採用的環保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質管制指令 (RoHS) 。

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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新線上絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 選擇工具。此工具有效優化多種應用設計，其中包括馬達驅動、不斷電系統 (UPS），太陽能逆變器和焊接。
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2 I' ]6 Y6 C$ W* p0 D( _IR全新線上IGBT選擇工具能評估如母線電壓、切換頻率和短路保護要求等應用情況。新線上工具置於mypower.irf.com/IGBT，不但可以估計損耗，還可以建議一些能夠適用於相關運作條件限制內的零件。該工具更會為每個零件給予定價，使設計人員能夠考慮有關元件的選擇對系統成本帶來的影響。
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' m$ @. z0 ?! C3 PIR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR提供了一系列的IGBT產品，為不同的應用優化逆變器設計。新的線上選擇工具有助工程師能夠迅速、較鬆地比較選擇，從而為他們的設計選出最理想的IGBT。」

6 @1 T4 M' I) J+ ~% G0 \- w IGBT的選擇需要同時評估多個參數，不能簡化為單一數式。比方說，由於切換損耗可用傳導損耗來抵消，所以計算作業損耗不單需要作業電流，還要有作業頻率和母線電壓作為參數。此外，假如一些馬達驅動逆變器要求最少的耐短路時間，便得忍受較高的損耗。
# g* ?  O" W  ?; Y5 R0 Q
IR提供了多款權衡不同切換速度的IGBT選擇，以及為沒有最低短路要求的應用而設的元件。新的選擇工具有助設計人員利用IR廣泛的IGBT組合去權衡設計的性能 。

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IR 新型-30V 電壓 P-通道功率 MOSFET 使設計更簡單靈活
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$ ]: n; `2 ?: p( t, [) L, {全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新-30 V元件系列，採用 IR最新的SO-8封裝P–通道 MOSFET矽元件，適用於電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款的P–通道元件提供從 4.6 mΩ到59 mΩ的導通電阻 (RDS (on)) ，來配合各類型的功率要求。P–通道 MOSFET 免除使用電平轉換或充電泵電路，使它們成為非常理想的系統/負載開關應用解決方案。
( c4 [) Z- I; |4 j" L! Z- h" p' A   
% m4 b$ l3 y# G: ~3 [3 L1 r5 k; {IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「相比上一代的產品，這個新型SO-8 P–通道 MOSFET系列顯著改善了電流處理，更為客戶提供廣泛的RDS（on）選擇來配合他們對溫度和成本的要求。同時，P–通道技術也可以簡化電路設計。」

P–通道 MOSFET元件達到第一級濕度感應度 (MSL1) 標準，不含鉛且符合產品有害物質管制規定 (RoHS) 標準。  

產品規格

元件編號	封裝	BV (V)	最大 Vgs 9 l- X+ F/ M$ u6 T(V)	在10V下典型 / 最大RDS(on)(mΩ)	在4.5V下典型 / 最大RDS(on)(mΩ)
IRF9310	SO-8	-30	20	3.9 / 4.6	5.8 / 6.8
IRF9317	SO-8	-30	20	5.4 / 6.6	8.3 / 10.2
IRF9321	SO-8	-30	20	5.9 / 7.2	9.3 / 11.2
IRF9328	SO-8	-30	20	10.0 / 11.9	16.1 / 19.7
IRF9332	SO-8	-30	20	13.6 / 17.5	22.5 / 28.1
IRF9333	SO-8	-30	20	15.6 / 19.4	25.6 / 32.5
IRF9335	SO-8	-30	20	48 / 59	83 / 110
IRF9362	SO-8 (dual)	-30	20	17.0 / ! f- @" ^0 g& [0 o5 j6 j% b& U1 _21.0	25.7 / 32

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IR推出業界首個 8 -支腳高效共振半橋控制IC  以簡化SMPS設計及降低整體系統成本
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出業界首個8 -支腳高效共振半橋控制IC，讓液晶電視和顯示器、家庭影院系統、桌面電腦、打印機和遊戲機應用的開關電源 (SMPS) 能夠達到高效的節能效果。
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1 }3 Q: w$ |+ @IRS2795 (1,2) S共振半橋控制IC採用8支腳 SO-8封裝，並提供高度編程和保護功能，當中包括配合50%固定工作週期，高達 500kHz的可編程開關頻率；可編程軟啟動頻率和軟啟動時間；以及在所有負載條件下，為優化零電壓開關 (ZVS) 而設的可編程死區時間，以實現高效率和低開關噪聲。
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IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「隨著越來越多設計師致力利用共振半橋拓撲提高系統的整體效率，配合IR11682 SmartRectifier  IC使用的新款IRS2795xS 8-支腳元件，將為設計師帶來高效的電源解決方案，有助簡化設計和降低整體系統成本。」

% m: {4 e; Y6 f- c/ bIRS2795 (1,2) S元件利用低側 MOSFET的導通電阻 (RDS (on)) 提供過電流保護，毋須使用額外的電流檢測電阻器。其他主要功能包括高達 +600Vdc的浮動通道自舉運作、微功率啟動、超低靜態電流，以及用戶啟動的的微功率「睡眠模式」。

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IR推出4x5 mm SupIRBuck整合式負載點穩壓器新系列 大幅減少33%的占用範圍和PCB尺寸

4 a  j# r# r& e8 Z! \全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出4x5 mm封裝的SupIRBuck整合式負載點 (POL) 穩壓器系列。新元件專為節能伺服器、儲存系統、電訊系統、網路通訊和機頂盒應用而設，提供與上一代元件同樣的效率和功能，但占用範圍則減少了33%。
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IR3853、IR3856和IR3859 SupIRBuck穩壓器把高性能的控制器和IR最新的MOSFET整合到4 × 5mm的超薄PQFN封裝內，分別提供4 A、6 A和9 A的輸出電流，以達到超過96%的峰值效率。新功能還包括過壓保護和外部同步化，以減少多軌系統的噪聲和EMI，以及專為可調整的PGOOD及OV臨限設置的準確輸出變壓感應選項。

" i$ r9 A# {( V; u5 n新元件不再需要傳統的雙級POL轉換，並能通過從 12 Vin直接操作來達到節省能源、體積和成本的效果。這些元件為12 V輸入電壓作出優化的同時，也可以使5 V單軌輸入電壓應用取得卓越的效率。由於可編程開關頻率高達 1.5 MHz且只有4x5 mm的占用範圍，新穩壓器不但縮減了體積和成本，更能實現更高的功率密度。此外，這些元件的通用占位面積為設計帶來靈活性，且容許剪貼電路布置，有助產品加快推出市場。
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0 w% J( [- b8 z3 G# L6 [IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR3853、IR3856和IR3859系列提供與上一代SupIRBuck元件同樣的效率和功能，更大幅減少33%的占用範圍和PCB尺寸，使它們能完全適用於空間受制的POL應用。與此同時，新SupIRBuck系列提供9安培以下較小及較具成本競爭力的解決方案。」

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SupIRBuck系列的功能還包括可編程自動回復電流限制、可編程軟啟動、增強預偏置啟動、溫度保護、配備電壓監察功能的使能管腳、為欠壓和過壓檢測提供電源良好輸出，以及在0-125C的溫度範圍內，具備準確度達+ / - 1%的0.7 V參考電壓和-40oC到125oC的作業結溫。
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1 }, t& l7 D) M5 p

產品規格

元件編號	封裝	電路	Vin範圍(V)	Vout 範圍 (V)	Iout (A)	開關頻率(kHz)
IR3853MTRPbF	PQFN 4x5	單一輸出	1.5 - 21	0.7 – 90%Vin	4	250 -1,500
IR3856MTRPbF	PQFN 4x5	單一輸出	1.5 - 21	0.7 – 90%Vin	6	250 -1,500
IR3859MTRPbF	PQFN 4x5	單一輸出	1.5 - 21	0.7 – 90%Vin	9	250 -1,500

參考設計	採用元件	Vin範圍 (V)	Vout 範圍 (V)	Iout (A)	開關頻率 (kHz)
IRDC3853	IR3853MPbF	12	1.8	4	600
IRDC3856	IR3856MPbF	12	1.8	6	600
IRDC3859	IR3859MPbF	12	1.8	9	600

設計工具

新款SupIRBuck負載點穩壓調器現已接受批量訂單。有關的數據資料和應用說明已刊登於 IR 的網站
! G& F2 ]5 h9 _; u2 ~www.irf.com。同時，使用新元件的IRDC3853，IRDC3856和IRCD3859 SupIRBuck參考設計也有供應。

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IR推出IRF6708S2及IRF6728M DirectFET MOSFET晶片組 特別適合講求成本的DC-DC應用  

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出了IRF6708S2及IRF6728M 30V DirectFET MOSFET晶片組，特別為講求成本的19V輸入同步降壓應用，例如筆記型電腦而設計。
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* Q: e& A% z" \6 UIRF6708S2小罐和IRF6728M中罐元件可減少零件數量達30%，所以能夠大幅降低整體系統成本。這些新款的DirectFET  MOSFET備有低電荷和低導通電阻 (RDS(on)) ，從而盡量減少傳導及開關損耗。IRF6728M並且擁有單片型整合式蕭特基二極管 (Schottky) ，可以降低與體二極管導通和逆向復原相關的損耗。
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6 a% r- ~. ]7 l& S0 k+ nIR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRF6708S2和IRF6728M晶片組能夠為講求成本的DC-DC開關應用提供高效率，且具備成本效益的解決方案，同時以DirectFET確保卓越的溫度性能，充分體現一流的整體價值。」
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* ]6 t8 x* w# U/ nIRF6708S2及IRF6728M具備IR最新一代的30V MOSFET矽產品。這些新元件除了擁有低RDS(on) 和低電荷，也善用了DirectFET封裝的低寄生電阻電感和卓越的散熱效能。

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IR旗下IRMCK171控制IC獲取IMQ認證 進一步縮短變速馬達產品設計時間

全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 宣布，為家電產品上的無感應弦波馬達控制而設的IRMCK171一次性可編程，以ROM為基礎的單片式混合訊號IC，符合IEC 60335-1 4.2版本的IMQ (義大利質量標誌協會) Annex R標準——B類軟體要求。
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1 ^& y# ]6 y/ D: w7 \這項全新認證通過減少軟體測試過程所需的元素，為使用IRMCK171的家電產品進一步簡化和加快設計流程。此外，IMQ認證亦有助客戶更易於確保其電器達到安全標準，滿足目前市場對家電產品的硬性要求。

IRMCK171是為變速馬達控制而設的iMOTION整合式設計平台之一部分，包含IR所專利，免除了編碼的算法編輯器——運動控制引擎(MCE) 。同時，一個協同整合的60MIPS、8位元8051微控制器，在幾乎獨立於MCE的情況下運作，使應用層軟體開發得以實現，且不會與系統中斷和內部暫存等情況爭奪系統資源。它的嵌入式類比訊號引擎(ASE) 匯集了所有訊號調整及轉換電路，切合PM馬達的單一電流分流及無感應控制所需。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉稱：「家電產品內的變速馬達控制是能否顯著節約能源的關鍵，可是電子控制單元的設計異常複雜。與此同時，設計師必須配合高銷量市場，以相對低的成本達到高效能，所以希望透過尺寸細小但高度整合的元件來簡化製造過程。」

( y* j8 `; t/ ^) _+ m0 a- F他續稱：「IR的iMOTION平台由開發系統、混合訊號類比晶片組與功率級組成。設計師只要把以上組件協同設計，就可以簡化馬達控制的設計，以及為市場更迅速提供節能和符合成本效益的解決方案。這個平台叫製造商無法再抗拒於家電產品內採用永磁變速馬達驅動器，現在加上IRMCK171，產品的設計週期及安全認證流程將可以進一步縮短。」

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IR為空間及溫度受限運算和消費性應用 擴充PowIRstage陣容以提升延展性與效能


全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 擴充PowIRstage整合式元件系列，推出特別適合下一代伺服器、桌上型電腦、繪圖卡及通訊系統應用的IR3551。

IR3551的最高操作點達到50A，非常適合高端處理器及DDR記憶體多相位解決方案，且能在1.2V輸出下，提供高達94.5%的尖峰效率。全新元件將同步降壓閘極驅動器、基準優值控制，以及同步MOSFET與蕭特基二極體(Schottky diode) 整合到一個既細小亦高密度的纖薄6×5mm引腳相容PQFN封裝。

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IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR3550及IR3553的卓越表現有目共睹，促進了客戶設計的效率及節省空間。隨著全新IR3551的推出，我們現在可以透過引腳相容的60A、50A與40A額定元件，使客戶能夠根據他們的產品需要來優化每個相位的效率。」

IR3551與IR3550及IR3553引腳相容，所以客戶只需採用單一布線，並選取所需的隨插隨用PowIRstage產品，就能享用性價比最高的解決方案，同時免除因需求改變而要重新設計電路板的風險。
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* v) W7 i% r$ s" WIR3551、IR3550及IR3553利用IR在半導體整合、封裝和控制技術的尖端科技，提供高電流密度和高效率的功率級解決方案。PowIRstage元件能夠在高電流與高效率的多相位配置中達到系統級延展性。相對其他同類方案，新系統方案在絕大部分情況下都能夠減少相位數目和縮減電路板使用空間。
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* B* x' s. `- W9 p1 I) y; gIR的PowIRstage產品同時提供整合式電流感測放大器，其電流感測的精確度和噪聲免疫能力較其他以電感器DCR感測方法為基礎的頂級控制器更高。IR3551、IR3553及IR3550全面兼容IR的CHiL數位功率控制產品，以及市場上大多數符合業界標準的脈衝寬度調制控制器。

; u) W" d; Z. CIR整個PowIRstage系列，包括特為較高功率密度應用而採用雙面散熱設計的下一代元件，都在近期舉行的2012亞洲太平洋經濟合作會議上展出。

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德州儀器推出業界最高速 1.5 GSPS 16 位元數位類比轉換器 大幅提升速度閾值
最新 DAC 較同類產品功耗銳減 50%、運作速度提升 50%
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(台北訊，2012 年  3月 7 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出業界速度最快的 16 位元數位類比轉換器 (DAC)，持續推進資料轉換器的效能極限。該四通道 DAC34SH84 與效能最接近的同類 16 位元 DAC 相比，速度提升 50%，功耗降低 50%，時脈速率高達 1.5 GSPS，每單位通道功耗僅362 mW。DAC34SH84 也與 1.25 GSPS DAC34H84 接腳相容，協助客戶簡易升級以發揮 3G、LTE、GSM 及 WiMAX 無線基地台與中繼器的極致運作效率，及微波點對點無線電 (microwave point-to-point radio) 、軟體定義無線電 (software defined radio) 與波形生成系統的速度最佳化。
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9 f2 O( p9 V+ M: }8 S! t: LDAC34SH84主要特性與優勢
. U, `+ B- d7 W7 U- G•更高頻寬：每顆 DAC 以750 MSPS 輸入速率支援高達 600 MHz 的複合頻寬 (complex bandwidth)，充分滿足 120 MHz 的五階線性化 (fifth order linearization) 需求，以最高取樣速率運作時，頻寬比同類產品高 3 倍；
•頻率捷變 (frequency agility)：2 至 16 倍內插 (interpolation) 與兩個獨立 32 位元數值控制振盪器，提供具高度彈性的頻率規畫，同時降低介面速率與 FPGA 成本；
•RF 旁波帶 (sideband) 圖像抑制：完整 RF 傳輸路徑的電路板校準可抑制旁波帶 (sideband) 與本地振盪器饋通 (local oscillator feed-through)，同時可驅動最新 TRF3705 等 IQ 調變器；
•最快速 16 位元 DAC：DAC34SH84 屬於 DAC3484 產品系列，其包含前代業界最快速 16 位元 DAC，即1.25 GSPS 四通道 DAC3484、DAC34H84 及 1.25 GSPS 雙通道 DAC3482 等。除了提供最高速度，此系列可幫助設計人員大幅度提升設計方案的電源效率。