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FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。
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" W9 k, @7 c+ A) a: \- p$ L- d/ T特性和優勢
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2 T4 A* M* D0 Y. u# P• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。: G- l" Y6 d0 w- M
• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能
" |! u' ?0 S% H9 @3 r# m1 l1 Q• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)- d, |5 y' i; x5 s# `
• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。! ~6 u9 o& N% x$ P
+ W4 T- E$ q& e, Z- x' z快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。
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/ l2 B, n$ L6 e/ H' t/ W價格:訂購1,000個
2 i$ {4 _. ?2 N. S4 q/ n TFDMF6708N 每個1.86美元. C/ J& z% S, ^; C D7 ?: r
供貨: 按請求提供樣品% M! {0 g" J# L8 \5 Z+ Q, H
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