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SiC技術超越其他技術的優勢包括:
8 G+ r3 L! f9 x- m; C
4 V# J4 e' ]; l, |, p: k• 在特定的晶片尺寸下具有較低的導通狀態電壓降(Voltage Drop) , N6 f# v( s* |4 F1 _
• 較高的電流密度 9 u7 x, w+ }6 `7 O
• 較高的運作溫度- U$ h( M7 E9 o3 a. r+ z
• 極低的熱阻抗 % M: C* G, m& x$ w4 v
• 只有多數載流子傳導,具有超快的開關速度 ! X3 K) u' H- u- j% O& i
• 採用電流增益範圍為100的通常關斷運作(off operation)方式,提供簡便的驅動解決方案
# |1 c- L6 d5 K8 V• 由於採用正溫度系數電阻元件,可以達成簡易並聯
" T* H O K: j: V7 Y, O2 m) Z6 S5 L& H: r8 W" ^
另外,這類元件的阻抗非常接近SiC技術的理論極限,並且成功在25ns的導通和關斷時間範圍內展示出800V下的50A開關運作。這些元件在長期的全額定偏流和電流應力狀況下具有參數穩定性。
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0 T! D5 a: E* o1 v, o這款元件具有領先業界的效率,可將成熟的矽技術元件的相關損耗減少達50%,或在相同的損耗條件下,將頻率提升達四倍。SiC元件具有顯著縮小的尺寸、較少的被動元件,能夠降低整體系統成本和提升價值。對於需要最高效率和功率密度的系統,該元件是無可比擬的首選產品。8 t5 ^( a" A+ U% M$ @8 v$ I" z+ h
1 n+ ^' w) s8 c* N: `: a快捷半導體正在為目標應用提供最高50A額定電流的1200V初始產品之樣品,並將於未來開發具有更高電壓和電流範圍的產品,繼續推動省能工作。 |
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