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Mobile DRAM 台灣布局要趁早4 Q H' U7 j! G: i4 V/ [% M
7 P* K) U1 J, V0 [+ I' ]+ ~1 i另一方面,近年為滿足智慧型手機等行動運算裝置使用需求,使得Mobile DRAM這類具有獨特省電特性的記憶體應運而生。另外,追求輕薄短小的手機也為記憶體帶來新挑戰,不僅耗電量要低,更要在有限空間內達到最大容量,只有採用最先進製程,才能符合所有的要求,故Mobile DRAM可望成為引領高端製程的新力量。
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$ U: j$ Q, K; b* R0 `! ?拓墣指出,Mobile DRAM不僅具備省電特性,最終產品型態也不同於一般記憶體模組。Mobile DRAM通常採用裸晶配合NAND Flash進行MCP封裝,或採用PoP(Package-on-Package)封裝,再與Application Processor堆疊組裝。無論裸晶圓測試或MCP封裝都必須有完整的配套,台灣DRAM產業應即早切入,發展出完整供應鏈,才能在Mobile DRAM市場佔一席之地。
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* L6 E+ t s: }! L; d7 h6 E" ZNAND Flash 行動雲端帶動成長0 V; {- ]& T& s
+ L6 W& _) o+ r% N: A) r8 y% l而行動雲端運算新趨勢興起,智慧型手機等行動裝置可即時將時、空、影、音等各項資訊提供給資料中心(Data Center)中的雲端伺服器進行運算,以取得最佳結果。Mobile DRAM、NAND Flash在過程中將扮演更加重要角色,因此兩者占整體記憶體的比重也將逐漸增加。# B) s8 k" t: _1 x2 x( d" Q
! M$ @0 |3 R* D, J9 i% T# `雖然NAND Flash需求量大,但由於各大NAND Flash廠紛紛透過擴產、製程微縮及採用部份TLC顆粒等三種方式來搶攻市占率,預估2011年將有微幅供過於求的狀況,但價格可望維持一定水準。
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! T% D6 S: i& N' }7 A4 G, g1 f3 ^在SSD部分,拓墣預估2011年開始採用2xnm MLC顆粒單位價格將降至與目前Server級硬碟(1美元/GB)相近水準,再配合先進ECC、Wear Leveling等技術延長使用壽命至伺服器等級,可望大幅度提高SSD在伺服器市場使用率。但由於SSD與PC/NB用硬碟仍存在相當大的價格差異(SSD單位價格約1美元/GB,PC/NB用硬碟僅0.1美元/GB),所以SSD在NB中的運用將仍將集中在1,500美元以上的中、高階機種。 |
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