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Layout Optimization on ESD Diodes for Giga-Hz RF and High-Speed I/O Circuits

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1#
發表於 2010-6-25 08:49:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Layout Optimization on ESD Diodes for Giga-Hz RF and High-Speed I/O Circuits
& r, m0 j6 F4 f+ L- K
5 @5 T5 B  C, I) n* P
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2#
 樓主| 發表於 2010-6-25 08:50:33 | 只看該作者
Abstract -- The diode operated in forward-biased condition has
' c5 n* g' ]' H/ X0 Z0 Ibeen widely used as an effective on-chip ESD protection device at1 C# ?" y9 u8 f" h  g
GHz RF and high-speed I/O pads due to the small parasitic1 T. z+ ]1 V  G# R7 P
loading effect and high ESD robustness in CMOS integrated
5 F  o# S& f8 fcircuits (ICs). This work presents new ESD protection diodes* P2 r+ m; f' o! b
realized in the octagon, waffle-hollow, and octagon-hollow layout- n/ _. e2 I; b3 }3 t5 K( \: u
styles to improve the efficiency of ESD current distribution and
( Q. g; k4 R% x. S7 Zto reduce the parasitic capacitance. The new ESD protection( _) S# P& w. x2 C
diodes can achieve smaller parasitic capacitance under the same2 _! L+ x5 ~$ w' w. |
ESD robustness level as compared to the waffle diode. Therefore,
" G' Q6 m/ x' j2 \the signal degradation of GHz RF and high-speed transmission
* T8 M" e1 C: n7 A. p" T$ W( jcan be reduced due to smaller parasitic capacitance from the new
3 f! g! b( a; D9 _0 Mproposed diodes.
3#
發表於 2010-7-28 13:45:45 | 只看該作者
看起來有幫助  j1 ]+ Y* h: n& s2 t" l- p( ?; A9 y
感謝分享
1 R8 o6 a: s- I0 r  {先下載來看看
  [  N; |2 {6 Z0 v( k* T5 [; v: pthank you ~
4#
發表於 2010-8-21 09:55:37 | 只看該作者
下載來看看. R7 e  q. B! ]: C
下載來看看; U' G4 Z9 t1 j7 w( ^% i4 {
下載來看看
4 x6 H  h7 n3 h下載來看看3 o( H7 ?( _' p- a: k$ f# ?
應該有幫助
0 i3 R8 C. L# u. t謝謝囉
5#
發表於 2010-8-24 14:58:33 | 只看該作者
谢谢楼主分享,非常感谢
6#
發表於 2010-9-10 15:49:01 | 只看該作者
看起來有幫助
2 s' m+ ^- U9 p" p) z7 L: |* w8 D感謝分享
7#
發表於 2010-9-11 17:00:26 | 只看該作者
Abstract -- The diode operated in forward-biased condition has9 o( t8 `  ?- \6 {
been widely used as an effective on-c ...% T9 Q$ e4 n5 O  S" r- k
semico_ljj 發表於 2010-6-25 08:50 AM
' y6 A5 }& B# X  P2 E  c1 _2 _

) f' m0 V$ ?# A/ x, C3 M: _
0 z8 X/ d1 P: K不知道这种形式的IO有没有经过测试,实际的效果和预想的有多少的差别,thanks!
8#
發表於 2011-6-7 17:02:48 | 只看該作者
正為ESD耐受度傷腦筋----
9#
發表於 2012-3-8 14:19:41 | 只看該作者
thank you very much for your sharing
10#
發表於 2021-8-13 17:43:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~~知識因分享而壯大!
7 a! y. ?. D& M0 {( b, j. |
0 Q4 w) ]% h/ B0 U~只有站在巨人的肩膀上才不會被食人族吃了!
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