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四種產品群的主要功能特色:, L0 D8 O# R4 L3 z; a0 F& y: k
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(1)業界最低的超低耗電量
/ ]# q" q' A1 {- q- n; L- _1 ~5 ]透過製程的改善及其他改良,運作時的耗電量每1 MHz 僅150 µA(每百萬赫茲微安培),相較於R8C/Lx第一款產品的每1 MHz為350 µA,約降低達60%,而且待機耗電量低於10nA。# Z- I0 @/ u+ G2 K( I
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這四種新產品群支援電源關閉模式(低電力模式),此模式首次出現在R8C/Lx系列的產品中。由於這種電源關閉模式可提供更精細的電源控制功能,因此獲得非常良好的回應,而且現在的耗電量比以前降低得更多。在電源關閉模式0中,待機電流量低於10nA,因此可大幅減少待機電流。最新款MCU的運用彈性也持續提升,因為它們能夠在電源關閉模式中維持隨機存取記憶體(RAM)的內容及I/O埠的狀態。另外,新加入至LAxA產品群的電源關閉模式2可維持real-time clock的運作。
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上述改良可提升整體的系統電源效率,利用低耗電的應用大幅延長電池使用時間,例如各種以電池供電的裝置。7 k; _4 P1 `9 w8 j2 K. Y
, a' F3 O; S7 V! F: r1 m7 b(2)使用1.8V低電壓即可刪除、編寫及讀取的快閃記憶體
9 f8 F. \9 V/ z6 W6 a瑞薩電子的R8C/Lx MCU具備兩種晶片內建快閃記憶體類型:一類主要用於儲存程式(可程式快閃記憶體),另一類用於儲存資料(資料快閃記憶體)。四種新產品群支援以1.8V電壓刪除、編寫及讀取所有快閃記憶體,可在MCU 1.8至5.5V整個作業電壓範圍內存取快閃記憶體。如此將可簡化電源供應設計,使用較低的電壓,並允許使用單一電源供應器,藉此降低系統的整體耗電量。* ]# i3 F7 s( I, C
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資料快閃記憶體(Data Flash,註1)是瑞薩電子獨家研發的特殊類型晶片內建快閃記憶體,用於儲存資料。由於不必使用外部EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) 儲存資料,因此有助於減少外部元件需求的數量。 |
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