應用在電腦伺服器的英飛凌能源效率提升晶片可省下一整座發電廠

chip123

英飛凌歡迎歐盟的能源效率提升行動計劃
6 u: Y* H. C' p% [" k0 w: `: d) V8 ]
(台北訊)  2006 年 10 月 30 日  –  電力電子積體電路的全球領導廠商英飛凌科技 (Infineon Technologies)，今天發表一項能進一步提升電源供應裝置 (PSU) 能源效率的創新產品。現今全世界耗用的一大部分電力，都先流經電源供應裝置，再進入電腦、電視和消費性電子等電子設備。而這些正是 OptiMOS®3 新方案的應用領域，其效能遠遠超越目前其他功率半導體。其性能更是出眾：元件減少三分之一，電源供應電器所需空間最多減少三分之二，電阻也降低三分之一。據英飛凌估計，如果所有使用中的電腦伺服器電力系統皆安裝 OptiMOS 3，以提供最佳的能源效率，將可省下一整座 360 百萬瓦發電廠所產生的電力。
/ I3 w# _/ j% i  Y* U9 @- G
' u, T- A) V6 Q, k+ i# e/ Y        「個人非常歡迎歐盟在數天前宣佈的能源效率提升行動計劃，」英飛凌總裁暨執行長 Wolfgang Ziebart 博士表示。「今天歐洲的能源政策面臨了巨大的挑戰，而該計畫代表歐洲在處理這些挑戰上，邁出了極為重要的一步。我們創新的半導體產品，對提高能源效率和節約日趨珍貴的資源，將做出非常大的貢獻。」
) o* `0 |9 Y0 b0 u& B
        歐盟所提出的計劃列舉一系列措施，其中包含各項具成本效益，並以提升能源效率為目標的先導計劃。例如讓消耗能源的產品、建築物和運輸工具更有效率，同時也提高發電效率。英飛凌的產品已部署於能源價值鏈的每一個環節之中，涵蓋發電、配電及有效運用電力等領域。據市調公司 IMS Research 的資料指出，英飛凌功率半導體的營業額從 2004 年的 9.5 億美元，增加到 2005 年的 10.6 億美元。

heavy91

美商國際整流器公司授予英飛凌科技DirectFET®封裝技術的授權同意書

: w& b) B+ l  t* Z6 K. y2007年9月28日德國紐必堡（Neubiberg）及美國加州艾爾塞岡度（El Segundo）訊——英飛凌科技（FSE/NYSE：IFX）與美商國際整流器公司（International Rectifier，IR®（NYSE：IRF）在今天共同宣佈，英飛凌將取得國際整流器公司授權使用該公司獲得專利的先進功率管理封裝技術，DirectFET®。

DirectFET的設計專門運用在電腦、筆記型電腦、通訊及消費性電子裝置的AC-DC及DC-DC功率轉換應用上，DirectFET功率封裝是一項產業優先的表面黏著式（surface-mount）功率MOSFET封裝技術，在一塊相當於SO-8電路板或更小面積上，頂端的冷卻效率佳。比起標準的塑膠離散封裝（plastic discrete package），DirectFET的「metal can」架構具備雙側面冷卻（dual-sided cooling），能有效地加倍高頻率DC-DC降壓轉換器（buck converter）的電流處理容量。
& c, j! K9 ~1 A! Y
7 Z( [; q( }& S" J英飛凌將在OptiMOS® 2及OptiMOS 3晶片技術上佈署DirectFET功率封裝技術，預計從2008年初開始以DirectFET封裝試產OptiMOS 2。

IR的企業功率事業部（Enterprise Power business unit）副總裁Tim Phillips指出：「透由佈署這項獨特的雙側面冷卻設計，IR的DirectFET封裝技術是您在進階計算、消費性及通訊應用上，縮小設計電路板面積的同時，降低能量損耗的最佳解決方案。本公司持續努力開發最先進技術，致力於節省能源，而經由授權同意書，這項創新的DirectFET技術更能擴大節省能源的影響力，進一步擴展本公司在功率管理這個最大市場區塊的市佔率。」

英飛凌科技的功率管理及驅動器事業部（Power Management and Drives business unit）資深副總裁暨總經理Arunjai Mittal指出：「有了這份同意書，英飛凌繼續擴充功率半導體的產品組合。採用各種適用於廣泛應用的封裝選項，並結合了本公司極為成功的OptiMOS晶片，電源供應的設計工程師在已知的應用上，能獲致能源效率及成本效益的雙重解決方案。將OptiMOS 2及OptiMOS 3裝置的優異特性套用在雙側面冷卻功能的封裝上，將更強化英飛凌在功率轉換市場屹立不搖的地位。」

有關美商國際整流器公司
7 }- _- i3 V+ n* G5 T6 \美商國際整流器公司（International Rectifier，IR）（NYSE：IRF）是一家以功率管理技術領先全球的公司。IR的類比及混合訊號IC、先進的線路裝置、整合式的功率系統及零組件，能提升更高效能的計算，並且降低世界單一電力最大消耗品：馬達的能源損耗。諸凡電腦、能源效率設備、照明、汽車、衛星、飛機及防衛系統的領導製造商都依賴IR的功率管理基準，做為他們次世代產品的驅動力。如需更多資訊，請造訪美商國際整流器公司網站：www.irf.com

heavy91

英飛凌推出適用於節能型電源轉換應用的OptiMOS™ 3 75V MOSFET 系列產品
2 _6 x  b- [' e! L0 F
$ J. `" x! U" _) F: B【2009 年6月26 日台北訊】英飛凌科技 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)宣佈推出 OptiMOS™ 3 75V 功率 MOSFET 系列產品。這項新裝置的導通電阻 [RDS(on)] 和優值系數 (FOM) 水準領先業界，可降低功率損耗，並在所有負載條件之下，提升切換模式電源供應器 (SMPS) 以及馬達控制和快速切換 D 類放大器等功率應用的整體效率。
: U) p. A5 J7 x! J& t4 }! q& D% ?; o
9 H- A3 K% Z- J. H1 }6 p0 u1 COptiMOS 3 75V 功率 MOSFET 系列產品，最適合於 AC/DC 切換模式電源供應器進行同步整流時使用，例如用於桌上型電腦以及為全球市場製造之電腦伺服器的電源供應器。新節能目標，例如：由「電腦產業拯救氣候行動計劃」(Climate Savers Computing Initiative)發起的80PLUS® Gold 標準所提倡的電腦節能效率，比美國「能源之星」(Energy Star)計劃目前的標準還提高約 10%。藉由英飛凌OptiMOS 3 75V，便能有效達到上述規格。OptiMOS 3 75V 裝置採用節省空間 SuperSO8 封裝，比其他同類裝置的導通電阻更低 40%，優值系數更低 34%，在 SMPS 的同步整流階段，能降低電源損耗高達 10%。

英飛凌工業與多元電子事業處副總裁兼總經理 Andreas Urschitz 表示：「多年來，英飛凌以提供客戶改善能源效率的方案為核心策略，今日我們已是全世界公認的功率半導體裝置領導供應商。藉由領先技術、高品質的產品、供貨穩定性以及對客戶的支援，我們很榮幸成為 OEM 和 ODM 主要客戶長期信任的最佳供應商。」

, _+ U; f' L6 `6 y  K! Q5 s" H這項新產品加入公司的功率 MOSFET 產品組合後，目前市面上以英飛凌 N 通道 OptiMOS 3 製程技術為基礎的裝置已有近百項，每項產品皆提供最佳的導通電阻以及極低的閘電荷，因此能達成最低的電源損耗。舉例而言，以電源供應的同步整流而言，OptiMOS 3 80V 系列產品的規格已成為業界標竿。全新的 OptiMOS 3 75V 功率 MOSFET 系列產品，比 80V 系列產品的電源損耗更降 10%，讓客戶達到更嚴格的效率標準。

9 Q4 q3 d' j' H: H& o有些特性，例如 RDS(on) [<0.7%/°K] 的最低溫度係數，在溫度升高時會造成極低的導通損失。降低功率損耗能減少裝置並行處理的需要，並允許使用較小的散熱器，進而降低系統成本。

! Y# B, D1 M3 s& A% `此外，英飛凌 OptiMOS 3 75V 功率 MOSFET 產品也達到供應商的期望，提供更小巧的電源供應器設計。例如採用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS 3 75V 裝置，可以替換相等密度的 D&sup2;PAK 裝置，即可節省機板空間高達 60%，垂直高度降低達 77% (從 4.44 毫米至 1 毫米)，且封裝寬度減少將近一半 (從 10.1 毫米至 5.15 毫米)。另外，公司也提供採用 TO-220 封裝的 2.0 m�
典型導通電阻高密度 OptiMOS 3 75V 功率 MOSFET 產品，可替換兩項其他同類裝置。

定價
採用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS 3 75V 裝置，含最高 4.2 mW 導通電阻，以一萬片為批量，每片定價為 0.70 美元。同樣的裝置也提供 TO-220、TO-262 及 D&sup2;PAK 封裝，以一萬片為批量的單價分別為 5 mW 級導通電阻的 0.65 美元、3 mW 級導通電阻的 0.90 美元，以及 2 mW 級導通電阻的 1.70 美元。

heavy91

【2010 年 1 月 15 日德國紐必堡訊】 英飛凌科技 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日宣布擴展 OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列產品的應用範圍，推出全新系列的 200V 和 250V 裝置，適用於 48V 系統、直流/直流轉換器、不斷電系統 (UPS) 和直流馬達驅動變頻器，執行同步整流。OptiMOS 200V 和 250V 擁有比其他同類裝置都更低的優值系數 (FOM)，所採用的技術可大幅減少系統設計中二分之一的導通損失。
$ i2 C* P, |' x  E8 \& }
, m9 i6 P: Z4 l6 r/ T( r目前業界工程師在設計 48V 電源供應器時，大多仍選擇在開關式電源 (SMPS) 中使用二極體式的整流階段，但最新產品將可使整體效率上升到 95% 以上，比目前採用的一般方式高出 2%，因而能降低 30% 的功率耗損。新產品能夠滿足電信網路市場對於高效率不斷擴增的需求，是追求成本控制的企業客戶理想選擇，利用「綠能」技術基礎架構奠定市場優勢。
" Z8 t6 z* [( f) h) n
, A6 X6 R! v$ S& y. {7 J英飛凌工業及多元電子事業處副總裁暨總經理 Andreas Urschitz 表示：「英飛凌推陳出新的 OptiMOS 技術，讓電源系統的關鍵設計規格基準不斷向上提升，包括領先業界的導通電阻和優值系數特性等，不只可降低功率損耗，更可提升整體效率。我們在改善製程及封裝方面的持續努力，不斷將英飛凌產品系列往更高的電壓應用範圍推升，同時也符合本公司齊心努力的目標，也就是因應當前社會所面對的能源效率挑戰。」

heavy91

OptiMOS 200V 和 250V 系列裝置的 RDS(on) (導通電阻) 比其他同類裝置減少 50%，亦即在高電流應用下可達到最低的功率耗損。其閘電荷 (Qg) 比其他裝置少 35%，為業界最低，可在開關應用如電信業的隔離型直流/直流轉換器中，達到低功耗及快速切換的優點。此外，該系列裝置還能減少裝置並行處理，進而降低系統成本；裝置使用低導通電阻，因此能夠使用體積更小的散熱片；加上最佳化的切換運作，能夠降低設計流程的複雜度，加速設計流程。

OptiMOS 200V 和 250V 系列優異的特性，可應用小巧的 SuperSO8 封裝 (5mm x 6mm x 1mm)，取代以往大量使用的 D&sup2AK 裝置 (9mm x 10mm x 4.5mm)。從 D&sup2AK 換成 SuperSO8，除了減少電源半導體所需的空間達 90% 以上，更可提升系統的功率密度。此外，使用 SuperSO8 這類無導線封裝，還可提供最理想的切換運作，提高整體效率。

! a, o* T3 ^% |3 \6 p& n  l上市時程與定價
0 `* h5 ^. D( L" m4 p2 i( i
% A1 @4 {' R) c0 n% n* UOptiMOS 200V 和 250V 系列裝置目前已開始供貨，提供包括採用 TO-220、TO-262、D&sup2AK 及 SuperSO8 等封裝，以及 10.7 毫歐姆、20 毫歐姆、32 毫歐姆和 60 毫歐姆等 RDS(on) 類別的元件。如為少量採購 (1萬個單位)，200V 的定價為 1.2 美元起，250V 則為 1.4 美元起。

heavy91

英飛凌推出省電型家用電器適用的功率切換裝置：600V IGBT RC-Drives 系列專為可變速馬達系統設計

【2010 年 1 月 20 日德國紐必堡訊】 英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日推出一系列的功率切換裝置，適合家用電器內部的高節能型電子馬達驅動。全新的 600V IGBT RC-Drives 系列產品（RC 為「逆導」縮寫），讓可變速馬達能採用更具成本效益的設計，使眾多應用裝置減少 30% 的能源耗用。

# v. a" @5 e# d; C洗衣機、冰箱壓縮機、變頻冷氣機和洗碗機等應用裝置內部採用的可變速馬達雖然情況不盡相同，但大多仍使用電子控制和開關式電源來獲得最佳的能源效率。IGBT（絕緣閘雙極性電晶體）RC-Drives 系列產品將英飛凌領先業界的 TRENCHSTOP™ IGBT 技術與連續電流二極體，整合至單一晶片。相較於競爭對手的解決方案，英飛凌能讓裝置達到更低的導通損失，並同時縮小封裝體積，進而減少系統電路板的面積和散熱片大小，甚至還可降低 10% 的馬達驅動系統整體成本。

6 k3 w5 l9 R2 ^英飛凌工業及多元電子事業處副總裁暨總經理 Andreas Urschitz 表示：「消費者對省電型家電的需求提高，除了可以幫助自身降低電費外，某些地區的消費者還可因此得到優惠價。我們的客戶都在尋找具有突破性的裝置，以求降低成本，開發出創新的設計，並從眾多競爭者中脫穎而出。英飛凌不斷努力，推出能夠滿足全球節能省電挑戰的解決方案，而上述需求正好與我們的目標不謀而合。」

heavy91

IGBT RC-Drives 系列產品提供了 4A（安培）、6A、10A 和 15A 等不同的電流類別，並提供 DPAK (TO-252) 和 IPAK (TO-251) 兩種封裝選擇，尺寸皆為 2.30mm x 6.50mm x 7.22mm。裝置可應用於 30W 至 2kW 的可變速馬達設計，封裝體積小巧，而此一應用區塊中的其他競爭供應商只能提供尺寸 9mm x 10mm x 4.5mm ，較大體積的 D2PAK (TO-263) 或 TO-220 封裝。英飛凌的 15A 裝置採用最佳化的電路板佈線，讓家用電器內電子馬達驅動的製造商能夠減少 IGBT 所需面積達 50%，協助製造商降低物料成本，同時提供設計上的彈性。
; O( w8 x' b$ z: E. v" `& _
此系列產品經過最佳化，飽和電壓 Vce(sat) 僅 1.65V。對於變頻範圍介於 4kHz 至 15 kHz 的變頻家用電器來說，導通損失通常是最主要的耗損來源，因此本系列產品將是最理想的選擇。使用最高電流的裝置即使在全負載狀況下運作，其散熱性也不會有所影響。再加上以優異軟切換表現而聞名的英飛凌 TRENCHSTOP IGBT 技術，更能降低裝置的電磁干擾 (EMI) 程度，測量後證實 EMI 效能較次佳的競爭對手的產品高出 10%，且該測試情境為放置眾多電子裝置的廚房環境，足見其功能之強大。
. F. m) e' w- v0 ^
上市時間與售價
6 o  t: k: N7 Z4 ?
5 t% s/ O, p- N具備低導通損失和精巧體積優點的 IGBT RC-Drives 系列產品，目前提供 600V 電壓類別，已開始大量供貨。樣本採購定價為 0.30 美元 (600V、4A) 和 0.54 美元 (600V、15A)。

heavy91

英飛凌推出 25V OptiMOS™ 穩壓 MOSFET 及 DrMOS 系列產品，應用於一般伺服器效率達 93%  
3 `0 J- h0 K7 y9 e- q
9 |( {4 C1 M3 X+ ]" p4 a【2010 年 2 月 25 日，德國紐必堡及美國加州棕櫚泉訊】為提升運算及電信應用產品的能源效率，英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日於美國加州舉辦的「2010 應用電力電子研討會暨展覽會」上宣佈推出新款 OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列產品。英飛凌所推出的 OptiMOS 25V 系列裝置經過最佳化，適合應用於電腦伺服器電源之穩壓及電信 / 數據通訊之開關。新推出的 MOSFET 產品同樣整合於 TDA21220 DrMOS 裝置，裝置與英特爾(Intel) DrMOS 規格相容。

% z) x: k9 v" B: i: u2 @新款裝置針對效率大幅降低三項關鍵的優值系數 (FOM)，降低 MOSFET 功損最多達 20%，不論在何種負載條件下均能達到最佳的效能。裝置擁有高功率密度特性，讓一般電源供應器內降壓轉換器的電路板面積減少 40% 以上。
3 e& {- p0 e0 ^! H
以六相位穩壓器設計來說，採用一個5V 柵極驅動的全新25V OptiMOS裝置，在輸出電流為30A 至180A條件下，能效可超過90%，峰值效率可達93%。這主要歸功於該裝置採用包括業界最低導通電阻、最低閘電荷，以及最低輸出電容。英飛凌聲稱此功率 MOSFET 供應器是全球首見同時兼具以上三大效率最佳化特色的裝置。

heavy91

依多家市場研究機構的預測，到 2011 年全球伺服器的使用量將高達 6 千萬台，每台伺服器平均耗電 600 瓦，全球伺服器總耗電將達 360 億瓦。即便耗電需求僅降低 1%，即可省下 3 億 6 千萬瓦的電力，相當於一座水力發電廠的總發電量；同時，電源供應器的效率愈高，冷卻系統需求亦相對降低，又可省下更多電力。
$ V! o! q3 r" a2 q% j
; [4 e: Q6 E. v& @5 D英飛凌低電壓 MOSFET 產品線協理 Richard Kuncic 表示：「能源使用率愈高，亦即消耗更少的電力，意謂我們未來將有更多能源，英飛凌在這方面的努力不遺餘力。英飛凌推出高效能且高效率的 MOSFET 解決方案，除了應用在工業、電信產業，也同時深入消費者及家用電器等領域。我們為 MOSFET 立下性能標竿，並致力於鞏固我們作為MOSFET裝置領導供應商的地位，提升電源供應器的能源效率。利用此一全新的 25V OptiMOS 系列，讓客戶得以設計出更低耗能及成本的產品。」

電源供應器設計人員可利用 25V OptiMOS 裝置，減少產品的用電量、降低散熱負載，甚至縮小產品體積。從許多方面來說，這些強化功能能為數據中心業者帶來極高的價值，尤其因為伺服器供電及冷卻的電力成本在整個設備的營運預算中佔了最大比重。終端使用者對於系統整體體積的縮小亦相當重視。

英飛凌新推出的 25V OptiMOS 離散元件採用三種封裝：SuperSO8、CanPAK 及 超小的 S3O8，尺寸僅 3.3 公釐 x 3.3 公釐。採用 S3O8 封裝的六相位轉換器，設計面積可縮小到僅 1120 平方公釐，足足較另外兩種封裝方式減少 45 至 55%。新推出的 DrMOS 裝置 TDA21220，則採用多晶片封裝，整合兩顆新型的 OptiMOS 電晶體及一顆驅動器 IC，效率較市面上其他同級解決方案高出 2 至 4%。

heavy91

相對於採用低導通電阻溝槽技術和超低柵極電荷橫向MOSFET概念的裝置，OptiMOS25V 產品在效率優值系數 (FOM)方面的表現更為出色。在導通電阻相同的情況下，全新 OptiMOS 25V 產品的閘電荷較採用次佳溝槽型產品減少 35%，而其輸出電荷則較佳的橫向 MOSFET 產品減少 50%。
  ?2 Y6 l* T. P) o6 y: c3 j
上市時間與定價

9 e! n1 e3 S. P9 b( X7 ^, D7 d25V OptiMOS系列和TDA21220 DrMOS裝置的工程樣品已開始供貨。以兩千顆為批量時，採用 Su-perSO8 封裝(BSC010NE2LS)的1毫歐 25V OptiMOS 裝置的標準定價為 1 歐元 (1.4 美元)；以兩千顆為批量，TDA21220 的單價約為 1.55 歐元 (2.17 美元) 起。

5 D7 A4 @" P3 E+ e: X! z( u英飛凌計劃於今年第二季推出全新 OptiMOS 系列產品的 30V 版本。搭配英飛凌推出的數位功率控制器及其他功率管理系列產品時，上述裝置將成為符合組裝電腦及英特爾規範效率及效能需求的筆記型電腦電源的理想選擇。

tk02376

英飛凌發表具高功率密度與可靠性的新款精巧型 IGBT 模組 PrimePACK™ 3 以及 EconoDUAL™ 3  
7 S  h/ B8 F) Y' G, k2 {2 D
6 N$ d1 c. {1 G- D- y: x" N( N【2010 年 5 月 6 日德國紐必堡訊】 在德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2010（2010 年 5月 4-6 日）展覽會上，英飛凌科技股份有限公司發表了具最高功率密度與可靠性的新款 IGBT 模組：採 PrimePACK 3 封裝， 1700 V 、1400 A 的 PrimePACK™ 模組，以及旗艦級 EconoDUAL™ 系列產品— 1200V、600 A 的 EconoDUAL 3 模組。
4 C$ k# f  L! W) I2 C. z4 y! c
; A4 d6 t( X# _  ?7 h& ] 英飛凌工業電力部門副總裁暨總經理 Martin Hierholzer 表示：「英飛凌在業經驗證的 PrimePACK 及 EconoDual 系列中，推出這兩款新模組，再度鞏固了英飛凌在高功率密度、節能、精巧設計的 IGBT 模組領域的領先地位。」

新款 PrimePACK 3 模組產品型號為 FF1400R17IP4，在 1700 V 之下具有 1400 A，大幅擴充 PrimePACK 系列的功率範圍。目標應用包含再生能源、牽引機應用、CAV（建築、商用及農用車輛）以及大電力工業驅動裝置等。新款 IGBT 模組滿足市場上日趨重視的功率密度及可靠度需求。

tk02376

PrimePACK 3 尺寸為 89 x 250 mm。新款 PrimePACK 3 模組，如同其產品系列，採用智慧型、最佳化晶片佈線與模組設計。此種革新的封裝概念改善了熱能分佈，使其更容易消散，減少了基板和散熱器之間的熱阻，並讓內部漏感達到最小。
# d8 M& p  V4 ]4 [. ?7 _& I' q
! S: [1 u1 m+ h新款 EconoDUAL 3 模組型號為 FF600R12ME4，是目前在廣受業界青睞的  EconoDUAL 系列中功率最強的產品，在 1200V 之下具有 600A。典型應用為自動驅動系統的變頻器、光電系統的中央變頻器，以及 CAV 的柴油發電機驅動裝置。在內部接合技術和熱阻方面的最佳化模組設計，可達到最高的電流應用，成就最高效率。使用 EconoDUAL 3 FF600R12ME4，您更能將功率範圍提振至高達 30%，而封裝尺寸維持不變。除了一般所知悉的控制接點焊接之外，EconoDUAL 3 系列也引進高可靠性的 PressFIT 接點技術。
9 w7 s$ F0 ^- x7 J+ Q- y8 I; \
0 |, ^9 t9 ?( q& H0 ]上市時間
: T5 n7 }8 s: i8 O) _
; T6 M/ }7 H6 Z; q! B* CPrimePACK 3 系列之 IGBT 模組 FF1400R17IP4 型號之樣品將在 2010 年第 3 季開始提供，預計在 2010 年第 4 季開始量產。EconoDUAL 3 模組 FF600R12ME4 型號之樣品已開始提供，量產時間預計在 2010 年 9 月。

atitizz

英飛凌第二代 ThinQ!TM 碳化矽蕭特基二極體提供完全絕緣的 TO-220 FullPAK 封裝

' _" q' a) B7 m7 U  }【2010 年 5 月 7 日德國紐必堡訊】英飛凌科技股份有限公司今日宣布推出採用TO-220 FullPAK 封裝的第二代碳化矽（SiC）蕭特基二極體。全新的 TO220 FullPak 系列產品結合第二 代 ThinQ! TM 碳化矽 蕭特基二極體的高效能電氣標準以及完全絕緣的封裝優勢，無需使用絕緣套管及墊片，安裝更容易、可靠度更高。

該全新 TO220 FullPAK 在接面至散熱器的熱阻值與標準非絕緣 TO-220 的效能表現近似， 這可歸功於英飛凌專利的擴散焊接技術，不僅大幅降低「晶片至導線架」的熱阻，並有效針對 FullPAK 內部絕緣層做出補償。英飛凌推出 600 V FullPAK 產品組合，額定電流從 2 A 至 6 A，是業界此種封裝類型中最多樣化的碳化矽二極體產品系列。
5 v/ G' Q6 X$ K6 ~
碳化矽可說是功率半導體的革命性材質，其物理特性遠優於矽的電源裝置， 主要的特性包括優異的切換特性、無逆向回復現象、幾乎不受溫度影響的切換特性，以及 -55° 至 175°C 的標準操作溫度。碳化矽蕭特基二極體的主要應用領域包括「切換式電源供應器」（SMPS）的主動式「功率因素校正」（PFC），及其他的 AC/DC 與 DC/DC 功率轉換應用，例如太陽能轉換器及馬達驅動器。FullPAK 產品系列尤其適用於平板顯示器 (LCD/PDP) 與電腦的電源應用。

英飛凌於 2001 年即推出首款碳化矽蕭特基二極體產品，是全球第一家推出此類型產品之廠商。過去幾年中，英飛凌針對碳化矽蕭特基二極體的技術展開數項革新，包括突波電流的穩定性、切換效能、產品成本和封裝，並擴展了 碳化矽技術的效益。碳化矽蕭特基二極體已提供 600 V 及 1200 V 兩種產品。

完整的產品系列已經開始生產，定價則相當於採 TO220 封裝的對等零件。

tk02376

英飛凌推出第三代High Speed 600 V 、 1200 V IGBT產品，突破切換與效率的限制

, R3 `9 h. X) V( |& K【2010 年 5 月 6 日德國紐必堡訊】英飛凌科技股份有限公司今日推出 600 V 及 1200V 第三代高速型 IGBT High Speed 3 產品系列，特別適用於高頻率和硬式切換相關應用。這一系列的裝置為降低切換損失以及極優異效率立下了新的標竿，可適用於高達 100 kHz 的拓樸切換。
+ R; `* J, M# r, A* g
近幾年，為因應離散式 IGBT 應用的相關需求，設計必須尋求特殊性能的 IGBT，實現最高的應用效能，例如切換和導通損失的最佳化。英飛凌新款 600 V 和 1200 V High Speed 3 系列，針對高頻應用如電焊機、太陽能轉換器、交換式電源供應器 (SMPS) 和不斷電系統（UPS）等，賦予設計者最卓越的系統效能。
/ G+ M; N+ |* R% r. b- m
英飛凌 IGBT 功率離散元件資深行銷經理 Roland Stele 表示：「過去幾年來，IGBT 廣泛應用於工業驅動、感應加熱、焊接、UPS 與太陽能轉換器，相關需求大幅增加，各種應用皆需不同的最佳化電源切換。英飛凌新一代的突破性 IGBT 元件特別適合於高頻的應用，能達到最低的切換損失並提升效率。」

tk02376

新 High Speed 3 IGBT 系列針對高達 100 kHz 之應用作最佳化設計。相較於前一代產品，整體關斷損耗降低了 35%，這可歸功於極短的拖尾電流時間。拖尾電流時間縮短了 75%，進而達到 MOSFET 的關斷切換特性。

) K$ e5 b% Y  H, A1 a導通飽和電壓在整體損失上扮演關鍵角色，能在切換損和導通損之間，掌握良好的平衡。新的 High Speed 3 系列採用英飛凌業經驗證的 Trenchstop™ 技術，擁有極低的導通飽和電壓，因此不僅具備極低的切換損失，導通損失同樣極低。
) p2 y0 j2 X& w$ W/ Q
3 B5 a9 b: O. G  ^4 N3 ?% LHigh Speed 3 系列高速型 IGBT 內含一飛輪二極體 (free-wheeling diode)，此二極體尺寸已針對高速切換作最佳化設計，保持高柔軟性，應用於電磁干擾亦有非常優異的表現。

上市時間與定價
1 c4 {- j) @4 G% Y/ M# O- ^
, w% B; H! J; n符合 RoHS 規範的新款 High Speed 3 系列提供600V 、 20A 至 50A 的選擇，以及1200V 、 15A 至 40A 的版本，且已全面量產。

$ B, Z/ i( n0 M樣品的價格則為 1.90 歐元 (600V, 20A) 至 5.10 歐元 (1200 40A)之間。

tk02376

英飛凌開創硬體式安全性的新紀元：德國國家資訊安全局認可搭載革命性「Integrity Guard」技術的 SLE 78 安全控制器具備優異的安全性能

【2010 年 6 月 17 日德國紐必堡訊】英飛凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣布旗下 SLE 78 安全控制器系列獲得德國國家資訊安全局 (BSI) 認證，獲准應用於電子 ID 文件和晶片卡等領域，英飛凌所提供的高度安全性表現再度獲得肯定。全球政府及公家機關的 ID 文件上均採用符合國際標準 Common Criteria EAL5+ (high) 安全認證之安全控制器，在德國，則由國家資訊安全局就符合相關安全性標準的產品核發國際認可的證書。
; E- R  m+ R: d+ Q2 r- E7 l  l
2 R; G4 w" V6 N* I4 n, z英飛凌晶片卡及安全業務事業處總裁 Helmut Gassel 博士指出：「SLE 78 系列採用了我們革命性的『Integrity Guard』安全技術，透過這項技術，英飛凌將開創硬體式安全的新紀元。這是晶片卡推出25餘年來，首次將資料在CPU上以加密形式進行處理。相較於傳統的作法缺乏像是資料路徑的端對端加密、連續監控，以及兩個 CPU 之間交叉檢查等安全性功能，英飛凌新一代數位安全晶片所採用的Integrity Guard 則向前邁進了一大步。」

! |; P7 ?. g* N) {) G# KSLE 78 系列特別因應長期的安全性需求所設計，內含許多先進的安全功能及機制，特別適於儲存資料需要高防護等級的應用，包括了付費卡和高安全機密性的政府專案，例如：德國擬於 2010 年 11 月 1 日核發的晶片式電子身分證(ID)等。新式ID卡的有效期長達十年，除了比照傳統身分證顯示持有人相片及書面資訊，並計畫於網際網路進行私人及商業交易時，作為電子身分憑證之用。這張卡片還能提供合格的電子簽章，具備等同於手寫簽名的法律效力，可用於呈送公家機關等需具法律約束力的聲明等相關運用。

tk02376

創新的Integrity Guard安全技術

/ C: v$ q. T$ X/ Q, V業經認證的 SLE 78CLXxxxP 產品系列提供非接觸式和接觸式兩種介面，採用以 Integrity Guard 安全技術為基礎的硬體加速器，可執行進階的加密作業。

Integrity Guard 賦予安全控制器更全面的錯誤偵測功能，提供完整資料路徑的加密機制，包括兩個 CPU、記憶體 (EEPROM、Flash、ROM 和 RAM)，以及快取記憶體和匯流排。晶片核心內含有兩個中央處理器 (CPU)，能持續相互進行交叉檢查，立即偵測演算作業是否正確執行，或是否出現攻擊。安全控制器一旦偵測到錯誤或攻擊，便會觸發警報並立即中止作業。

1 ^' J- t& T; G5 N' D, A! YIntegrity Guard 另一項關鍵優勢，就是它能對加密資料進行運算。現今使用的傳統式安全控制器都必須將資料解密，才能進行處理，如此將容易成為部分攻擊模式的目標。而 Integrity Guard 能讓機密資訊在整個資料路徑的交易及處理期間，全程保持加密狀態，完全彌補相關的漏洞。

tk02376

國際安全認證 Common Criteria Evaluation Assurance Level 5+ (EAL5+) high
7 n$ x# L0 @* U4 }5 f5 a$ J* j
6 k; S8 w; }2 B# C, iSLE 78 系列安全控制器通過德國 BSI 認證，符合 Common Criteria Evaluation Assurance Level 5+ (EAL5+) 「高」等級的安全機制。該晶片經過 BSI 數個月的嚴格技術測試考驗。
7 a, z* l% i2 R% }
, ?6 }$ [! Q% l; DCommon Criteria 認證是一個標準化且受到國際認可，針對安全性產品作測試與驗證的程序。由國際認證組織，例如德國國家認證機構 BSI 委員會，設立高品質與專業度的實驗室，針對晶片進行攻擊測試，並考驗產品的可靠度等級。
5 H; m$ w) a& [- O& P
SLE 78 系列技術資訊

# J: e  a9 k8 t6 L! d1 ?SLE 78 系列安全控制器目前推出 19 項系列產品，分別採用了不同容量的記憶體，提供 244Kbytes 至 288Kbytes 的 ROM (供作業系統使用)，以及 36Kbytes 至 144Kbytes 的 EEPROM (用於資料儲存等)。該系列內包含特殊協同處理器，可執行包括 3-DES (三重資料加密標準)、AES (先進加密標準)、RSA (Rivest、Shamir、Adleman) 和 ECC (橢圓曲線加密) 等對稱和非對稱加密作業。此外，SLE 78 系列產品還支援各種非接觸式近接介面，例如 ISO/IEC 14443 Type B 和 Type A，以及 ISO 18092 (NFC 被動模式)。

atitizz

英飛凌推出 650V CoolMOS™ C6/E6 高壓電晶體為交換式應用產品提供最高的效率及簡易的控制
4 S, z# h$ O! e! S7 f. N
【2010 年 6 月 25 日德國紐必堡訊】英飛凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今日宣佈推出全新 650V CoolMOS™ C6/E6 高效能場效電晶體(MOSFET)，結合先進超接面 (super junction) 技術，低導通電阻以及降低電容切換損失之優勢、簡單易用的切換控制以及高度耐用的二極體。C6 和 E6 系列採用相同的技術平台，前者是專為簡單易用而設計，後者則提供最高的效率。

CoolMOS™ C6/E6系列是英飛凌所推出領先業界，採用高壓超接面技術 MOSFET 的第六代產品。新款 650V CoolMOS™ C6/E6 產品提供快速且可控制的切換效能，支援對效率及功率密度有高度需求的應用。650V CoolMOS™ C6/E6 產品易於進行設計 (design-in)，非常適用於各種節能的交換式應用，例如筆記型電腦的變壓器、太陽能以及其他需要額外擊穿電壓電位差的 SMPS 應用產品。

atitizz

英飛凌 HVMOS 功率離散式元件產品線經理 Jan-Willem Reynaerts 表示：「新款 650V C6/E6 系列產品讓我們稍早推出的 CoolMOS™ 600V C6/E6 系列產品更臻完善，為650V的其他應用需求提供第六代 CoolMOS™ 技術。對於採用我們廣受業界青睞之 C3 系列產品的客戶，CoolMOS™ C6/E6 提供了絕佳的升級選擇。」

- A% {/ z  }, h相較於 CoolMOS™ C3 650V 系列，新款 650V CoolMOS™ C6/E6 系列的輸出電容 (Eoss) 可減少儲存電力達 20%，而 C6/E6 經過改良的本體二極體，在對抗硬式整流 (hard commutation) 時，顯示高度的耐變性，並可減少 25% 的逆向回復電荷。C6/E6 系列產品的閘級電阻經過調整，設計能夠維持平衡，因此切換時不會出現過電壓及電流斜率。
3 y" c+ y9 ^; E
5 Z" t+ R" L5 ]6 b* F! r上市時間與定價
' K3 t2 q  y) s9 H7 p) U
& ]; F  _( c, H% N. v" {IPA65R280C6 / IPA65R280E6（280mΩ，採用 TO220 FullPAK 封裝）及 IPA65R380C6 / IPA65R380E6（380mΩ，採用 TO220 FullPAK 封裝）目前已推出樣品。新款 C6/E6 650V 系列的首批產品將於 2010 年 7 月開始量產。此產品線將逐步擴大，預計於 2010 年年底完成。IPA65R280C6 / IPA65R280E6 的單價為 2.90 美元(以一萬個單位為批量)。