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蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis/ y7 q/ ?; B! \9 y- Q
在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner
- W0 A- [! x7 r N6 K& ^, |/ X
( o3 L6 x& V8 g6 y& `# L1 _; oDevice Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況
/ M% a( x* j8 o+ t# u電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低+ S/ }: o6 b( x0 Y
; @8 y4 g$ n) r0 N% r/ [( d3 W這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case1 g. l1 M) X& T
如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.( y3 r: |' I" p' d, m' I
* t/ s( I; ~1 d) ]/ hIC製造出來的良率 自然就會提高很多.7 T; m& w5 U2 J- u5 b) l
. d6 c. [, W; ]% c; f9 `
至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料- g. \8 h0 `0 `$ E
大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法
0 r. d( t+ Q O$ z6 J7 z在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值6 m3 T _! E, [# o1 G
(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免
E; N, c: i1 M$ B7 q 下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue)
" u+ V, p3 w) ~
U' A k( M3 ^& V4 O- }4 ?" z* ]範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升
4 \7 O9 H, R3 ^( Y範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
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