Ramtron推出兩款全新串列低功耗、高性能F-RAM元件 + X2 R, S" C" R6 _3 J% A7 J& s" @* p# B
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新款串列256Kb F-RAM元件擴展V系列產品線 Y) N! B) r, [$ O! s# T8 G
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全球領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation,宣佈推出兩款具有高速讀/寫性能、低功耗運作和可選元件特性的新型串列非揮發性F-RAM產品,它們分別是帶有雙線介面(I2C)的FM24V02和帶有串列周邊介面(SPI)的FM25V02。這兩款256Kb元件是Ramtron公司V系列F-RAM元件的最新成員,工作電壓範圍為2.0V至3.6V,採用產業標準的8腳SOIC封裝,具有快速存取、無延遲(NoDelay™)寫入、幾乎無限的讀/寫次數及低功耗,是工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲、電腦及其它應用領域的256 Kb 串列快閃記憶體和串列 EEPROM記憶體的相容替代產品。2 I7 ? }% {! A( g) E
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Ramtron 市場推廣經理Mike Peters 表示:「與上一代產品比較,這兩款256 Kb V系列串列件的電壓更低、性能更高,可用以替代FM24L256和 FM25L256B。我們不斷地擴展V系列產品線,履行Ramtron對環境保護的承諾,在提供功效更高非揮發性記憶體產品的同時,還要降低對電池的需求。」
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關於FM24V02 和FM25V02
4 g; G2 t7 w, _3 b) X1 i; hFM24V02最高可以3.4 MHz的I2C匯流排速度執行寫入操作,同時還支持100 kHz 和400 kHz的傳統匯流排頻。該元件無寫入延遲,不需要進行資料輪詢即可進行下一個匯流排週期。此外,FM24V02還提供高達100萬億 (1E14)的 讀/寫次數,比EEPROM高出幾個數量級。FM24V02在執行寫入操作時不需要為寫入電路提供內部升高的電源電壓,因而功耗也較EEPROM低得多。FM24V02在工作模式下的耗電量低於150μA (通常在100KHz下),待機模式下則為90μA,而睡眠模式下的耗電量更可低至5μA。3 r( l4 r# A) h
* z6 x2 j9 W) n% CFM25V02 在40 MHz SPI時鐘頻率下運作的耗電量僅為3mA,在待機模式下則為90µA,在2 y! [2 r. x3 I2 U" K& O9 ~$ [
睡眠模式下則為5µA。FM25V02的典型運作功耗為38µA / MHz,比相類似的串列快閃記憶體或EEPROM產品耗電量降低了一個數量級。
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& x* y4 Z; \0 E* I" EFM24V02和FM25V02均具有標準的唯讀元件ID,可讓主機確定製造商、產品密度和產品版本資訊。兩款產品還提供了可選且獨特的唯讀序列號,它可用來確定帶有全球獨有ID的電路板或系統。最後,FM24V02 和 FM25V02可確保在-40°C至+85°C的工業溫度範圍內工作,極度適合工業用途。" v# F( d3 s/ {3 H e% X2 g
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關於V系列F-RAM# m9 q+ e/ A; U" h
Ramtron的V系列F-RAM產品採用Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產製程製造,包括多種容量的串列I2C、串列SPI和位元組寬並列記憶體(bytewide parallel memory) 。產品以先進的製程製造,能夠提高元件規範,並增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外,V系列F-RAM還包括了以下元件:: U5 P3 z' ?; y+ H4 j& G
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價格和供貨Ramtron目前已經可以提供採用符合RoHS標準的8腳SOIC封裝的FM24V02 和 FM25V02樣品,訂購1萬片,FM24V02的起價為每片2.39美元;FM25V02起價為2.35美元。 |