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原帖由 e2000 於 2009-7-18 01:09 AM 發表
3 f2 f5 Z0 K) H0 ~9 y+ I% Z.18製程能達到高速嗎?至於低電壓設計的話是否要用特別的偏壓電路?+ C3 g4 V0 j% ^$ y4 B* `4 q7 Q0 E
至於3,4我就不太懂是什麼技術了 & J+ g6 k4 r" W6 y
% c0 U+ p$ d: Q: c$ i/ W0.18um的NMOS ft可以到30GHZ左右,這裡說的高速主要是指高速且低功率的op設計& q8 R, t+ M- c
9 ^3 s7 t% x" Q2 f- g低電壓設計最簡單的方法就是把電晶體偏壓在weak inversion,不過對process variation很敏感,而且頻寬通常都超低,weak inversion的spice model也不是很可靠...& M% C0 i; @; @. {& W1 Q
2 M2 @! x. }' P: G* ]partial positive feedback就是在op內部加入正回授以提高gain,由於在以前VDD夠高gain很容易就70dB以上,所以這樣的技術沒有很專注的被發展,而且也有stability的問題
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! k) E9 P- p9 ~6 c, _1 XBulk-driven就是把body當成Vin,原本的gate給一個偏壓,這樣可以拉高訊號擺幅,不過這樣的技術有潛在latch uo的問題7 G2 q1 q4 d2 Z5 u5 n. p& X
" A. z# a3 s u! h) }發op paper的確是較難的,我說的這些技術都被提出超過15年以上了,但是放在不同的位置或是稍加變化, 還是斷斷續續有新的idea被propose |
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