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原帖由 e2000 於 2009-7-18 01:09 AM 發表 . l% q7 m( u3 j1 f9 |+ d) {
.18製程能達到高速嗎?至於低電壓設計的話是否要用特別的偏壓電路?
/ F* [" G& x$ e至於3,4我就不太懂是什麼技術了 " P3 j, p# r+ E2 {9 M s
6 s9 x3 o6 ^3 H! h0.18um的NMOS ft可以到30GHZ左右,這裡說的高速主要是指高速且低功率的op設計
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1 |- i3 ^. \ ]4 _) ]: n1 X低電壓設計最簡單的方法就是把電晶體偏壓在weak inversion,不過對process variation很敏感,而且頻寬通常都超低,weak inversion的spice model也不是很可靠...0 q/ Z0 M( n$ H; a7 G# q6 _
8 q( b* T/ t5 @+ M; I5 y5 qpartial positive feedback就是在op內部加入正回授以提高gain,由於在以前VDD夠高gain很容易就70dB以上,所以這樣的技術沒有很專注的被發展,而且也有stability的問題
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+ H) q' P3 l1 V# LBulk-driven就是把body當成Vin,原本的gate給一個偏壓,這樣可以拉高訊號擺幅,不過這樣的技術有潛在latch uo的問題0 e# Q& x4 _! q5 ]
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發op paper的確是較難的,我說的這些技術都被提出超過15年以上了,但是放在不同的位置或是稍加變化, 還是斷斷續續有新的idea被propose |
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