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原帖由 e2000 於 2009-7-18 01:09 AM 發表
9 ^9 n: s1 v& K5 M.18製程能達到高速嗎?至於低電壓設計的話是否要用特別的偏壓電路?
4 `2 @" u. J- T# K' J2 e8 j B5 z至於3,4我就不太懂是什麼技術了 9 m! O. }: }1 y
0 \' Y; S- |/ N; X7 U* x6 l) K, ~0.18um的NMOS ft可以到30GHZ左右,這裡說的高速主要是指高速且低功率的op設計
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低電壓設計最簡單的方法就是把電晶體偏壓在weak inversion,不過對process variation很敏感,而且頻寬通常都超低,weak inversion的spice model也不是很可靠...& V( p1 a8 G3 z$ Y Y. @
+ {7 N4 A- K( W; C( W4 A( v( gpartial positive feedback就是在op內部加入正回授以提高gain,由於在以前VDD夠高gain很容易就70dB以上,所以這樣的技術沒有很專注的被發展,而且也有stability的問題6 S: v L: J& ~, z0 N
8 w2 j. z# s5 p) u a: p7 g& {Bulk-driven就是把body當成Vin,原本的gate給一個偏壓,這樣可以拉高訊號擺幅,不過這樣的技術有潛在latch uo的問題
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# ?. ^8 M% {: W: q" D" V發op paper的確是較難的,我說的這些技術都被提出超過15年以上了,但是放在不同的位置或是稍加變化, 還是斷斷續續有新的idea被propose |
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